積體電路切換器、設計結構及其製造方法 INTEGRATED CIRCUIT SWITCHES, DESIGN STRUCTURE AND METHODS OF FABRICATING THE SAME
申請人· 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國 US


專利信息

專利名稱 積體電路切換器、設計結構及其製造方法
公告號 I529120
公告日 2016/04/11
證書號 I529120
申請號 2010/08/06
國際專利分類號
公報卷期 43-11
發明人 安德森 菲利克斯P ANDERSON, FELIX P.; 麥迪維特 湯瑪士L MCDEVITT, THOMAS L.; 史坦普 安東尼K STAMPER, ANTHONY K.
申請人 萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國 US
代理人 李宗德
優先權 美國 12/548,697 20090827
參考文獻 TWI244512; CN101492149A; US2004/0188785A1; US2006/0066936A1
審查人員 蔣國珍

專利摘要

提供了積體微機電系統(MEMS)切換器、設計結構及這種切換器之製造方法。該方法包括在一切換裝置的一側上形成至少一犧牲材料的凸片,該切換裝置係嵌於該犧牲材料中。該方法另包括透過在該切換裝置之該側上的該至少一凸片上所形成之至少一開口清除該犧牲材料,以及以一覆蓋材料密封該至少一開口。


專利範圍

1.一種製造一半導體結構的方法,包含:直接沉積一犧牲材料於一切換裝置的一接觸電極及一推進電極上;在該切換裝置的一側上形成至少一凸片,該切換裝置係嵌於該犧牲材料中,其中該至少一凸片的形成係藉由有別於沉積該犧牲材料於該接觸電極及該推進電極上的一分開沉積製程來沉積額外犧牲材料於一介電層上;形成該切換裝置於該犧牲材料上,在該至少一凸片的一側有形成該額外犧牲材料;沉積一犧牲材料層在該切換裝置上,在該至少一凸片的該側有形成該額外犧牲材料;在該切換裝置上的該犧牲材料層與有形成該額外犧牲材料的該至少一凸片上方沉積一蓋層;透過在該切換裝置之該側上的該至少一凸片上的該蓋層中所形成之至少一開口清除該犧牲材料,該犧牲材料層及該至少一凸片,其中在該切換裝置的任何部分上方沒有形成用於清除該犧牲材料或該犧牲材料層的開口;以及以一額外層密封該至少一開口。 2.如申請專利範圍第1項之方法,其中形成該至少一凸片的犧牲材料係沉積達低於一懸臂樑之一下側表面的程度,該懸臂樑係形成該切換裝置的一上結構。 3.如申請專利範圍第1項之方法,其中該至少一開口係完全對齊於該至少一凸片上方。 4.如申請專利範圍第1項之方法,其中該犧牲材料為矽,且利用XeF2氣體進行清除。 5.如申請專利範圍第1項之方法,其中該犧牲材料為聚甲基戊二醯亞胺(PMGI),且利用N-甲基-2-吡咯酮(NMP)及/或二甲亞碸(DMSO)系之清除劑進行清除。 6.如申請專利範圍第1項之方法,其中該以該額外層密封該至少一開口係消除了形成該切換裝置的一部分之一懸臂樑的材料變異性。 7.如申請專利範圍第1項之方法,其中該蓋層與該額外層係介電材料。 8.一種用於製造一微機電系統(MEMS)切換器之方法,包含:在由穿過MEMS結構而形成的一通孔所連接、且暫時填以一犧牲材料之一下部與上部凹處中形成該MEMS結構,其中該MEMS結構的形成包含:形成一第一電極層於該犧牲材料的一下層上;形成一第一介電層於該第一電極層上;形成一第二電極層於該第一介電層上;形成一第一絕緣層於該第一電極層的一表面上;以及形成一第二絕緣層於該第二電極層上;形成一第二介電層,其環繞該下部與上部凹處以及該些MEMS結構上方;在該下部凹處上方之該些MEMS結構的一側上、於該第二介電層中開啟一空孔洞;利用一乾式或濕式蝕刻劑清除該犧牲材料,以於該些MEMS結構周圍形成一空洞;以及以一覆蓋材料密封該


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統