用於高電壓應用具有改良終端結構之凹槽雙擴散金氧半導體裝置 TRENCH DMOS DEVICE WITH IMPROVED TERMINATION STRUCTURE FOR HIGH VOLTAGE APPLICATIONS
申請人· 微協通用半導體有限責任公司 VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC 美國 US


專利信息

專利名稱 用於高電壓應用具有改良終端結構之凹槽雙擴散金氧半導體裝置
公告號 I517396
公告日 2016/01/11
證書號 I517396
申請號 2012/12/25
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 林意茵 LIN, YIH YIN; 林百勵 LIN, PAI LI; 許志維 HSU, CHIH WEI
申請人 微協通用半導體有限責任公司 VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC 美國 US
代理人 林志剛
優先權 美國 13/343,435 20120104
參考文獻 US2006/0214242A1; US2011/0227152A1
審查人員 詹惟雯

專利摘要

針對半導體裝置設置有終端結構。此終端結構包含具有主動區域和終端區域的半導體基板。終端凹槽位於終端區域內,且由主動區域邊界延伸至半導體基板邊緣。金氧半導體閘極形成於鄰近邊界的終端凹槽之側壁。至少一保護環凹槽形成於終端區域,其位在遠離主動區域的終端凹槽側邊。終端結構之氧化層形成於終端凹槽和保護環凹槽上。第一導電層形成於半導體基板之背板表面上。第二導電層形成於主動區域和終端區域之上。


專利範圍

1.一種用於半導體裝置之終端結構,該終端結構包含:具有主動區域和終端區域之半導體基板;位於該終端區域內的終端凹槽,且該終端凹槽由該主動區域邊界延伸至該半導體基板邊緣;金氧半導體閘極,形成於鄰近該邊界的該終端凹槽側壁上;至少一保護環凹槽,形成於遠離該主動區域的該終端凹槽側邊上的該終端區域內;終端結構氧化層,形成於該終端凹槽及該保護環凹槽上;第一導電層,形成於該半導體基板之背板表面上;及第二導電層,形成在該主動區域和該終端區域頂上,其中該第二導電層為連續層,從該主動區域延伸到該終端區域,覆蓋該MOS閘極之導電層的暴露部分且亦覆蓋該終端結構氧化層。 2.根據申請專利範圍第1項之終端結構,其中該金氧半導體閘極包含導電層和閘極氧化層,該閘極氧化層形成於該終端凹槽之底部和該導電層之間。 3.根據申請專利範圍第1項之終端結構,其中該半導體裝置為蕭特基二極體。 4.根據申請專利範圍第3項之終端結構,其中該蕭特基二極體為凹槽金氧半導體能障(TMBS)蕭特基二極體,其包括至少一個位在該基板主動區域的凹槽。 5.根據申請專利範圍第4項之終端結構,其中該至少一個凹槽襯底以氧化層且填充導電材料。 6.根據申請專利範圍第3項之終端結構,其中該至少一個保護環凹槽包含至少一個凹槽襯底以氧化層且填充導電材料。 7.根據申請專利範圍第1項之終端結構,其中該第二導電層延伸為一連續層,延伸到在該終端凹槽和該保護環凹槽上之該終端區域內。 8.根據申請專利範圍第1項之終端結構,其中該終端結構被使用在裝置中,該裝置選自於由功率電晶體和整流器所組成的群組中。 9.根據申請專利範圍第1項之終端結構,其中該至少一保護環凹槽包括複數個保護環凹槽及該終端結構氧化層及作為場板的該第二導電層,該第二導電層延伸在至少一些複數個保護環溝槽上。 10.一種蕭特基二極體,包含:半導體基板,具有複數個凹槽金氧半導體裝置,其在該半導體基板的主動區域中互相間隔而形成;終端凹槽,位於終端區域且由該主動區域邊界朝該半導體基板邊緣延伸;至少一個保護環凹槽,形成於遠離該主動區域的該終端凹槽側邊上之該終端區域內;金氧半導體閘極,形成於鄰近該邊界的該終端凹槽側壁上;終端結構氧化層形成於該終端凹槽上,並覆蓋一部份的金氧半導體閘極,且在至少一個保護環凹槽上且朝該基板邊緣延伸;第一導電層,形成於該半導體基板之背側表面上;及形成於該主動區域頂上的第二導電層,


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統