高效率矽控整流裝置 SILICON-CONTROLLED RECTIFICATION DEVICE WITH HIGH EFFICIENCY
申請人· 晶焱科技股份有限公司 AMAZING MICROELECTRONIC CORP. 新北市中和區中正路736號6樓之6 TW


專利信息

專利名稱 高效率矽控整流裝置
公告號 I517348
公告日 2016/01/11
證書號 I517348
申請號 2013/08/06
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 陳東暘 CHEN, TUNG YANG; 彭政傑 PENG, JAMES JENG JIE; 吳偉琳 WU, WOEI LIN; 姜信欽 JIANG, RYAN HSIN CHIN
申請人 晶焱科技股份有限公司 AMAZING MICROELECTRONIC CORP. 新北市中和區中正路736號6樓之6 TW
代理人 林火泉
優先權
參考文獻 TW200941721A; TW201203507A
審查人員 謝靜旻

專利摘要

本發明係揭露一種高效率矽控整流裝置,其係包含一P型區域,此係圍繞一N型區域。N型區域中設有一第一P型重摻雜區,其係連接一高電壓端。複數第二N型重摻雜區設於N型區域中。複數第二P型重摻雜區較第一N型重摻雜區更接近第二N型重摻雜區,並設於P型區域中。至少一第三N型摻雜區設於P型區域中,且連接一低電壓端。此外,一者為第二N型重摻雜區位於P型區域中,另一者為第二P型重摻雜區位於N型區域中,此二條件可選擇性或同時滿足之。


專利範圍

1.一種高效率矽控整流裝置,包含:一P型基板;一N型井區,其係設於該P型基板中;一第一P型重摻雜區,其係設於該N型井區中,並連接一高電壓端;至少一第一N型重摻雜區,其係設於該N型井區中,並連接該高電壓端;複數第二N型重摻雜區,其係均勻地設於該N型井區中,該些第二N型重摻雜區與該第一N型重摻雜區位於該第一P型重摻雜區之外圍;複數第二P型重摻雜區,其係均勻地設於該P型基板中,並較該第一N型重摻雜區更接近該些第二N型重摻雜區,且均勻地設於該N型井區之外側;以及至少一第三N型重摻雜區,其係設於該P型基板中,並連接一低電壓端,該些第二P型重摻雜區設於該第三N型重摻雜區與該N型井區之間,該些第二N型重摻雜區與該些第二P型重摻雜區係符合第一條件、第二條件或此二者,該第一條件為該些第二N型重摻雜區向該第三N型重摻雜區延伸,並設於該P型基板中,該第二條件為該些第二P型重摻雜區向該第一P型重摻雜區延伸,並設於該N型井區中。 2.如請求項1所述之高效率矽控整流裝置,其中該第一N型重摻雜區之數量為二,該第三N型重摻雜區之數量為二。 3.如請求項1所述之高效率矽控整流裝置,其中該些第二N型重摻雜區沿該N型井區之側壁排成一行,該些第二P型重摻雜區沿該N型井區之該側壁排成一行。 4.如請求項1所述之高效率矽控整流裝置,其中該第三N型重摻雜區之二端向該N型井區延伸,以縮短介於該第三N型重摻雜區與該N型井區之寬度。 5.一種高效率矽控整流裝置,包含:一N型基板;一P型井區,其係設於該N型基板中,以圍繞該N型基板之一N型區域;一第一P型重摻雜區,其係設於該N型區域中,並連接一高電壓端;至少一第一N型重摻雜區,其係設於該N型區域中,並連接該高電壓端;複數第二N型重摻雜區,其係均勻地設於該N型區域中,該些第二N型重摻雜區與該第一N型重摻雜區位於該第一P型重摻雜區之外圍;複數第二P型重摻雜區,其係均勻地設於該P型井區中,並較該第一N型重摻雜區更接近該些第二N型重摻雜區,且均勻地設於該N型區域之外側;以及至少一第三N型重摻雜區,其係設於該P型井區中,並連接一低電壓端,該些第二P型重摻雜區設於該第三N型重摻雜區與該N型區域之間,該些第二N型重摻雜區與該些第二P型重摻雜區係符合第一條件、第二條件或此二者,該第一條件為該些第二N型重摻雜區向該第三N型重摻雜區延伸,並設於該P型井區中,該第二條件為該些第二P型重摻雜區


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