植球製程



  • 半導體裝置之植球製程

    公告號:200822242 - 力成科技股份有限公司 POWERTECH TECHNOLOGY INC. 新竹縣湖口鄉新竹工業區大同路26號

    1.一種半導體裝置之植球製程,包含:提供一助銲劑沾印治具,其一表面係貼附有一軟質印模,且該軟質印模係具有複數個陣列之沾印凸塊;沾附助銲劑於該些沾印凸塊;轉印該些沾印凸塊上之助銲劑至一半導體裝置;設置複數個自由銲球於該半導體裝置,並以轉印之助銲劑沾粘固定;以及回銲該些自由銲球,使其固著在該半導體裝置上

  • 於離子植入製程中使用同位素加濃水平量之摻雜劑氣體組成物之方法

    公告號:I487008 - 普雷瑟科技股份有限公司 PRAXAIR TECHNOLOGY, INC. 美國 US

    1.一種使用加濃的摻雜劑氣體之方法,其包含:在足以維持離子源穩定性之流速下,導入該加濃的摻雜劑氣體,其中該加濃的摻雜劑氣體具有比天然豐度水平量加濃90%或更大之內部同位素水平量;在比對應之較少加濃或未加濃之摻雜劑氣體所利用之總能量水平量相對低之該離子源的總能量水平量下操作;及使該加濃之摻雜劑氣體離子

  • 植入製程的熱調整

    公告號:I451482 - 瓦里安半導體設備公司 VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. 美國 US

    1.一種在離子植入製程期間將基底中不需要的次摻質最小化的方法,包括:a.在所述離子植入製程的第一部分期間,在第一溫度下將分子離子植入所述基底,其中在所述分子離子與所述基底碰撞之下,所述分子離子分解為所需的主要摻質與所述不需要的次摻質;以及b.在所述離子植入製程的第二部分期間,增加該基底的溫度,使得所

  • 針對圖案化碟片媒材之電漿離子植入製程期間的基材溫度控制方法

    公告號:I449036 - 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC. 美國 US

    1.一種於一電漿離子植入製程期間控制一基材溫度的方法,包含下列步驟:(a)於一處理腔室中,供應一植入能量以在一基材上進行一第一時段之一電漿離子植入製程的一第一部份,該基材具有形成於其上之一磁性敏感層(magnetically susceptible layer),其中該基材之一溫度被維持在低於約攝氏

  • 堆疊式動態隨機存取記憶體電容之單邊離子植入製程

    公告號:I433274 - 華亞科技股份有限公司 INOTERA MEMORIES, INC. 桃園縣龜山鄉復興三路667號 TW

    1.一種堆疊式動態隨機存取記憶體電容之單邊離子植入製程,包括下列步驟:形成一堆疊結構於一半導體基板上;間隔地蝕刻貫穿該堆疊結構而形成數個溝槽;在該堆疊結構上表面及該些溝槽底部分別形成一導電金屬板,並在該些導電金屬板上表面及該些溝槽內側壁形成一導電氮化物膜,且在該導電氮化物膜表面形成一氧化物膜;形成一

  • 電漿沈浸離子植入製程

    公告號:I375260 - 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC. 美國 US

    1.一種用以藉由一電漿沈浸離子植入製程將離子植入到一基板內的方法,至少包含:提供一基板至一處理腔室內;在該腔室內從一氣體混合物產生一電漿,其中該氣體混合物包括一反應氣體與一還原氣體;以及將來自該電漿的離子植入到該基板內。2.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該反應氣體包括BF3、B2 H6、B

  • 基板針柵陣列植針製程

    公告號:I355701 - 日月光半導體(上海)股份有限公司 中國大陸 CN

    1.一種基板針柵陣列植針製程,其包含:進行一針腳整列步驟,其係將複數個針腳整列於一立針腳治具之複數個差排孔中,各該針腳係具有一頭端部及一相對於該頭端部之尾端部;進行一第一翻轉步驟,其係先設置一具有複數個對位孔之對位板於該立針腳治具上,而各該對位孔係對應各該差排孔,之後翻轉該立針腳治具及該對位板,以使

  • 植絨製程

    公告號:I326317 - 旭順企業股份有限公司 FORMOSA FLOCK INDUSTRIAL CO., LTD. 臺北市大安區安和路2段7號9樓之1 TW

    1.一種植絨製程,包括:提供一基材,其中該基材之表面已形成有一黏著層;將一束纖維切成多個絨毛纖維,其中每一絨毛纖維具有至少二成份;進行一靜電植絨步驟,以使該些絨毛纖維植於該基材表面的該黏著層上;對該些絨毛纖維進行一開纖步驟,以使每一絨毛纖維開纖成多個細緻絨毛。2.如申請專利範圍第1項所述之植絨製

  • 薄膜植入製程用正型光阻組成物及光阻圖案之形成方法

    公告號:I315447 - 東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. 日本 JP

    1.一種薄膜植入製程用正型光阻組成物,其為含有(A)具有酸解離性溶解抑制基,經由酸之作用而增大鹼溶解性之樹脂成份,與(B)經由放射線照射產生酸之酸產生劑成份,與(C)具有放射線吸收能之化合物,其特徵為前述樹脂成份(A)為含有,(a1)羥基苯乙烯所衍生之結構單位,與(a2)前述結構單位(a1)之羥基的

  • 超導元件及其植佈製程

    公告號:I314207 - 張復佳 CHANG, FU-CHIA 臺北市松山區健康路325巷19弄2號4樓 蕭永仁 SHIAO, YUNG-JEN 新竹市明湖路446之6號4樓

    1.一種植佈製程,用以在超導元件內部植佈骨料,其特徵至少包括下列步驟: 沖製步驟:準備導熱性金屬板材料,將其沖製出一下殼體和一上蓋體模型,及在該上蓋體頂部沖製有一注料孔; 塑型步驟:以金屬粉末在該下殼體和上蓋體內側表面塑成一薄膜胚型,及兩者之間的若干定點上塑成若干凸柱胚型; 燒結步驟:加熱使該薄膜胚

  • 離子植入製程中防止晶圓表面受微塵粒子撞擊方法

    公告號:I256697 - 漢辰科技股份有限公司 ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY INC. 新竹市東區埔頂路18號9樓之4

    1.一種離子植入製程中防止晶圓表面受微塵粒子撞擊方法,係用於解決整批式離子植入晶圓表面時受微塵粒子撞擊造成缺陷的問題,使晶圓的離子植入面始終不會在轉盤系統旋轉時面對微塵粒子的撞擊,其方式包括: 將晶圓表面的法線向離子束逆時針方向傾斜定為正傾斜角植入,晶圓表面的法線向離子束順時針方向傾斜定為負傾斜角植

  • 判斷基板之離子植入狀態與離子植入製程之穩定性的方法

    公告號:I235423 - 茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC. 新竹市新竹科學工業園區力行路19號3樓

    1.一種判斷基板之離子植入狀態的方法,適用於至少包括第一與第二植入步驟的離子植入製程,其中該第一植入步驟之能量與劑量較高,且該方法係用以判斷經過該第一植入步驟之該基板是否亦已經過該第二植入步驟,包括: 在該第一植入步驟之後,對該基板之至少一選定區域進行回火;以及 當有需要判斷該基板是否已經過該第二植

  • LED數字顯示器之植PIN製程改良

    公告號:592023 - 晶興電子有限公司 JOINSCAN ELECTRONICS CO., LTD. 臺北縣汐止市新台五路一段七十九號四樓之五

    1.一種LED數字顯示器之植腳製程改良,其製程係包括:取材、裸線電鍍捲繞、穿引整捲電鍍線材、自動導引植孔、裁切;令取用之針腳基材直接採整捲裸線抽出電鍍,並於電鍍錫之後仍捲收成一整捲狀,再取對應LED數字顯示器針腳相同數量之鍍錫線捲,將其線頭一一引入自動植PIN機內,藉由機器自動導線操作,令所有線頭皆

  • 形成半導體孔洞與接觸窗的方法以及離子植入製程

    公告號:548710 - 旺宏電子股份有限公司 新竹市新竹科學園區力行路十六號

    1.一種形成半導體孔洞的方法,適於在一光阻層中形成複數個孔洞,包括: 利用一第一光罩對該光阻層進行第一次曝光,其中該第一光罩的圖案係對角的複數個第一多邊形圖案,且該些第一多邊形圖案以一第一排列方向分別旋轉一固定角度; 利用一第二光罩對該光阻層進行第二次曝光,其中該第二光罩係對角的複數個第二多邊形圖案

  • 銲球製程

    公告號:533521 - 日月光半導體製造股份有限公司 高雄市楠梓區加工出口區經三路二十六號

    1.一種銲球製程,適用於製作至少一銲球於一晶圓上,其中該晶圓具有一主動表面、一保護層及至少一銲球墊,而該保護層及該銲球墊均配置於該晶圓之該主動表面,且該保護層係暴露出該銲球墊,其中該晶圓更具有一應力緩衝層及至少一球底金屬層,而該球底金屬層係配置於該銲球墊之上,且該應力緩衝層係配置於該保護層之上,並暴