裝載埠、晶圓處理系統、操作一晶圓處理系統之方法 LOADING PORT, WAFER PROCESSING SYSTEM, AND METHOD OF OPERATING A WAFER PROCESSING SYSTEM
申請人· 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW


專利信息

專利名稱 裝載埠、晶圓處理系統、操作一晶圓處理系統之方法
公告號 I517288
公告日 2016/01/11
證書號 I517288
申請號 2013/11/08
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 蔡文璋 TSAI, WEN CHANG; 古紹延 KU, SHAO YEN; 謝暻椲 HSIEH, CHING WEI; 蔣元智 CHIANG, YUAN CHIH; 張瑞娟 CHANG, JUI CHUAN; 蔡永豊 TSAI, YUNG LI
申請人 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
代理人 洪澄文; 顏錦順
優先權 美國 13/679,198 20121116
參考文獻 US2005/0111935A1; US2007/0093071A1; US2010/0135753A1
審查人員 翁佑菱

專利摘要

一種裝載埠,包括一殼體、複數個站及一連接器。複數個站係被界定於殼體之中,用以接收一前開口通用盒。連接器係用以接收一惰性氣體。複數個站之至少一個係從連接器傳遞惰性氣體至前開口通用盒,以淨化前開口通用盒之內部中之水氣。


專利範圍

1.一種裝載埠,包括:一殼體;複數個站,係被界定於該殼體之中,用以接收一前開口通用盒;以及一連接器,係用以接收一惰性氣體;一噴嘴,設置於該些站的至少其中之一,用以自該連接器傳遞該惰性氣體至該前開口通用盒,以淨化該前開口通用盒內部水氣;一控制器,用以控制該噴嘴以調節該惰性氣體之流量,其中該控制器量測該前開口通用盒之一最後淨化之一經過時間,並比較該經過時間與一更新時間,當該經過時間大於該更新時間時,該控制器驅動該噴嘴以容許該惰性氣體流入該前開口通用盒。 2.如申請專利範圍第1項所述之裝載埠,其中,該惰性氣體為氮氣。 3.如申請專利範圍第1項所述之裝載埠,其中,每一該站係用以傳遞該惰性氣體至該前開口通用盒。 4.一種晶圓處理系統,包括:一第一裝載埠,包括:一第一殼體;複數個第一站,係被界定於該第一殼體之中,用以接收一前開口通用盒;以及一第一連接器,係用以接收一惰性氣體;一第一噴嘴,設置於該些第一站的至少其中之一,用以自該第一連接器傳遞該惰性氣體至該前開口通用盒,以淨化該前開口通用盒內部水氣;一蝕刻室,係用以執行一蝕刻製程於一晶圓之上;一第二裝載埠,其中該前開口通用盒由該第一裝載埠被傳送至該第二裝載埠,且該第二裝載埠包括:一第二殼體;複數個第二站,係被界定於該第二殼體之中,用以接收該前開口通用盒;以及一第二連接器,係用以接收該惰性氣體;一第二噴嘴,設置於該些第二站的至少其中之一,用以自該第二連接器傳遞該惰性氣體至該前開口通用盒,以淨化該前開口通用盒內部水氣;一清洗室,係用以執行一清洗製程於該晶圓之上;以及一控制器,用以控制該第一、第二噴嘴以調節該惰性氣體之流量,其中該控制器量測該前開口通用盒之一最後淨化之一經過時間,並比較該經過時間與一更新時間,當該經過時間大於該更新時間時,該控制器驅動該第二噴嘴以容許該惰性氣體流入該前開口通用盒。 5.如申請專利範圍第4項所述之晶圓處理系統,更包括:一第一微型儲存器,包括:一第三殼體;複數個第三站,係被界定於該第三殼體之中,用以接收該前開口通用盒;以及一第二微型儲存器,包括:一第四殼體;複數個第四站,係被界定於該第四殼體之中,用以接收該前開口通用盒;以及一第三連接器,係用以接收該惰性氣體;其中,該等第四站之至少一個係從該第三連接器傳遞該惰性氣體至該前開口通用盒,以淨化該前開口通用盒之內部中之水氣。 6.如申請專利範圍第4項所述之晶圓處理系


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