半導體裝置的製作方法 METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
申請人· 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 TW


專利信息

專利名稱 半導體裝置的製作方法
公告號 I517302
公告日 2016/01/11
證書號 I517302
申請號 2012/04/18
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 施秉嘉 SHIH, PING CHIA
申請人 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 TW
代理人 吳豐任; 戴俊彥
優先權
參考文獻 US6821849B2; US2005/0012135A1; US2005/0145920A1; US2007/0202649A1
審查人員 修宇鋒

專利摘要

一種製作半導體裝置的方法,包括下列步驟。首先,形成二閘極堆疊層於一半導體基底上,接著,形成一材料層於半導體基底上,且材料層覆蓋二閘極堆疊層。然後,移除部分材料層,以於二閘極堆疊層之間形成一犧牲層並於二閘極堆疊層之相對外側分別形成一側壁子。隨後,形成一圖案化遮罩層覆蓋二閘極堆疊層與側壁子並暴露犧牲層,以及去除犧牲層。


專利範圍

1.一種製作半導體裝置的方法,包括:形成二閘極堆疊層於一半導體基底上,其中各該閘極堆疊層包括至少兩閘極層;形成一單層的介電層完全覆蓋且接觸二該閘極堆疊層;形成一材料層於該半導體基底上並覆蓋二該閘極堆疊層與該介電層;移除部分該材料層,以於二該閘極堆疊層之間形成一犧牲層並於二該閘極堆疊層之相對外側分別形成一側壁子;順應性形成一圖案化遮罩層完全覆蓋二該閘極堆疊層與該些側壁子並暴露該犧牲層,其中該圖案化遮罩層之上部為非平面;以及去除該犧牲層。 2.如請求項1所述之製作半導體裝置的方法,另包括:移除該圖案化遮罩層以分別形成一第一閘極結構以及一第二閘極結構,且該第一閘極結構與該第二閘極結構互相鏡射對稱。 3.如請求項2所述之製作半導體裝置的方法,另包括:進行一離子佈植製程,分別於該第一閘極結構與該第二閘極結構兩側的該半導體基底中形成一源極/汲極摻雜區。 4.如請求項1所述之製作半導體裝置的方法,其中各該閘極堆疊層更包括至少一介電層。 5.如請求項1所述之製作半導體裝置的方法,其中該閘極層之材料包括導電材料。 6.如請求項5所述之製作半導體裝置的方法,其中該閘極層之材料包括多晶矽。 7.如請求項1所述之製作半導體裝置的方法,其中該材料層之材料包括導電材料。 8.如請求項1所述之製作半導體裝置的方法,其中移除部分該材料層包括進行一非等向性蝕刻製程。 9.如請求項1所述之製作半導體裝置的方法,其中移除部分該材料層後,形成的該犧牲層完全重疊二該閘極堆疊層之間的半導體基底。 10.如請求項1所述之製作半導體裝置的方法,其中移除部分該材料層後,暴露的介電層位於各二該閘極堆疊層之上方。 11.如請求項1所述之製作半導體裝置的方法,其中該圖案化遮罩層部分覆蓋該犧牲層。 12.如請求項1所述之製作半導體裝置的方法,其中形成該圖案化遮罩層的步驟,包括:形成一遮罩層於該半導體基底上;形成一圖案化光阻層於該遮罩層上;移除部分遮罩層,以形成一開口於該遮罩層,且該開口用於暴露該犧牲層;以及移除該圖案化光阻層。 13.如請求項12所述之製作半導體裝置的方法,其中該開口之一寬度係實質上小於二該閘極堆疊層之間的一間距。 14.如請求項1所述之製作半導體裝置的方法,其中該圖案化遮罩層之材料包括氮化矽。 15.如請求項1所述之製作半導體裝置的方法,其中去除該犧牲層包括進行一濕蝕刻製程。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統