水處理化學品



  • 以使用過氧化物系列處理化學品之高壓流體進行之基板處理方法與系統

    公告號:200704543 - 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本

    1.一種基板之處理方法,包含:將該基板放置到一高壓處理室中用以支撐該基板之一平臺上;藉由調整一流體之壓力使其大於該流體之臨界壓力及調整該流體之溫度使其大於該流體之臨界溫度,而自該流體形成一超臨界流體;將該超臨界流體通入至高壓處理室;將包含一過氧化物之一處理化學品通入至該超臨界流體中;及將該基板暴露於

  • 處理化學實驗室廢氣之複合式水洗箱構造

    公告號:333857 - 禮學社股份有限公司 台北縣樹林鎮中正路二五三巷五號

    一種處理化學實驗室廢氣之複合式水洗箱構造,係在一箱 體內部靠近前方設有一前板,該前板之下方略後側設有一 後板,並使前、後板之交接處予以區隔,於該前板與後板 之後面共同設有相對之二側板,使得後板與箱體之壁面間 形成一氣流室,前板、後板、二側板與箱體二側壁之間分 別形成二個獨立之水洗區,前板與箱體前壁面

  • 預防或處理化學治療劑引發之禿頭的組成物

    公告號:201014614 - 大熊股份有限公司 DAEWOONG CO., LTD. 南韓 KR

    1.一種局部醫藥組成物,用以預防或治療由化學治療劑引發之禿頭,所述局部醫藥組成物包括:由含卵磷脂微脂粒膜製成之奈米微脂粒,其囊封有表皮生長因子。 2.如申請專利範圍第1項所述之局部醫藥組成物,其中所述微脂粒膜所含之卵磷脂是氫化卵磷脂、酯化卵磷脂或其組合。 3.如申請專利範圍第2項所述之局部醫藥組成物

  • 用於UV處理、化學處理與沉積的設備與方法

    公告號:201248757 - 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC. 美國 US

    1.一種處理腔室,包含:一腔室主體,該腔室主體界定一內部空間;一基材支撐件,該基材支撐件設置在該內部空間中;一UV可穿透氣體散佈噴頭,該UV可穿透氣體散佈噴頭設置在該基材支撐件上方;一UV可穿透視窗,該UV可穿透視窗設置在該UV可穿透氣體散佈噴頭上方,其中一氣體空間被形成在該UV可穿透氣體散佈噴頭與

  • 表面處理化學銅製程清洗液中銅的循環利用方法

    公告號:201350626 - 先進資源循環科技有限公司 ARPS INC. 薩摩亞 WS

    1.一種表面處理化學銅製程清洗液中銅的循環利用方法,包括:由一清洗液儲存槽接收來自一清洗槽的一清洗槽清洗液以形成一儲存槽清洗液,且該清洗槽係用以清洗表面處理製程中的一待清洗物件,該儲存槽清洗液包含化學銅的硫酸銅,並包含微小顆粒,氯、有機物、洛捷爾鹽(Rochelle salt)、螯合劑銅錯合物及螯合

  • 表面處理化學銅製程清洗液中銅的循環利用系統

    公告號:201350181 - 先進資源循環科技有限公司 ARPS INC. 薩摩亞 WS

    1.一種表面處理化學銅製程清洗液中銅的循環利用系統,係用以回收並再利用表面處理製程中清洗液所包含的銅資源,該表面處理製程清洗液中銅的資源回收系統包括:一清洗液儲存槽,接收來自一清洗槽的一清洗槽清洗液以形成一儲存槽清洗液,且該清洗槽係用以清洗表面處理製程中的一待清洗物件,該儲存槽清洗液包含硫酸銅、微小

  • 用於處理化學廢料之系統及方法

    公告號:351749 - 色瑪垂克斯公司 美國

    1.一種破壞有機液體化學化合物之方法,其包括下列步驟 :(a)提出一熱氧化器,其中包含一耐熱性材料基體床;( b)給入該液體有機化學化合物及給入空氣到噴佈噴嘴內以 形成該化學化合物的噴佈液滴;(c)將該化學化合物噴佈 液滴加熱到彼等的氣體狀態;及(d)將該化學化合物於維 持在至少1400℉溫度下的該

  • 層疊施用處理化學劑至以纖維為主的平面產物之方法及由其製得之產物

    公告號:537932 - SCA衛生產品公司 德國

    1.一種施用處理化學劑至乾燥縐紋薄紙材料之方法,該方法包含步驟: a)施用含至少一種處理化學劑之第一處理組合物至乾燥縐紋薄紙材料,以製造具有至少一種第一處理化學劑之第一層,及 b)施用含至少一種其他處理化學劑之至少一種其他處理組合物,以在第一層上製造至少一個其他層,該其他層具有至少一種其他處理化學劑

  • 表面處理化學銅製程清洗液中銅的循環利用方法

    公告號:I458861 - 先進資源循環科技有限公司 ARPS INC. 薩摩亞 WS

    1.一種表面處理化學銅製程清洗液中銅的循環利用方法,包括:由一清洗液儲存槽接收來自一清洗槽的一清洗槽清洗液以形成一儲存槽清洗液,且該清洗槽係用以清洗表面處理製程中的一待清洗物件,該儲存槽清洗液包含化學銅的硫酸銅,並包含微小顆粒,氯、有機物、洛捷爾鹽(Rochelle salt)、螯合劑銅錯合物及螯合

  • 表面處理化學銅製程清洗液中銅的循環利用系統

    公告號:I458536 - 先進資源循環科技有限公司 ARPS INC. 薩摩亞 WS

    1.一種表面處理化學銅製程清洗液中銅的循環利用系統,係用以回收並再利用表面處理製程中清洗液所包含的銅資源,該表面處理製程清洗液中銅的資源回收系統包括:一清洗液儲存槽,接收來自一清洗槽的一清洗槽清洗液以形成一儲存槽清洗液,且該清洗槽係用以清洗表面處理製程中的一待清洗物件,該儲存槽清洗液包含硫酸銅、微小

  • 用於UV處理、化學處理與沉積的設備與方法

    公告號:I529834 - 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC. 美國 US

    1.一種處理腔室,包含:一腔室主體,該腔室主體界定一內部空間;一基材支撐件,該基材支撐件設置在該內部空間中;一UV可穿透氣體散佈噴頭,該UV可穿透氣體散佈噴頭設置在該基材支撐件上方;一UV可穿透視窗,該UV可穿透視窗設置在該UV可穿透氣體散佈噴頭上方,其中一氣體空間被形成在該UV可穿透氣體散佈噴頭與

  • 將水處理之化學品引進水流中的裝置及方法

    公告號:544439 - 培芝德朋股份有限公司 美國

    1.一種將水處理之化學品引進入水流中的裝置,該水流在儲水設備內流動前進,該儲水設備僅具有一單一開口用以將化學品引入,該裝置包括: 一第一通心管構件其穿經在儲水設備之一壁板上的開口而安裝,其具有一位在儲水設備之外部的第一入口,一位在儲水設備之內水流前進的路徑中的第一出口及一條在第一入口與第一出口間延伸

  • 僅只進入處理室中之處理用化學品的流量調整

    公告號:200505596 - 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本

    1.一種以流體處理物體之超臨界處理系統所用之設備,包含:用於將處理用化學品注射進入該系統之裝置,該裝置包含啟動以及停止該注射用裝置之裝置;以及用於實質上防止流體再進入該注射用裝置之裝置。 2.如申請專利範圍第1項之以流體處理物體之超臨界處理系統所用之設備,其中該注射用裝置包含在一預定壓力下之注射用裝

  • 處理基板之方法及用於該方法之化學品

    公告號:200520033 - NEC液晶科技股份有限公司 NEC LCD TECHNOLOGIES, LTD. 日本

    1.一種處理有機膜圖案之方法,該有機膜圖案形成於一基板上,包括:一第一步驟,用於移除形成於該有機膜圖案表面之一變質層或一沉積層;以及一第二步驟,用以縮小或移除至少一部份該有機膜圖案。 2.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中僅有該變質層或該沉積層於該第一步驟中被移除。 3.一種處理有機膜圖案之方法,

  • 處理基板之方法及用於該方法之化學品

    公告號:200531134 - NEC液晶科技股份有限公司 NEC LCD TECHNOLOGIES, LTD. 日本

    1.一種處理基板上之有機薄膜圖案的方法,依序包括:一移除步驟,以移除該有機薄膜圖案的一變質層以及一沈積層;以及一融合/變形步驟,以將該有機薄膜圖案融合變形,其中,該移除步驟至少部分是利用一化學品處理該有機薄膜圖案來實現。 2.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中,在該移除步驟中,僅有該變質層或是該沈