材料低溫優化方法及其裝置
申請人· 陳柏頴 高雄市鳳山區和德街63巷7號 TW


專利信息

專利名稱 材料低溫優化方法及其裝置
公告號 I529004
公告日 2016/04/11
證書號 I529004
申請號 2014/01/08
國際專利分類號
公報卷期 43-11
發明人 陳柏頴; 陳俋瑾; 陳俋錫
申請人 陳柏頴 高雄市鳳山區和德街63巷7號 TW
代理人
優先權
參考文獻 TW201333243A; US6024801
審查人員 黃子倫

專利摘要

一種材料低溫優化方法及其裝置,主要是在一密閉的本體單元內盛裝預定量之超臨界流體,配合在本體單元內設置一電極單元,電極單元包括一用以承載一待處理材料之正電極件,及一負電極件,且分別電連接一供電單元之正極、負極,藉此不但可利用超臨界流體溶解待處理材料之表面雜質,並配合正、負電極件於通電後,正電極件作為犧牲陽極而對待處理材料進行雜質拔離作用,如此可使待處理材料在低溫就可以進行優化,且結構更加緻密、純化。


專利範圍

1.一種材料低溫優化裝置,包含:一本體單元,包括一殼體,以及一可分離地蓋設於該殼體之蓋體,該殼體與該蓋體並共同界定出一密閉腔室;一流體供應單元,用以使該密閉腔室中盛裝有預定量之一流體;一超臨界催化單元,包括一設置於該本體單元並用以對該密閉腔室內的流體進行加熱作用之加熱器,以及一設置於該本體單元並用以對該密閉腔室內的流體進行加壓作用之加壓器,藉該加熱器之加熱及該加壓器之加壓作用而使該密閉腔室內的流體成為超臨界流體;一供電單元,設置於該本體單元外而用以供應運作所需電力,該供電單元具有一正極與一負極;以及一電極單元,設置於該殼體內且包括一正電極件及一負電極件,該正電極件與該負電極件分別電連接於該供電單元之該正極與該負極,該正電極件並用以承載一待處理材料,藉由所述超臨界流體溶解所述待處理材料表面雜質,同時利用該正電極件與該負電極件之通電,使得所述待處理材料表面進行雜質原子拔離。 2.如請求項1所述的材料低溫優化裝置,其中,所述流體是水。 3.如請求項1所述的材料低溫優化裝置,其中,所述流體是二氧化碳與水之組合。 4.如請求項1所述的材料低溫優化裝置,其中,所述流體是二氧化碳與甲醇之組合。 5.一種材料低溫優化方法,包含:一備置步驟,備置一密閉腔室,並於該密閉腔室內部設置一正電極件及一負電極件,該正電極件與該負電極件分別與一供電單元之一正極與一負極電連接;一第一次超臨界流體清洗步驟,將一待處理材料置於該正電極件上,使該密閉腔室內盛裝有預定量之一超臨界流體,藉由所述超臨界流體溶解所述待處理材料表面雜質;一材料優化步驟,藉由該供電單元供電,使得該正電極件與該負電極件通電,使得所述待處理材料表面進行雜質原子拔離作用;及一第二次超臨界流體清洗步驟,再次利用所述超臨界流體對已經材料優化步驟處理後之所述待處理材料進行表面清潔作業。 6.如請求項5所述的材料低溫優化方法,其中,所述流體是二氧化碳與水之組合。 7.如請求項5所述的材料低溫優化方法,其中,所述流體是二氧化碳與甲醇之組合。


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