複晶矽薄膜電晶體及其製造方法
申請人· 逢甲大學 FENG-CHIA UNIVERSITY 臺中市西屯區文華路100號 TW


專利信息

專利名稱 複晶矽薄膜電晶體及其製造方法
公告號 I517410
公告日 2016/01/11
證書號 I517410
申請號 2012/02/08
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 簡鳳佐; 廖健男; 張凱翔
申請人 逢甲大學 FENG-CHIA UNIVERSITY 臺中市西屯區文華路100號 TW
代理人 葉大慧
優先權
參考文獻 TW423161; TW439294; TW200536021; US5883399
審查人員 王榮華

專利摘要

一種複晶矽薄膜電晶體,包括一緩衝氧化層、一通道層、一氧化層、一閘極層、二介電質層、二副閘極、一閘極電極、一源極電極、一汲極電極及一保護層,其中該介電質層係各自為一L形結構,其水平部分係堆疊於該氧化層之上,垂直部分係與該閘極層接觸;該副閘極係各自堆疊於該介電質層之水平部分上,並與該介電質層之垂直部分接觸;該閘極電極係堆疊於該閘極層、該等介電質層以及該等部分副閘極之上;該汲/源極電極係堆疊於該部分保護層及汲/源極區域之區域上。本發明亦揭露一種複晶矽薄膜電晶體之製造方法。


專利範圍

1.一種複晶矽薄膜電晶體,係包括:一緩衝氧化層,係由玻璃基板或半導體基板堆疊氧化物、氮化物或絕緣材料組成;一通道層,係堆疊於該緩衝氧化層之上,且該通道層之面積係小於該緩衝氧化層之面積;一氧化層,係堆疊於該通道層之上,且該氧化層之面積係小於該通道層之面積;一閘極層,係堆疊於該氧化層之上,且該閘極層之面積係小於該氧化層之面積;二介電質層,係各自為一L形結構,其水平部分係堆疊於該氧化層之上,垂直部分係與該閘極層接觸;二副閘極,係各自堆疊於該介電質層之水平部分上,並與該介電質層之垂直部分接觸;一保護層,係由氧化物、氮化物或絕緣材料組成,係堆疊於該通道層之未堆疊該氧化層以及部分副閘極之區域上;一閘極電極,係堆疊於該閘極層、該等介電質層以及該等部分副閘極之上;一源極電極,係堆疊於該部分保護層以及一源極區域之區域上;以及一汲極電極,係堆疊於該部分保護層以及一汲極區域之區域上。 2.如申請專利範圍第1項所述之複晶矽薄膜電晶體,其中該等介電質層之組成材質係選自氮化物以及氧化物所構成之群組。 3.如申請專利範圍第1至2項任一項所述之複晶矽薄膜電晶體,其中該等副閘極之長度係各自為0.3微米。 4.如申請專利範圍第1至2項任一項所述之複晶矽薄膜電晶體,其中該閘極電極之厚度係為0.25微米。 5.一種複晶矽薄膜電晶體之製造方法,係包括步驟:提供一緩衝氧化層;堆疊一通道層於該緩衝氧化層之上;堆疊一氧化層於該通道層之上,該氧化層之面積係小於該通道層之面積;堆疊一閘極層於該氧化層之上,該閘極層之面積係小於該氧化層之面積;堆疊一介電質層於該閘極層以及該氧化層之上;堆疊一副閘極層於該介電質層上;對該副閘極層進行乾式蝕刻,利用高低落差不同堆疊高度,蝕刻該副閘極層以自動定義出二副閘極後繼續對該介電質層、該氧化層進行蝕刻至該通道層;在該通道層上進行離子佈值,以定義出一汲極區域以及一源極區域;堆疊一保護層在該汲極區域、該源極區域、該閘極層、該二副閘極以及該介電質層上;對該保護層定義電極接觸區後並進行蝕刻;以及堆疊一電極在保護層上並進行蝕刻以定義並區分出一汲極電極、一源極電極以及一閘極電極。 6.如申請專利範圍第5項所述之複晶矽薄膜電晶體之製造方法,其中該等介電質層之組成材質係選自氮化物以及氧化物所構成之群組。 7.如申請專利範圍第5項所述之複晶矽薄膜電晶體之製造方法,其中該等保護層之組成材質係選自氮化物以及氧


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