半導體裝置
申請人· 瑞薩電子股份有限公司 RENESAS ELECTRONICS CORPORATION 日本 JP


專利信息

專利名稱 半導體裝置
公告號 201613041
公告日
證書號
申請號 2015/08/13
國際專利分類號
公報卷期 14-07
發明人 錦沢篤志 NISHIKIZAWA, ATSUSHI; 団野忠敏 DANNO, TADATOSHI; 中村弘幸 NAKAMURA, HIROYUKI; 相馬治 SOMA, OSAMU; 上村聖 UEMURA, AKIRA
申請人 瑞薩電子股份有限公司 RENESAS ELECTRONICS CORPORATION 日本 JP
代理人 陳長文
優先權 日本 2014-202416 20140930
參考文獻
審查人員

專利摘要

本發明之目的在於提高半導體裝置之可靠性。 本發明之半導體裝置包含半導體晶片CP1、CP2、複數條引線、複數條導線、及密封其等之密封部。半導體晶片CP1具有焊墊電極P1a、P1b、及電性連接焊墊電極P1a、P1b間之內部配線NH。半導體晶片CP2之焊墊電極P2a與半導體晶片CP1之焊墊電極P1a經由導線BW1電性連接,且半導體晶片CP1之焊墊電極P1b經由導線BW2而電性連接於引線LD1。引線LD1與半導體晶片CP1之間之距離小於引線LD1與半導體晶片CP2之間之距離。且,焊墊電極P1a、P1b及內部配線NH與形成於半導體晶片CP1內之任一者之電路皆未電性連接。


專利範圍


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統