液晶顯示器之導電基板及其製造方法 CONDUCTIVE SUBSTRATE OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
申請人· 友達光電股份有限公司 AU OPTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路1號


專利信息

專利名稱 液晶顯示器之導電基板及其製造方法
公告號 200725043
公告日
證書號
申請號 2005/12/28
國際專利分類號
公報卷期 05-13
發明人 徐維澤 HSU, WEI-TSE;李宜庭 LEE, YI-TING;鄭德勝 CHEN, TE-SHENG;余宙桓 YU, CHOU-HUAN
申請人 友達光電股份有限公司 AU OPTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路1號
代理人 林素華
優先權
參考文獻
審查人員

專利摘要

液晶顯示器之導電基板及其製造方法簡圖

一種液晶顯示器之導電基板,包括一基板、一電極及一配向凸塊膜。電極設置於基板之上,配向凸塊膜設置於電極上,具有一底部及至少一凸塊。凸塊之厚度係大於底部之厚度。


專利範圍

1.一種液晶顯示器之導電基板,包括:一基板;一電極,設置於該基板之上;以及一配向凸塊膜,設置於該電極上,具有一底部及至少一凸塊(protrusion),該凸塊之厚度係大於該底部之厚度。
2.如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器之導電基板,其中該配向凸塊膜包含一聚合物(polymer),該聚合物於該凸塊中與該電極鍵結。
3.如申請專利範圍第2項所述之液晶顯示器之導電基板,其中該聚合物之親水端或親油端與該電極鍵結。
4.如申請專利範圍第2項所述之液晶顯示器之導電基板,更包括:一圖案化介面活性層(surfactant layer),設置於該凸塊及該電極之間,用以與該聚合物鍵結。
5.如申請專利範圍第4項所述之液晶顯示器之導電基板,其中該聚合物之親水端或親油端與該介面活性層鍵結。
6.如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器之導電基板,其中該配向凸塊膜為一感光性(photosensitive)配向膜。
7.如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器之導電基板,其中該凸塊係為一梯形體。
8.如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器之導電基板,其中該電極為一透明電極。
9.如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器之導電基板,其中該凸塊之厚度為1微米(μm)至6微米。
10.如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器之導電基板,其中該凸塊之厚度為2微米至5微米。
11.如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器之導電基板,其中該底部之厚度大於100埃([圖]),但小於10000埃([圖])。
12.一種液晶顯示器之導電基板之製造方法,包括:提供一基板,該基板上具有一電極;形成一配向膜於該電極上;以及圖案化該配向膜,以形成一具有一底部及至少一凸塊之配向凸塊膜,該凸塊之厚度係大於該底部之厚度。
13.如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示器之導電基板之製造方法,其中該圖案化該配向膜之步驟包括:形成一光阻層於該配向膜上;提供一光罩;曝光該光阻層;移除該光罩;顯影該光阻層,以形成該圖案化光阻層;去除部分之該配向膜的表面,以形成該配向凸塊膜;以及去除該圖案化光阻層。
14.如申請專利範圍第13項所述之液晶顯示器之導電基板之製造方法,其中該光罩具有一非透光區及一透光區,該光阻層為一負型光阻層,該透光區之位置對應於該凸塊之位置。
15.如申請專利範圍第13項所述之液晶顯示器之導電基板之製造方法,其中該光罩具有一非透光區及一透光區,該光阻層為一正型光阻層,該非透光區之位置對應於該凸塊之位置。
16.如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示器之導電基板之製造方法,其中該配向膜為一感光性配向膜,該圖案化該配向膜之步驟更包括:提供一灰階(half-tone)光罩;曝光該感光性配向膜;移除該灰階光罩;顯影該感光性配向膜;以及固烤顯影後之該感光性配向膜,以形成該配向凸塊膜。
17.如申請專利範圍第16項所述之液晶顯示器之導電基板之製造方法,其中於該提供該灰階光罩之步驟後更包括:於溫度50~100℃時預烤(pre-baking)該感光性配向膜。
18.如申請專利範圍第16項所述之液晶顯示器之導電基板之製造方法,其中該灰階光罩具有一第一透光區及一第二透光區,該第一透光區之透光性大於該第二透光區之透光性,該感光性配向膜為一負型感光性配向膜,該第一透光區之位置對應於該凸塊之位置。
19.如申請專利範圍第16項所述之液晶顯示器之導電基板之製造方法,其中該灰階光罩具有一第一透光區及一第二透光區,該第一透光區之透光性大於該第二透光區之透光性,該感光性配向膜為一正型感光性配向膜,該第二透光區之位置對應於該凸塊之位置。
20.如專利申請範圍第16項之液晶顯示器導電基板之製造方法,其中該感光性配向膜為一負型感光性配向膜,藉由一蝕刻製程之控制,該光罩之一透光區對應於凸塊之位置。
21.如專利申請範圍第16項之液晶顯示器導電基板之製造方法,其中該感光性配向膜為一正型感光性配向膜,藉由一蝕刻製程之控制,該光罩之一非透光區對應於凸塊之位置。
22.如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示器之導電基板之製造方法,其中該配向膜具有複數個感光性單體,該圖案化該配向膜之步驟更包括:提供一具有一非透光區及一透光區之光罩;曝光該配向膜,使該些感光性單體聚合為一聚合物,該聚合物於該透光區下之部分的該配向膜中與該電極鍵結;移除該光罩;以及固烤曝光後之該配向膜,以形成該配向凸塊膜,該聚合物位於該凸塊中。
23.如申請專利範圍第22項所述之液晶顯示器之導電基板之製造方法,其中於該提供該光罩之步驟後更包括:於溫度50~100℃時預烤(pre-baking)該配向膜。
24.如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示器之導電基板之製造方法,其中該配向膜具有複數個感光性單體(monomers),該形成該配向膜之步驟更包括:形成一圖案化介面活性層於該電極上;以及形成具有該些感光性單體之該配向膜於該圖案化介面活性層上。
25.如申請專利範圍第24項所述之液晶顯示器之導電基板之製造方法,其中該圖案化該配向膜之步驟更包括:曝光該配向膜,使該些感光性單體聚合為一聚合物,該聚合物於部分的該配向膜中與該圖案化介面活性層鍵結;以及固烤曝光後之該配向膜,以形成該配向凸塊膜,該聚合物位於該凸塊中。
26.如申請專利範圍第25項所述之液晶顯示器之導電基板之製造方法,其中於該提供該光罩之步驟後更包括:於溫度50~100℃時預烤曝光後之該配向膜。
27.如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示器之導電基板之製造方法,其中該凸塊之厚度約為1微米至6微米。
28.如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示器之導電基板之製造方法,其中該凸塊之厚度約為2微米至5微米。
29.如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示器之導電基板之製造方法,其中該底部之厚度大於100埃([圖]),但小於10000埃([圖])。
30.一種液晶顯示器之導電基板之製造方法,包括:提供一基板,該基板上具有一電極;塗佈一感光性配向膜液體於該電極上;預烤該感光性配向膜液體以形成一感光性配向膜於該電極上;提供一灰階光罩;曝光該感光性配向膜;移除該灰階光罩;顯影該感光性配向膜;以及固烤顯影後之該感光性配向膜,以形成一具有至少一凸塊及至少一立體結構之配向凸塊膜,該立體結構之厚度大於該凸塊之厚度。
31.如申請專利範圍第30項所述之液晶顯示器之導電基板之製造方法,其中該灰階光罩具有一第一透光區、一第二透光區及一第三透光區,該第一透光區之透光性


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統