用於半導體記憶裝置之位元線控制電路 BIT LINE CONTROL CIRCUIT FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
申請人· 海力士半導體股份有限公司 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 韓國


專利信息

專利名稱 用於半導體記憶裝置之位元線控制電路
公告號 200713305
公告日
證書號
申請號 2006/06/30
國際專利分類號
公報卷期 05-07
發明人 姜吉沃 KANG, KHIL-OHK
申請人 海力士半導體股份有限公司 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 韓國
代理人 陳長文
優先權 南韓 10-2005-0090911 20050929 南韓 10-2005-0132504 20051228
參考文獻
審查人員

專利摘要

一種半導體記憶裝置包括:一位元線感測放大器,其用於感測並放大施加於一位元線上之資料;一第一驅動器,其用於將該位元線感測放大器之一上拉電壓線驅動至施加於一正常驅動電壓端子上之一電壓;一過驅動訊號產生器,其用以回應於一有效指令,產生界定一過驅動週期之一過驅動訊號;一過驅動控制訊號產生器,其用於接收該過驅動訊號以產生一過驅動控制訊號,以用於根據一過驅動電壓之一電壓位準來選擇性執行一過驅動操作;及一第二驅動器,其用以回應於該過驅動控制訊號,將該正常驅動電壓端子驅動至該過驅動電壓。


專利範圍

1.一種半導體記憶裝置,其包含:一位元線感測放大器,其用於感測並放大施加於一位元線上之資料;一第一驅動器,其用於將該位元線感測放大器之一上拉電壓線驅動至施加於一正常驅動電壓端子上之一電壓;一第二驅動器,其用於將該正常驅動電壓端子驅動至一過驅動電壓;一過驅動訊號產生器,其用以回應於一有效指令,產生界定一過驅動週期之一過驅動訊號;一位準隨耦器,其用於輸出關於該過驅動電壓之一變化電壓;一電壓位準偵測器,其用以回應於該位準隨耦器之該輸出電壓,偵測該過驅動電壓是否高於一預定位準;及一選擇性輸出單元,其用以回應於該電壓位準偵測器之一輸出訊號,選擇性輸出該過驅動訊號,其中該第二驅動器受控於該選擇性輸出單元之該輸出訊號。 2.如請求項1之半導體記憶裝置,其中該正常驅動電壓端子為一核心電壓端子,且該過驅動電壓為一外部電壓。 3.如請求項1之半導體記憶裝置,其中該位準隨耦器包括串聯連接於一外部電壓端子與一接地電壓端子之間的第一及第二電阻器,且根據該第一電阻器與該第二電阻器之一電阻比來除法運算一外部電壓,以在該第一電阻器與該第二電阻器之一共同節點處輸出該經除法運算之電壓作為一線性變化的電壓。 4.如請求項1之半導體記憶裝置,其中該電壓位準偵測器包括:一NMOS電晶體,其具有一接收該位準隨耦器之該輸出電壓之閘極,且其連接至一接地電壓端子;及一PMOS電晶體,其具有一連接至該接地電壓端子之閘極,且其連接至一外部電壓端子。 5.如請求項3之半導體記憶裝置,其中該選擇性輸出單元包括一邏輯閘極,用於對該電壓位準偵測器之該輸出訊號與該過驅動訊號執行一「及」運算。 6.如請求項5之半導體記憶裝置,其中該選擇性輸出單元包括:一「反及」閘,其經組態以接收該電壓位準偵測器之該輸出訊號及該過驅動訊號;及一反轉器,其用於使該「反及」閘之一輸出訊號反轉,以輸出該反轉訊號作為該過驅動訊號。 7.如請求項1之半導體記憶裝置,其中該選擇性輸出單元包括:一傳輸閘,其用以回應於該電壓位準偵測器之該輸出訊號,輸出該過驅動訊號;及一鎖存器,其用於鎖存該傳輸閘之一輸出訊號。 8.一種位元線感測放大器控制電路,其包含:一位元線感測放大器,其用於感測並放大施加於一位元線上之資料;一第一驅動器,其用於將該位元線感測放大器之一上拉電壓線驅動至施加於一正常驅動電壓端子上之一電壓;一過驅動訊號產生器,其用以回應於一有效指令,產生界定一過驅動


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統