具增強的遊離及RF功率耦合的低電阻率鎢PVD LOW RESISTIVITY TUNGSTEN PVD WITH ENHANCED IONIZATION AND RF POWER COUPLING
申請人· 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC. 美國 US


專利信息

專利名稱 具增強的遊離及RF功率耦合的低電阻率鎢PVD
公告號 I517390
公告日 2016/01/11
證書號 I517390
申請號 2011/06/09
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 高勇 CAO, YONG; 鄧賢明 TANG, XIANMIN; 干德可塔史林尼維斯 GANDIKOTA, SRINIVAS; 王偉D WANG, WEI D.; 劉振東 LIU, ZHENDONG; 摩拉斯凱文 MORAES, KEVIN; 拉許德幕哈瑪德M RASHEED, MUHAMMAD M.; 尼古言善X NGUYEN, THANH X.; 朱普迪安恩克斯納 JUPUDI, ANANTHKRISHNA
申請人 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC. 美國 US
代理人 蔡坤財; 李世章
優先權 美國 61/353,554 20100610
參考文獻 TW387094; TW200605164; US5842158; US2009/0275207A1
審查人員 趙芝婷

專利摘要

本案所述實施例提供一種半導體元件以及形成該半導體元件之方法與設備。該半導體元件包含一基板及一閘極電極堆疊,該基板具有源極區與汲極區,並且該閘極電極堆疊位在介於源極區和汲極區之間的基板上。該閘極電極堆疊包含位於閘極介電層上的導電膜層、位於該導電膜層上的耐火金屬氮化物膜層、位於該耐火金屬氮化物膜層上的含矽膜層以及位於該含矽膜層上的鎢膜層。在一實施例中,該方法包含使基板置於處理腔室中,其中該基板包含源極區及汲極區、位於該源極區與汲極區之間的閘極介電層以及位於該閘極介電層上的導電膜層。該方法亦包含於該導電膜層上沉積耐火金屬氮化物膜層、於該耐火金屬氮化物膜層上沉積含矽膜層以及於該含矽膜層上沉積鎢膜層。


專利範圍

1.一種電漿處理腔室,包含:一靶材,該靶材具有一第一表面及一第二表面,該第一表面與一處理區域接觸,並且該第二表面為該第一表面之相反面;一射頻或直流功率供應器,該功率供應器耦接至該靶材;一接地擋板,該接地擋板至少部分地包圍該處理區域的一部分,並且該接地擋板電性耦接(electrically couple)至一接地端且熱耦接(thermally couple)一加熱器;一基板支撐件,該基板支撐件具有一基板接收表面,該基板接收表面設置於該靶材下方,該基板支撐件更包含一電極,該電極設置在該基板接收表面之下方;一蓋環;一沉積環,該沉積環設置在該基板支撐件之一部份的上方,;一基座接地組件,該基座接地組件設置在該基板支撐件之下方,並且該基座接地組件包含一板,該板具有一U形部位,該U形部位延伸在一基板支撐組件與該接地擋板的一環支撐部位之間;以及一磁控管,該磁控管設置成鄰近該靶材之該第二表面,其中該磁控管包含:一外側磁極,該外側磁極包含複數個磁體;以及一內側磁極,該內側磁極包含複數個磁體,其中該外側磁極與該內側磁極形成一封閉迴路式磁控管之組件,其中該外側磁極與該內側磁極各自建立一磁場,且其中藉由該外側磁極所產生之該磁場與藉由該內側磁極所產生之該磁場的比值係介於約1.56至約0.57之間。 2.如請求項1之電漿處理腔室,其中藉由設置於該內側磁極中之該複數個磁體所產生的該磁場係大於藉由設置於該外側磁極中之該複數個磁體所產生的該磁場。 3.如請求項1之電漿處理腔室,其中該電極提供一射頻功率偏壓給該基板支撐件。 4.如請求項1之電漿處理腔室,其中該接地擋板係一單件。 5.如請求項4之電漿處理腔室,其中該接地擋板具有複數個孔,該複數個孔貫穿該環支撐部位。 6.如請求項1之電漿處理腔室,其中藉由該外側磁極所產生之該磁場與藉由該內側磁極所產生之該磁場的比值係介於約1.15至約0.93之間。 7.如請求項6之電漿處理腔室,其中該封閉迴路式磁控管於大約該靶材之中心處置中。 8.如請求項7之電漿處理腔室,其中封閉迴路式磁控管徑向對稱。 9.如請求項8之電漿處理腔室,其中該外側磁極與該內側磁極之該等磁體繞著一第一軸對稱分佈,且繞著一第二軸非對稱分佈。 10.如請求項8之電漿處理腔室,其中該外側磁極包括34個磁體,而該內側磁極包括60個磁體。 11.如請求項1之電漿處理腔室,其中該靶材與該接地擋板由一隔離件


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