橫向雙擴散金氧半導體裝置及其製造方法 LATERAL DOUBLE DIFFUSED METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
申請人· 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW


專利信息

專利名稱 橫向雙擴散金氧半導體裝置及其製造方法
公告號 I517403
公告日 2016/01/11
證書號 I517403
申請號 2013/09/14
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 李琮雄 LEE, TSUNG HSIUNG; 張睿鈞 CHANG, JUI CHUN
申請人 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW
代理人 洪澄文; 顏錦順
優先權
參考文獻 US2007/0034944A1; US2011/0014766A1; US2011/0266620A1; US2012/0273878A1
審查人員 黃鼎富

專利摘要

一種橫向雙擴散金氧半導體裝置,包括:半導體基板,具有相對之一第一表面與一第二表面;井區,位於該半導體基板之一部內;閘極結構,位於該半導體基板之一部上;第一摻雜區,位於鄰近該閘極結構之一第一側之該井區層之一部內;一第二摻雜區,位於該閘極結構之一第二側之該井區之一部內;第三摻雜區,位於該第一摻雜區之一部內;一第四摻雜區,位於該第二摻雜區之一部內;第一溝槽,位於該第三摻雜區、該第一摻雜區、該井區與該半導體基板之一部中;導電接觸物,位於該第一溝槽內;第二溝槽,位於鄰近該半導體基板之該第二表面之一部中;第一導電層,位於該第二溝槽內;以及第二導電層,位於該半導體基板之該第二表面以及該第一導電層上。


專利範圍

1.一種橫向雙擴散金氧半導體裝置,包括:一半導體基板,具有相對之一第一表面與一第二表面以及一第一導電類型;一井區,位於該半導體基板之一部內,鄰近該第一表面且具有該第一導電類型;一閘極結構,位於該半導體基板之該第一表面之一部上;一第一摻雜區,位於鄰近該閘極結構之一第一側之該井區層之一部內,具有該第一導電類型;一第二摻雜區,位於相對該閘極結構之該第一側之一第二側之該井區之一部內,具有相反於該第一導電類型之一第二導電類型;一第三摻雜區,位於該第一摻雜區之一部內,具有該第二導電類型;一第四摻雜區,位於該第二摻雜區之一部內,具有該第二導電類型;一第一溝槽,位於該第三摻雜區、該第一摻雜區、該井區與該半導體基板之一部中;一導電接觸物,位於該第一溝槽內;一第二溝槽,位於鄰近該半導體基板之該第二表面之一部中,其中該第二溝槽並未穿透該半導體基板而露出該導電接觸物之一部;一第一導電層,位於該第二溝槽內並接觸該導電接觸物;以及一第二導電層,位於該半導體基板之該第二表面以及該第一導電層上。 2.如申請專利範圍第1項所述之橫向雙擴散金氧半導體裝置,其中該第一導電類型為P型而該第二導電類型為N型,或該第一導電類型為N型而該第二導電類型為P型。 3.如申請專利範圍第1項所述之橫向雙擴散金氧半導體裝置,其中該第三摻雜區為一源極區,而該第四摻雜區為一汲極區。 4.如申請專利範圍第1項所述之橫向雙擴散金氧半導體裝置,其中該井區之一電阻率係低於該半導體基板之一電阻率。 5.如申請專利範圍第1項所述之橫向雙擴散金氧半導體裝置,其中該導電接觸物包括一第三導電層以及為該第三導電層所環繞之一第四導電層。 6.一種橫向雙擴散金氧半導體裝置之製造方法,包括:提供一半導體基板,該半導體基板具有相對之一第一表面與一第二表面且具有一第一導電類型;施行一離子佈植製程,於鄰近該第一表面之該半導體基板之一部內形成一井區,具有該第一導電類型;形成一閘極結構於該井區之一部上;形成一第一摻雜區於鄰近該閘極結構之一第一側之該井區之一部內,具有該第一導電類型;形成一第二摻雜區於相對該閘極結構之該第一側之一第二側之該井區之一部內,具有相反於該第一導電類型之一第二導電類型;形成一第三摻雜區於該第一摻雜區之一部內,具有該第二導電類型;形成一第四摻雜區於該第二摻雜區之一部內,具有該第二導電類型;形成一第一溝槽於該第三摻雜區、該第一摻雜區、該井區及


類似專利

公告號 專利名稱 申請人
I517398 橫向雙擴散金氧半導體裝置及其製造方法 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW
I511284 橫向雙擴散金氧半導體裝置及其製造方法 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW
I511296 橫向雙擴散金氧半導體裝置及其製造方法 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW
201517267 橫向雙擴散金氧半導體裝置及其製造方法 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW
201515217 橫向雙擴散金氧半導體裝置及其製造方法 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW
201511270 橫向雙擴散金氧半導體裝置及其製造方法 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW
201444083 橫向雙擴散金氧半導體裝置及其製造方法 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW
I254384 橫向雙擴散金氧半導體元件及其製造方法 旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行路16號
200633073 橫向雙擴散金氧半導體元件及其製造方法 旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行路16號
201011910 多晶矽射極雙接面電晶體及其製造方法與雙載子,互補式金氧半導體,擴散金氧半導體裝置及其製造方法 東部高科股份有限公司 DONGBU HITEK CO., LTD. 南韓 KR
I336132 低開啟電阻之橫向擴散金氧半導體元件及其製造方法 旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行路16號 TW
201251007 橫向擴散金氧半導體元件及其製造方法 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 TW
200847428 低開啓電阻之橫向擴散金氧半導體元件及其製造方法 旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行路16號
I485843 互補式金氧半導體裝置及其製造方法 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
I478244 具有經摻雜之含矽蓋層的金氧半導體裝置及其製造方法 格羅方德半導體公司 GLOBALFOUNDRIES US INC. 美國 US
578270 互補式金氧半導體裝置及其製造方法 海力士半導體股份有限公司 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 韓國
201513361 具有隔離汲極之金氧半導體裝置及其製造方法 聯發科技股份有限公司 MEDIATEK INC. 新竹市新竹科學工業園區篤行一路1號 TW
201306234 互補式金氧半導體裝置及其製造方法 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
201128713 具有經摻雜之含矽蓋層的金氧半導體裝置及其製造方法 格羅方德半導體公司 GLOBALFOUNDRIES US INC. 美國 US

專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統