具有內部整流器之憶阻接面 MEMRISTIVE JUNCTION WITH INTRINSIC RECTIFIER
申請人· 惠普研發公司 HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. 美國 US


專利信息

專利名稱 具有內部整流器之憶阻接面
公告號 I517465
公告日 2016/01/11
證書號 I517465
申請號 2010/07/09
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 楊錦華 YANG, JIANHUA; 史翠程 約翰P STRACHAN, JOHN PAUL; 皮奇特 馬修D PICKETT, MATTHEW D.
申請人 惠普研發公司 HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. 美國 US
代理人 惲軼群; 陳文郎
優先權 世界智慧財產權組織 PCT/US09/50277 20090710
參考文獻 US6127914; US2003/0173612A1; US2008/0079029A1
審查人員 許智誠

專利摘要

一憶阻接面可包含一第一電極及第二電極,一憶阻區域位於其間。該憶阻區域組態為經由施加於該等電極之間的一切換電壓而在二激活狀態之間切換。該激活狀態可藉由在該第一電極與第二電極之間施加一讀取電壓來確定。該接面進一步包含一整流器區域,位於該第一電極與該憶阻區域之間的一介面處,且包含一層感溫過渡材料,該感溫過渡材料在該切換電壓下實質上是電導性的且在該讀取電壓下實質上是電阻性的。


專利範圍

1.一種具有內在整流作用的憶阻接面,包含:一第一電極;一第二電極;一憶阻區域,位於該第一電極與該第二電極之間,且組配來經由施加於該第一電極與該第二電極之間的一切換電壓而在二激活狀態之間切換,且其中該激活狀態可藉由在該第一電極與該第二電極之間施加一讀取電壓來決定;及一整流器區域,配置於介於該第一電極與該憶阻區域之間的一介面處且包含一層感溫過渡材料,該感溫過渡材料在一切換溫度或在一切換溫度以上實質上是導電性的,且在該切換溫度以下實質上是電阻性的,其中施加的該切換電壓係用來使該感溫過渡材料達到該切換溫度。 2.如申請專利範圍第1項所述之憶阻接面,其中該感溫過渡材料為釩、錳、鉬、鈦及鐵中至少一者的氧化物。 3.如申請專利範圍第2項所述之憶阻接面,其中該感溫過渡材料為二氧化釩。 4.如申請專利範圍第1項所述之憶阻接面,其中該憶阻區域包含一含有移動摻雜物的半導體材料。 5.如申請專利範圍第4項所述之憶阻接面,其中該半導體材料擇自於氧化鈦、氧化鉿、氧化鋯、鈦酸鍶及氮化鎵。 6.如申請專利範圍第4項所述之憶阻接面,其中該等移動摻雜物擇自於由帶電的空位、陰離子、陽離子或其組合所組成的群組。 7.如申請專利範圍第1項所述之憶阻接面,其中該切換電壓具有一大約1.0V至大約2.5V的量值大小。 8.如申請專利範圍第1項所述之憶阻接面,其中該讀取電壓具有一大約0.01V至大約0.8V的量值大小。 9.一種憶阻接面陣列,包含:一層底線,彼此大致平行排列;一層頂線,與該等底線大致垂直排列且在多數個相交點處覆蓋該等底線,及一如申請專利範圍第1項所述之憶阻接面,位於每一相交點處,使得該第一電極電氣連接至該等底線中的一底線,且該第二電極電氣連接至該等頂線中的一頂線。 10.一種製造憶阻接面的方法,包含:在一基板上積設一第一電極;在該第一電極上積設一層感溫過渡材料,其在一切換溫度時或在一切換溫度以上能夠呈現一導電狀態,且在該切換溫度以下能夠呈現一電阻狀態;在該層感溫過渡材料上積設一層憶阻材料以產生一憶阻區域;及在該層憶阻材料上積設一第二電極。 11.如申請專利範圍第10項所述之方法,其中該感溫過渡材料為釩、錳、鉬、鈦及鐵中至少一者的氧化物。 12.如申請專利範圍第11項所述之方法,其中該感溫過渡材料為二氧化釩。 13.如申請專利範圍第10項所述之方法,其中該憶阻區域包含一含有移動摻雜物的半導體材料。 1


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