清洗



  • 半導體裝置之清洗方法及製造方法與清洗溶液

    公告號:200300975 - NEC電子股份有限公司 NEC ELECTRONICS CORPORATION 日本

    1.1.一種去除附著於基板表面之上的金屬污染物之清洗方法,係使用氧化還原電位小於純水之氧化還原電位、且其pH值為4或更小的一清洗溶液。 2.2.一種去除附著於基板表面之上的金屬污染物之清洗方法,係使用含有一羧基化合物、且氧化還原電位小於純水之氧化還原電位的一清洗溶液。 3.3.如申請專利範圍第2項之

  • 用於清洗滲析溶液之筒柱

    公告號:200301149 - 腎臟溶劑公司 美國

    1.一種包含至少碳酸鋯鈉之吸著筒柱。 2.如申請專利範圍第1項之吸著筒柱,其中該碳酸鋯鈉係以一層狀存在於該吸著筒柱中。 3.如申請專利範圍第1項之吸著筒柱,其尚包含磷酸鋯。 4.如申請專利範圍第3項之吸著筒柱,其中該磷酸鋯係以一層狀存在於該吸著筒柱中。 5.如申請專利範圍第3項之吸著筒柱,其中該磷酸

  • 具有上下動作機構之清洗輥輪裝置

    公告號:200302038 - 角田製作所股份有限公司 TSUNODA BRUSH CO., LTD 日本

    1.1、一種清洗輥輪裝置,係具有壓接至需要進行給定的清洗處理之物件板上並予轉動的一次輥輪及壓接至該一次輥輪上並予轉動的二次輥輪之一對輥輪組者,其特徵在於:具有用於保持裝置之機架,前述一對輥輪組至少在相同相位上備有處於上下位置的上部輥輪組及下部輥輪組之兩組輥輪組,前述兩組輥輪組係予樞支在相對於機架可上

  • 提升接觸孔側壁對於預清洗蝕刻劑之蝕刻選擇性之方法

    公告號:200302524 - 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC. 美國

    1.1.一種用於在一積體電路之第一金屬層與一矽基材間形成 一接觸之方法,該方法至少包含: 形成一前金屬介電層於該矽基材上; 蝕刻一接觸孔通過該前金屬介電層,該接觸孔具有一由該接觸孔一頂部延伸至一底部之內表面; 形成一含氮層於該內表面上; 移除於該矽介面處之該接觸孔內產生之殘餘物及/或氧化物;及 以一

  • 半導體裝置之基板預清洗方法

    公告號:200302518 - 周星工程股份有限公司 JUSUNG ENGINEERING CO., LTD 韓國

    1.1.一種半導體裝置之基板預清洗方法,包含以下步驟:準備一容室,該容室具有:一電漿電極,位在該容室的外部;一電源系統,連接至該電漿電極;一晶座,位在該容室之中;及一注入器,用以將氣體注入該容室之中;設置一金屬網於該容室之中,該金屬網位在該晶座的上方並接地;配置一基板於該晶座之上;及經由該注入器注入

  • 清除溶液、半導體基板之清洗方法、及半導體裝置之製造方法

    公告號:200302516 - NEC電子股份有限公司 NEC ELECTRONICS CORPORATION 日本

    1.1.一種金屬材料的清除溶液,該金屬材料含有具氧化還原電位為0.3至1.0之金屬,該清除溶液包含:一鈰(IV)硝酸鹽、過碘酸或次氯酸鹽。 2.2.如申請專利範圍第1項之金屬材料的清除溶液,其中該具氧化還原電位為0.3至1.0之金屬係由選自於由銅、銀、銠及鈀所組成之群組中之至少一金屬所組成。 3.3

  • 製程處理室組件上之製程殘餘物的清洗方法

    公告號:200302504 - 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC. 美國

    1.1.一種清除具孔洞之基材製程室零件表面上殘留物之方法,該方法至少包含:(a)將該零件至少部分浸入清潔溶液,且該清潔溶液至少包含氫氟酸和硝酸;以及(b)將非反應性氣體通入該零件內之孔洞。 2.2.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中上述非反應性氣體通過該等孔洞流入的壓力足以避免該清潔溶液回流到該等

  • 用於清洗蛋之方法與系統

    公告號:200302046 - FPS食品加工系統公司 FPS FOOD PROCESSING SYSTEMS B.V. 荷蘭

    1.1、一種用於清洗被均勻分布在一運送裝置之m個饋送列上、並於其上採用良好界定位置之蛋品物流的系統,其係包括有:●一個饋送區段,其至少在該等蛋品之清洗位置處之m個饋送列上具有蛋品位於飛鈴上,該等飛鈴係被附接至交叉軸線,而該交叉軸線之端部係被連接至循環鏈;●一個清洗裝置,位在諸饋送列上之蛋品係會被通過

  • 用以清洗及乾燥半導體晶圓之方法及裝置

    公告號:200303581 - A技術股份有限公司 A TECH LTD. 韓國

    1.1.一種用以清洗及乾燥半導體晶圓之裝置,該裝置包括:一處理槽,接收一外源送來之一潔淨溶劑,且該半導體晶圓是在該處理槽內潔淨與乾燥;一潔淨溶劑混合單元,要注入至該處理槽之潔淨溶劑係依既定比率混合,其包括:一異丙醇槽,其接收一外源送來之異丙醇;一混合醇槽,其接收一外源送來之去離子水,其係至連接至該異

  • 於超乾淨之空氣中用於蝕刻、清洗及乾燥基板的裝置

    公告號:200303578 - 法可微科技公司 VACO MICROTECHNOLOGIES 法國

    1.1.一種用於基板(7)的蝕刻、清洗及乾燥裝置,其包括有:-一槽(5),其具有一在底部的擴散底部(9)及一在頂部的溢流滑道(2),-若干個投射噴嘴(10、11),該等投射噴嘴(10、11)配置於該擴散底部(9)中,且連接至用於注入蝕刻流體LG與清洗流體LR的獨立績送系統(12、13),-至少一偏離

  • 薄膜成形裝置,噴頭清洗方法,裝置製造系統,及裝置

    公告號:200303794 - 精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION 日本

    1.1.一種薄膜成形裝置,包含:多個噴頭,用以噴射小液滴,每一噴頭具有一噴嘴在一噴嘴面中;及一噴頭清潔機構,用以集體清潔噴頭之噴嘴面。 2.2.如申請專利範圍第l項所述之薄膜成形裝置,其中,噴頭清潔機構包含:一擦拭布,用以擦拭噴嘴面;一擦拭布供應單位,用以饋送擦拭布至噴嘴面;及一滾子,用以壓下擦拭布

  • 在銅/銅或銅/金屬接合期間使用氫電漿以預清洗銅表面之方法

    公告號:200305190 - 特許半導體製造公司 CHARTERED SEMICODUCTOR MANUFACTURING, LTD. 新加坡

    1.1.一種接合一線到一金屬墊之方法,係包括有步驟:提供一半導體晶粒結構,其係具有一暴露的金屬接合墊於一反應室內;該接合墊具有一頂部表面;在該反應室中的一電漿源產生一氫電漿;以該氫電漿預清洗及鈍化該金屬接合墊,以移除形成於該金屬接合墊頂部表面上的任何金屬氧化物;及接合一線到該清洗及鈍化的金屬接合墊。

  • 於製造半導體裝置時的半導體晶圓之金屬鑲嵌構造之清洗方法

    公告號:200305922 - NEC電子股份有限公司 NEC ELECTRONICS CORPORATION 日本

    1.1. 一種半導體晶圓之金屬鑲嵌構造之清洗方法,其包含步驟有:使用純水來處理已經拋光過之晶圓的一製程;以及接著在未使用純水之下處理該晶圓的一製程。 2.2. 如申請專利範圍第1項的半導體晶圓之金屬鑲嵌構造之清洗方法,其中,僅在使用化學溶液來處理該晶圓之一製程後、才執行使用純水來處理該晶圓的該製程。

  • 聚合物件之清洗裝置

    公告號:200305490 - 大科能樹脂有限公司 TECHNO POLYMER CO., LTD 日本

    1.1. 一種用於清洗聚合物件之裝置,包含:一長形清洗槽,其具有一在該清洗槽的縱方向延伸且由一驅動源所驅動之旋轉軸,該清洗槽具有一供水埠及一排水埠以及位於一端之一聚合物件導入埠及位於另一端之一聚合物件排出埠;一螺旋部,其與該旋轉軸為一體以藉由與該旋轉軸一起轉動該清洗槽內的水而使水在該清洗槽中從該一端

  • 用來清洗半導體基板產生之殘餘物的酸鹼度緩衝組成物

    公告號:200306348 - 尖端科技材料公司 ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS INC. 美國

    1.1一種用於半導體裝置之半水性(semi-aqueous)清洗配方,其包含一緩衝系統。 2.2.如申請專利範圍第1項之半水性清洗配方,其中,更包含一極性有機溶劑。 3.3.如申請專利範圍第1項之半水性清洗配方,其中,更包含一氟化物來源。 4.4.如申請專利範圍第1項之半水性清洗配方,其中,該緩衝系