用於無線應用之高功率半導體裝置及用以形成高功率半導體裝置之方法 HIGH POWER SEMICONDUCTOR DEVICE FOR WIRELESS APPLICATIONS AND METHOD OF FORMING A HIGH POWER SEMICO
申請人· 飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 美國 US


專利信息

專利名稱 用於無線應用之高功率半導體裝置及用以形成高功率半導體裝置之方法
公告號 I517350
公告日 2016/01/11
證書號 I517350
申請號 2009/12/15
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 鮑雷 珍M BOULAY, JEAN MARIE; 葛漢南 阿雅德 GHANNAM, AYAD
申請人 飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 美國 US
代理人 惲軼群; 陳文郎
優先權 世界智慧財產權組織 PCT/IB2008/055675 20081216
參考文獻 US3093805; US3969752; US5559363
審查人員 董柏昌

專利摘要

一高功率半導體裝置,其用於無線應用,在功率大於5瓦特下操作,其包含:一半導體基板,該半導體基板包括該高功率半導體裝置的一主動區域;在該半導體基板上形成的提供與該高功率半導體裝置之該主動區域之接觸的接觸區;覆蓋該半導體基板的一部分而形成的一電介質層;用以將一外部的連接提供給該高功率半導體裝置的一引線;及在該半導體基板上形成的且在該高功率半導體裝置之該主動區域與該引線之間的一阻抗匹配網路。該阻抗匹配網路包括導線,該等導線在該電介質層上形成。該等導線被耦接至該等接觸區以提供與該主動區域之該等接觸區之高功率連接,且具有用於阻抗匹配之一預定的電感。


專利範圍

1.一種高功率半導體裝置,其用於無線應用,在功率大於5瓦特下操作,其包含:包含一半導體材料之一半導體基板,該半導體基板包括該高功率半導體裝置的一作動區域;接觸區,其在該半導體基板上形成,提供與該高功率半導體裝置之該作動區域之接觸;一電介質層,其於該半導體基板的一部分上方形成;一引線,其用以將一外部的連接提供給該高功率半導體裝置;一阻抗匹配網路,其在該半導體基板上形成,在該高功率半導體裝置之該作動區域與該引線之間,其中該阻抗匹配網路包括形成於該電介質層上且耦接至該等接觸區的導線,以提供與該作動區域之該等接觸區之高功率連接,該等導線具有用於阻抗匹配之一預定電感。 2.如申請專利範圍第1項所述之高功率半導體裝置,其中該等導線具有一Q因數,其在功率大於5瓦特且在2GHz下操作的裝置中大於40,其中該等導線中的至少一導線之該預定電感小於1毫微亨利。 3.如申請專利範圍第1或2項所述之高功率半導體裝置,其中該等導線在該作動區域之該等接觸區與該引線之間延伸。 4.如申請專利範圍第1或2項所述之高功率半導體裝置,其中該阻抗匹配網路進一步包含於該半導體基板上在該引線與該等接觸區之間形成的另一阻抗匹配組件,其中該等導線至少在該等接觸區與該阻抗匹配組件之間延伸。 5.如申請專利範圍第4項所述之高功率半導體裝置,其中該阻抗匹配組件包括一電容器,該電容器在該半導體基板上形成。 6.如申請專利範圍第1或2項所述之高功率半導體裝置,其中各該導線配置成具有於該電介質層上方延伸的一預定形狀,其中該預定形狀係選定以最佳化鄰近導線之間的耦合,以便控制該等導線之該電感且提供該預定電感。 7.如申請專利範圍第1或2項所述之高功率半導體裝置,其中該等導線於該半導體基板的一上表面的一部分上方延伸且不超出該半導體基板之該上表面之外而延伸。 8.如申請專利範圍第1或2項所述之高功率半導體裝置,其進一步包含經過該電介質層延伸至該等接觸區的傳導區,用以將該等導線耦接至該等接觸區。 9.如申請專利範圍第1或2項所述之高功率半導體裝置,其進一步包含一屏蔽層,該屏蔽層在該半導體基板與該電介質層之間形成。 10.如申請專利範圍第9項所述之高功率半導體裝置,其進一步包含一傳導層,該傳導層在該半導體基板的一底表面上形成,且其中該屏蔽層耦接至該傳導層。 11.如申請專利範圍第1或2項所述之高功率半導體裝置,其中該等導線中的至少一導線


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