光半導體裝置
申請人· 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本 JP


專利信息

專利名稱 光半導體裝置
公告號 I517454
公告日 2016/01/11
證書號 I517454
申請號 2010/08/17
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 今澤克之 IMAZAWA, KATSUYUKI; 柏木努 KASHIWAGI, TSUTOMU
申請人 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2009-188967 20090818
參考文獻 TWI302387B; TWM343242U; TW200903859A
審查人員 董柏昌

專利摘要

本發明提供一種經密封樹脂所密封,特別係在硫化氣體環境下之反射效率之耐久性優異之光半導體裝置。 一種光導體裝置,其係在與引線框架一體成形之杯狀之預成型封裝內部,光半導體元件之電極經由導電性接著劑或導電性線材而連接至前述引線框架,進行實裝並將前述預成型封裝內部以密封樹脂進行密封之光半導體裝置,其特徵為前述引線框架係以具有中心線平均粗度(Ra):0.3μm以下且十點平均粗度(Rz):2μm以下之表面之鍍銀所被覆。


專利範圍

1.一種光半導體裝置,其係在於內部底面配置有引線框架且一體成形之杯狀之預成型封裝內部處,將光半導體元件之電極經由導電性接著劑或導電性線材而連接前述引線框架,且將光半導體元件予以實裝之同時,將前述預成型封裝內部以密封樹脂而密封;其中前述引線框架係以具有中心線平均粗度(Ra):0.3μm以下且十點平均粗度(Rz):2μm以下之表面之鍍銀所被覆者;該密封樹脂係由加成硬化型聚矽氧樹脂組成物之硬化物所構成,該加成硬化型聚矽氧樹脂組成物係將下述(A)~(C)成分作為必須成分;(A)包含下述一般式(1)所示有機聚矽氧烷之具有非共價鍵性雙鍵基之有機矽化合物R 1 R 2 R 3 SiO-(R 4 R 5 SiO)a-(R 6 R 7 SiO)b-SiR 1 R 2 R 3 (1)式中,R 1 表示含有非共價鍵性雙鍵基之一價烴基、R 2 ~R 7 各自表示同種或異種之一價烴基,0≦a+b≦500,0≦a≦500,0≦b≦250之整數;(B)一分子中具有與矽原子結合之氫原子2個以上之有機氫聚矽氧烷;(C)鉑系觸媒。 2.如請求項1之光半導體裝置,其中引線框架之材質為銅或銅系合金。 3.如請求項1或2之光半導體裝置,其中在前述加成硬化型聚矽氧樹脂組成物中,成分(A)之有機聚矽氧烷為選自下述式之有機聚矽氧烷,上述式中,k、m係為滿足5≦k+m≦500之整數,滿足0≦m/(k+m)≦0.5之整數)。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統