磁電效應材料及其製備方法
申請人· 程曜 新竹縣寶山鄉水仙路160巷1號 TW


專利信息

專利名稱 磁電效應材料及其製備方法
公告號 I517464
公告日 2016/01/11
證書號 I517464
申請號 2012/01/20
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 程曜; 李志浩; 楊本立
申請人 程曜 新竹縣寶山鄉水仙路160巷1號 TW
代理人 蔡坤財; 李世章
優先權
參考文獻 Y. Cheng, Quantum phase transistion of the 103mRh spin-density wave, arXiv.org. 30/06, 2009,編號5417號 Y. Cheng, Nuclear spin-density wave theory, arXiv.org. 09/07, 2009,編號1446號)
審查人員 孫建文

專利摘要

本發明提供一種由同位素晶體、其合金晶體或其化合物晶體製成的磁電效應材料,本發明以增豐和提純方式提高同位素的豐度和純度,以輻照增加核激子態數量,因而加強該同位素晶體、其合金晶體或其化合物晶體的磁電效應。本發明提供所述材料製造的方法,具體內容包括同位素選擇定則及其材料製備及與其他材料複合結構,屬於核科學及材料改性領域。本發明使用具有多光子糾纏躍遷的同位素核種,獲得非局域化的核激子態。選擇性加入其他具有核激子的同位素,可調整核激子的輻照產生效率,以及調整核激子衰變速率。


專利範圍

1.一種磁電效應材料,所述的磁電材料由同位素晶體、同位素合金晶體或其化合物晶體製成,其中透過增豐和提純方式增加同位素純度,進而在所述的同位素晶體、同位素化合物晶體,或一種或多種同位素的合金晶體內得到非局域化的、產生磁電效應的原子核激子。 2.根據申請專利範圍第1項所述的磁電效應材料,其中所述的增豐方式是透過同位素離心分離法對所述同位素進行增豐。 3.根據申請專利範圍第1項所述的磁電效應材料,其中所述的提純該同位素含量的方式為懸浮帶區法,透過移動局部熔融區將雜質驅趕離開到邊緣。 4.根據申請專利範圍第1項所述的磁電效應材料,其中產生非局域化的原核激子的同位素,為原子核第一激發態躍遷到原子核基態的自旋量子數變化不為1,且大於或等於2或等於0。 5.根據申請專利範圍第1項所述的磁電效應材料,其中所述的同位素晶體中同位素的豐度為90%-100%,所述同位素化合物晶體的每一種成分元素的同位素的豐度為90%-100%。 6.根據申請專利範圍第5項所述的磁電效應材料,其中所述的同位素晶體中同位素的豐度為99%-100%,所述同位素化合物晶體的每一種成分元素的同位素的豐度為99%-100%。 7.根據申請專利範圍第1-6項中任一項所述的磁電效應材料,其中所述的同位素化合物晶體為該同位素的氧化物晶體,其中的氧離子的同位素為 16 O,其豐度為99.76%-100%。 8.根據申請專利範圍第1-6項中任一項所述的磁電效應材料,其中所述的同位素化合物晶體為該同位素的碳化物晶體,其中的碳離子的同位素為 12 C,其豐度為98.89%-100%。 9.根據申請專利範圍第1-6項中任一項所述的磁電效應材料,其中所述的同位素化合物晶體為該同位素的硫化物晶體,其中的硫離子的同位素為 32 S,其豐度為95.02%-100%。 10.根據申請專利範圍第1-6項中任一項所述的磁電效應材料,其中所述的同位素選自 12 C、 16 O、 19 F、 27 Al、 28 Si、 32 S、 40 Ca、 45 Sc、 52 Cr、 56 Fe、 59 Co、 89 Y、 93 Nb、 103 Rh、 115 In、 232 Th和 238 U。 11.一種製備磁電效應材料的方法,包括在同位素晶體、同位素化合物晶體或一種或多種同位素的合金晶體內產生原子核激子的步驟。 12.根據申請專利範圍第11項所述的方法,


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統