汙水處理設備



  • 一種信息處理設備及方法

    公告號:200611136 - 鴻海精密工業股份有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD 臺北縣土城市自由街2號

    1.一種信息處理設備,包括:一記憶體,用於儲存複數檔案及複數圖像,其中該複數檔案按類別進行分組,並按階層方式進行排列,每一圖像對應於一檔案或組;一輸入設備,用於響應使用者操作並發送一控制信號;一處理器,用於使得至少有一組所包含之複數子組或檔案之圖像被散開排列於一虛擬環上,顯示至少一部分該複數子組或檔

  • 電子裝置,控制該電子裝置之方法,資訊處理設備及電腦程式

    公告號:200612305 - 新力股份有限公司 SONY CORPORATION 日本

    1.一種能夠運作為一資訊處理設備之一外部裝置之電子裝置,該電子裝置包含:連接構件,其用於連接至該資訊處理設備;指令處理構件,其用於處理一經由該連接構件自該資訊處理設備發送之指令;一可再充電式電池;充電控制構件,其用於控制該可再充電式電池之一充電操作;及操作模式管理構件,在該連接構件被連接至一具有一電

  • 真空處理設備之真空室

    公告號:200613576 - 優貝克科技股份有限公司 ULVAC, INC. 日本

    1.一種真空室,係配置有基板搬運機器人,其特徵在於真空室係分割為二個或二個以上之部分。 2.如申請專利範圍第1項之真空室,其中:係具有至少有一個或一個以上之蓋。 3.如申請專利範圍第1項及第2項之真空室,其中,真空室之其中一部分係具有基板搬運機器人。 4.如申請專利範圍第1項之真空室,其中,基板運送

  • 於半導體裝置製造中用來處理半導體晶圓的雷射光束處理設備、及其內所執行之雷射光束處理方法、以及藉其所處理之半導體晶圓

    公告號:200616061 - NEC電子股份有限公司 NEC ELECTRONICS CORPORATION 日本

    1.一種雷射光束處理設備,用以處理半導體晶圓(SW),該半導體晶圓上形成有一多層配線結構(MWS)、劃定在半導體晶圓上的一切割線(FSL m 、SSL n )、及形成在該切割線上的至少一對準記號(AM),該雷射光束處理設備包含:一雷射光束產生器系統(60、88),用以產生一雷射光束;一移動系統(12

  • 氮氧化物的處理設備及其處理方法

    公告號:200616707 - 慧群環境科技股份有限公司 ENVIRONMENTAL SCIENCE CORPORATION 臺北市內湖區民權東路6段160號8樓之3

    1.一種氮氧化物(NOx)的處理設備,包括:一混合器;一氧化劑供應單元,與該混合器連接;一氧化劑混合及反應槽,與該混合器連接;一觸媒氧化反應槽,與該氧化劑混合及反應槽連接;以及一濕式洗滌塔,與該觸媒氧化反應槽連接。 2.如申請專利範圍第1項所述之氮氧化物的處理設備,其中該混合器包括一液相混合器、一氣

  • 廢塑膠處理設備

    公告號:200622150 - 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 新竹縣竹東鎮中興路4段195號

    1.一種廢塑膠處理設備,係包括:一用以將含氯之混合廢塑膠進行熔融、脫氯之脫氯裝置;一用以將該脫氯裝置處理後所得之脫氯熔融物進行裂解以產生油氣之裂解反應裝置;一用以將油氣分離成液態油與可燃氣之分離處理裝置;以及一用以將該液態油與可燃氣進行燃燒加熱之燃燒加熱裝置,以將該燃燒加熱裝置產生之加熱氣體導入該脫

  • 基板處理設備之清潔基板及適用於該基板之耐熱性樹脂

    公告號:200621844 - 日東電工股份有限公司 NITTO DENKO CORPORATION 日本

    1.一種基板處理設備之清潔基板,其包括:基板,及在該基板之至少一面上之清潔層,其包括在20℃至150℃下之儲存模數(1 Hz)係5×10 7 Pa至1×10 9 Pa的耐熱性樹脂。 2.如申請專利範圍第1項之基板處理設備之清潔基板,其中該耐熱性樹脂係藉由使四羧酸二酐及作為二胺成分之至少包含一聚醚結構

  • 廢氣排放處理設備

    公告號:200621350 - 力晶半導體股份有限公司 POWERCHIP SEMICONDUCTOR CORP. 新竹市科學工業園區力行一路12號

    1.一種廢氣排放處理設備,其包含有:一減廢系統;一焚化爐;一排氣管,連接至該焚化爐上方;一第一熱交換器,銜接該減廢系統與該焚化爐;一脫附風車,且該脫附風車之入口連接有一第一管路,而該脫附風車之出口端另連接有一第二管路並銜接至該減廢系統;以及一風管,連接該排氣管與該第一管路。 2.如申請專利範圍第1項

  • 具記憶體保護單元的資料處理設備

    公告號:200625080 - ARM股份有限公司 ARM LIMITED 英國

    1.一種用於處理資料的設備,該設備包含:一記憶體,用以儲存資料數值;一記憶體保護單元,可操作以結合記憶體屬性與該記憶體的部份,並識別對應於該記憶體之個別位址範圍的複數記憶體區域,該記憶體保護單元可操作以將該複數記憶體區域中至少一個與一個別記憶體區域說明符結合,該說明符包含一屬性欄位,用於定義結合於該

  • 降低進入燃料電池之空氣中二氧化碳濃度之前處理設備及方法

    公告號:200627698 - 異能科技股份有限公司 臺北市中山區民生東路2段143號5樓

    1.一種降低進入一燃料電池之空氣中二氧化碳濃度之前處理設備,用於供給具有低濃度二氧化碳之空氣至該燃料電池,該前處理設備是與一驅動裝置連接並包含:一吸收劑儲存槽,用以儲存一化學吸收劑;一超重力旋轉混合床,具有一與該吸收劑儲存槽連接之噴灑管以及一與該燃料電池連接之氣體輸出管;及一空氣導入裝置,用以將空氣

  • 電漿處理設備

    公告號:200629987 - 愛德牌工程有限公司 ADVANCED DISPLAY PROCESS ENGINEERING CO., LTD. 韓國

    1.一種具有一處理室之電漿製程設備,其至少包含:一電極部,設於該處理室中且至少包含一底板、一絕緣件、一冷卻板及一下電極依序堆疊以將一基材安置其上;數個絕緣板,分別安裝於該電極部之上表面的側表面及邊緣上;以及數個插入塊,用以在下電極與電極部組裝時壓抵該下電極之側表面,以藉壓配方式安裝下電極。 2.如申

  • 電漿處理設備

    公告號:200629986 - 愛德牌工程有限公司 ADVANCED DISPLAY PROCESS ENGINEERING CO., LTD. 韓國

    1.一種電漿處理設備,其用以使用在一腔室中所產生之電漿,來執行用於一基材之一預設處理,該腔室界定在該電漿處理設備中且維持於真空狀態,該設備至少包含:一電極單元,包括一上電極及一下電極,其分別設置在該腔室之較高及較低部份,且調適成施加高頻功率於該腔室;及一冷却器,其在該上電極之中或在該下電極之中循環一

  • 電漿處理設備

    公告號:200629338 - 愛德牌工程有限公司 ADVANCED DISPLAY PROCESS ENGINEERING CO., LTD. 韓國

    1.一種電漿製程設備,其包括一其中進行一電漿製程之處理室,以及至少一觀測埠,經由該觀測埠可觀察該處理室內部,其中該視野埠至少包含:一孔洞,穿通該處理室;以及一觀測窗,位於該處理室外側之該孔洞的前方,且其可移動以確保視角。 2.如申請專利範圍第1項所述之電漿製程設備,其中該處理室設有一蛇腹部,其位於該

  • 用於以噴墨印刷系統製造彩色濾光片之基材處理設備及方法

    公告號:200628855 - 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC. 美國

    1.一種用於一平板顯示器之一基材的噴墨印刷系統,至少包含:一化學化合物施用組件,其塗敷化學化合物於該平板顯示器之該基材上;一平台與一平台定位系統,其中該平台係支撐該平板顯示器之該基材,其中該平台係移動該平台;以及一噴墨印刷模組,其輸配噴墨於該平板顯示器之該基材上。 2.如申請專利範圍第1項所述之噴墨

  • 基板處理設備及方法

    公告號:200628236 - 蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION 美國

    1.一種基板處理方法,包含:將流體從複數個入口其中一部分處施加至該基板的一表面上;以及從該基板之該表面處移除至少該流體,該移除動作係在將該流體施加至該表面時即加以處理;其中該流體施加步驟與該流體移除步驟會在該基板之該表面上形成一流體新月的一片斷。 2.如申請專利範圍第1項的基板處理方法,更包含:利用