半導體元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
申請人· 陳冠群 CHEN, KUANCHUN 臺中市龍井區中沙路新庄仔巷86號 TW


專利信息

專利名稱 半導體元件及其製造方法
公告號 I340441
公告日 2011/04/11
證書號 I340441
申請號 2007/07/20
國際專利分類號
公報卷期 38-11
發明人 陳冠群 CHEN, KUANCHUN
申請人 陳冠群 CHEN, KUANCHUN 臺中市龍井區中沙路新庄仔巷86號 TW
代理人 蔡坤財; 李世章
優先權
參考文獻 TW334606; TW415053; TW558929; TW580743; JP4-113659A; JP6-188516A; JP2004-146819A; US6223429B1; US6597063B1; US7193329B2
審查人員

專利摘要

一種半導體元件及其製造方法。此半導體元件至少包括:一散熱座具有至少一開口穿設於散熱座中;至少一半導體晶粒對應設於散熱座之開口中,其中半導體晶粒具有相對之第一側與第二側;一導電薄膜填設於散熱座之開口之第一深度部分中,且半導體晶粒之第二側嵌設在導電薄膜中;一導熱厚膜填設於散熱座之開口之第二深度部分中,其中導電薄膜與導熱厚膜直接接合;至少一導線電性連接半導體晶粒與一外部電路;以及一封膠體包覆部分之散熱座、半導體晶粒、導線與導電薄膜之暴露部分。


專利範圍

1.一種半導體元件,至少包括:一散熱座,具有至少一開口穿設於該散熱座中;至少一半導體晶粒,對應設於該散熱座之該開口中,其中該半導體晶粒具有相對之一第一側與一第二側;一導電薄膜,填設於該散熱座之該開口之一第一深度部分中,且該半導體晶粒之該第二側嵌設在該導電薄膜中;一導熱厚膜,填設於該散熱座之該開口之一第二深度部分中,其中該導電薄膜與該導熱厚膜直接接合;至少一導線,電性連接該半導體晶粒與一外部電路;以及一封膠體,包覆部分之該散熱座、該半導體晶粒、該導線與該導電薄膜之暴露部分。 2.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該散熱座之材料為單一金屬材料。 3.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該散熱座為一金屬複合層結構,且該金屬複合層結構係由至少一金屬所構成。 4.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該散熱座之材料為金屬材料與非金屬材料之混合材料。 5.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該散熱座係具有導電線路之一載板。 6.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該散熱座之厚度大於100 μm。 7.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該散熱座係一二維結構物。 8.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該散熱座係一三維結構物。 9.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該半導體晶粒為一電子元件,且該電子元件為雙極性電晶體(BJT)、金氧半電晶體(MOS)、互補式金氧半電晶體(CMOS)、或異質接面電晶體。 10.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該半導體晶粒為一積體電路晶片。 11.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該半導體晶粒為一光電晶片,且該光電晶片為發光二極體、雷射二極體、或太陽能電池。 12.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該半導體晶粒之材料為矽系列相關材料、氮化鎵系列相關材料、氮化鋁系列相關材料、磷化鋁鎵銦系列相關材料、硫化鉛系列相關材料、碳化矽系列相關材料、或砷化鎵系列相關材料。 13.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該半導體晶粒之一N型電極與一P型電極均位於該半導體晶粒之該第一側,且該半導體元件具有至少二導線以分別將該N型電極與該P型電極與該外部電路電性連接。 14.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該半導體晶粒之一P型電極與一N型電極分別位於該半導體晶粒之該第一側與該第二側。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統