汽摩配件 其他頻率元件



  • 晶圓結構以及應用其的功率元件

    公告號:201435988 - 矽力杰股份有限公司 SILERGY CORP. 新北市中和區板南路663號14樓 KY

    1.一種晶圓結構,其特徵在於,包括高濃度摻雜的第一摻雜層以及依次位於該第一摻雜層上的第二摻雜層和第三摻雜層;其中,該第三摻雜層的摻雜濃度大於該第二摻雜層的摻雜濃度。 2.根據申請專利範圍第1項所述的晶圓結構,其中,該第二摻雜層在該第一摻雜層上磊晶生長形成。 3.根據申請專利範圍第1項所述的晶圓結構,

  • 晶圓結構以及應用其的功率元件

    公告號:201435987 - 矽力杰股份有限公司 SILERGY CORP. 新北市中和區板南路663號14樓 KY

    1.一種晶圓結構,其特徵在於,包括:高濃度摻雜的第一摻雜層;依次位於該第一摻雜層上的第二摻雜層和第三摻雜層;其中,該第三摻雜層的摻雜濃度小於該第二摻雜層或為本徵摻雜。 2.根據申請專利範圍第1項所述的晶圓結構,其中,該第二摻雜層的摻雜濃度為均勻分佈或梯度分佈。 3.根據申請專利範圍第1項所述的晶圓結

  • 電瓶組或其他蓄電元件組或多組獨立直流電源之多階複電壓均勻輸出操控電路

    公告號:209922 - 楊泰和 彰化縣溪湖鎮太平街二十九巷三十二號

    1.一種電瓶組或其他蓄電元件組或多組獨立直流電源之多階複電壓均勺輸出 操控電路,為藉著線性或截波固態開關元件以使階級電壓結合線性電壓調整作 連續線性輸出,或由前述截波式固態開閥元件串設於由電瓶組及二極體組所構 成之可切換複電壓輸出上電壓切換開關點之間,形成以固態線件元件作各階電 壓間之電壓調節或以低

  • 具有寶石,鑲飾品或其他應用元件的指針及其固定方法

    公告號:413742 - 伊塔設計製造公司 瑞士

    1.一種指針,特別是用於一時計,包括一具有至少一外殼的平板,在此平板中固定一裝飾元 件或等類之物,其中外殼包含一形成由一黏著帶的底部,該帶之黏著面被接觸與該裝飾元件 。 2.根據申請專利範圍第1項之指針,其中外殼被形成藉由一開口被使正好通過指針之厚度, 開口被封閉藉由被膠合到指針背面的黏著帶。 3.

  • 晶圓結構以及應用其的功率元件

    公告號:I521568 - 矽力杰半導體技術(杭州)有限公司 SILERGY SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY (HANGZHOU) LTD. 中國大陸 CN

    1.一種晶圓結構,其特徵在於,包括:高濃度摻雜的第一摻雜層;依次位於該第一摻雜層上的第二摻雜層和第三摻雜層;其中,該第三摻雜層為本徵層。 2.根據申請專利範圍第1項所述的晶圓結構,其中,該第二摻雜層的摻雜濃度為均勻分佈或梯度分佈。 3.根據申請專利範圍第1項所述的晶圓結構,其中,該第二摻雜層的雜質類

  • 晶圓結構以及應用其的功率元件

    公告號:I524390 - 矽力杰半導體技術(杭州)有限公司 SILERGY SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY (HANGZHOU) LTD. 中國大陸 CN

    1.一種晶圓結構,包括:具有高摻雜濃度的第一摻雜層;位於該第一摻雜層上的第二摻雜層,其中,該第二摻雜層的摻雜濃度少於該第一摻雜層的摻雜濃度,且其中,該第一摻雜層和該第二摻雜層具有相同的摻雜類型;位於該第二摻雜層上的第三摻雜層,其中,該第三摻雜層的摻雜濃度大於該第二摻雜層的該摻雜濃度;在該第三摻雜層中

  • 電子元件工作頻率之監控方法及其監控裝置與電子裝置

    公告號:201305771 - 技嘉科技股份有限公司 GIGA-BYTE TECHNOLOGY CO., LTD. 新北市新店區寶強路6號 TW

    1.一監控裝置,用以控制一電子元件之工作頻率,該監控裝置包含:一偵測模組,電性連接於該電子元件,該偵測模組偵測該電子元件之電流,並產生一電流訊號;以及一控制模組,分別與該偵測模組以及該電子元件電性連接,該控制模組接收該電流訊號並對應產生一控制訊號,且該控制模組傳送該控制訊號至該電子元件,以控制該電子

  • 電子元件工作頻率之監控方法及其監控裝置與電子裝置

    公告號:I446143 - 技嘉科技股份有限公司 GIGA-BYTE TECHNOLOGY CO., LTD. 新北市新店區寶強路6號 TW

    1.一監控裝置,用以控制一電子元件之工作頻率,該監控裝置包含:一偵測模組,電性連接於該電子元件,該偵測模組偵測該電子元件在不同工作頻率下之工作電流,並產生一電流訊號,所述電流訊號包含工作頻率及對應之工作電流;以及一控制模組,分別與該偵測模組以及該電子元件電性連接,該控制模組接收該電流訊號,依據不同工

  • 脈波訊號工作週期改正電路與方法及應用其之頻率合成器

    公告號:200306704 - 威盛電子股份有限公司 VIA TECHNOLOGIES, INC. 臺北縣新店市中正路五三三號八樓

    1.1.一種脈波訊號工作週期改正電路,用以將來自一振盪器之二差動類比週期訊號轉為頻率相同及工作週期為50%之一輸出脈波訊號,而該等差動類比週期訊號之頻率為f,其包含:一第一差動轉單端電路,用以將該二差動類比週期訊號轉為一頻率為f之第一數位脈波訊號;一第二差動轉單端電路,用以將該二差動類比週期訊號轉為

  • 可增加穿透電壓之高壓元件及其與低壓元件製程匹配之製作方法

    公告號:200419658 - 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹市新竹科學工業園區園區三路一二三號

    1.一種可增加穿透電壓之高壓元件,包括有:一半導體矽基底,其表面上定義有一高壓元件區域;一閘極結構,係形成於該高壓元件區域內;一輕摻雜區域,係形成於該閘極結構側邊之該半導體矽基底內;一側壁子,係形成於該閘極結構之側壁上;以及一重摻雜區域,係形成於該側壁子側邊之該輕摻雜區域內;其中,該重摻雜區域與該相

  • 用於光誘導液晶配向之三氮苯環基聚合物、含有該聚合物之液晶配向層、使用該配向層之液晶元件及其製造方法

    公告號:200422384 - LG電線有限公司 LG CABLE LTD. 韓國

  • 用於高遷移率元件的SIGe應變弛豫緩衝層及其製造方法

    公告號:200504835 - 環宇微電中心 INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM 比利時 柯尼克利雅克菲利普電子公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELCTRONICS 荷

    1.一種半導體元件,包括一半導體基片並且在其頂部至少有一薄應變弛豫緩衝層,該薄應變弛豫緩衝層基本上包括由三層構成的堆層,其特徵在於,所述薄應變弛豫緩衝層不是所述半導體元件的有源部分,以及界定所述薄應變弛豫緩衝層的所述三層具有基本上恒定的Ge濃度,所述三層是:-第一外延層Si 1-x Ge x ,x為

  • 强韌性異質接面雙極電晶體功率元件及改善其强韌性的方法

    公告號:200520217 - 穩懋半導體股份有限公司 WIN SEMICONDUCTORS CORP. 桃園縣龜山鄉華亞科技園區科技七路69號

    1.一種改善異質接面雙極電晶體(HBT)功率元件強韌度的方法,其包含下列步驟:a.最佳化功率元件單元中每一個HBT電晶體的崩潰電壓,b.於功率元件單元中每一個HBT電晶體的輸出端使用箝制二極體,以及c.最佳化功率元件單元中每一個HBT電晶體基極所連接之基極壓艙電阻。 2.如申請專利範圍第1項所描述之

  • 格柵區域配置,微影裝置,測試方法,元件製造方法及藉其製造之元件

    公告號:200523687 - ASML荷蘭公司 ASML NETHERLANDS B. V. 荷蘭 ASML控股公司 ASML HOLDING N.V. 荷蘭

    1.一種配置,其包含:一配置於一透鏡之一第一側上之第一組格柵區域,該第一組包括一第一格柵區域及一第二格柵區域;及一配置於該透鏡之一第二側上之第二組格柵區域,該第二側與該第一側大體上光學相對,該第二組包括一第三格柵區域及一第四格柵區域,其中該第一組及該第二組之至少其中之一可相對於另一者移動,且其中在該

  • 具有銅配線之半導體元件及其製造方法

    公告號:200605202 - 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED 日本

    1.一種半導體元件,其包含:一底層基材;一第一層間絕緣膜,其形成在該底層基材上方且係由絕緣材料所製成;一通孔,其形成貫穿第一層間絕緣膜;一傳導插銷,其充填於該通孔內且係由銅或主要由銅所構成之合金所製成;一第二層間絕緣膜,其形成在第一層間絕緣膜上方且係由絕緣材料所製成;一配線凹槽,其形成於第二層間絕緣