高頻放大器 HIGH FREQUENCY AMPLIFIER
申請人· 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP


專利信息

專利名稱 高頻放大器
公告號 I517560
公告日 2016/01/11
證書號 I517560
申請號 2012/08/03
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 高木一考 TAKAGI, KAZUTAKA
申請人 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2011-250470 20111116
參考文獻 TW200533096; US6342815B1; US7525385B2; US7953997B2
審查人員 陳佳韶

專利摘要

按照其中一個實施形態,係提供一種高頻放大器,其具有:分配電路、FET胞、安定化電路及合成電路。分配電路將所輸入之輸入訊號分配成複數個訊號。FET胞將藉由前述分配電路而分配之前述訊號予以放大。前述安定化電路具有RC並聯電路,其在前述分配電路與前述FET胞的閘極端子之間分別以串聯連接,且由各個電容器與電阻所構成。前述合成電路將藉由前述FET胞而放大之訊號予以合成。


專利範圍

1.一種高頻放大器,其特徵為,具備:分配電路,將輸入之輸入訊號分配成複數個訊號;FET胞,將藉由前述分配電路所分配之前述訊號予以放大;安定化電路,其具有RC並聯電路,該RC並聯電路在前述分配電路與前述FET胞的閘極端子之間分別以串聯連接,且由各個電容器與電阻所構成;及合成電路,將藉由前述FET胞所放大之訊號予以合成;前述安定化電路係具備:介電體之電路基板;形成於該電路基板上之第1電極;形成於該第1電極上之介電體層,而前述電阻係分別形成於該介電體層上;第2電極,形成於前述介電體層上,與前述第1電極及前述介電體層共同構成各個前述電容器;及第3電極,形成於通孔上,而該通孔係形成於前述介電體層,以將前述電阻與前述第1電極予以電性連接。 2.如申請專利範圍第1項之高頻放大器,其中,前述FET胞與前述RC並聯電路,分別以導線連接。 3.如申請專利範圍第1項之高頻放大器,其中,前述安定化電路,係配置在與配置有前述FET胞之半導體基板不同之其他基板上。 4.如申請專利範圍第1項之高頻放大器,其中,前述分配電路、前述安定化電路、及前述合成電路,係配置在與配置有前述FET胞之半導體基板不同之各個其他基板上。 5.如申請專利範圍第4項之高頻放大器,其中,前述分配電路與前述安定化電路,係配置在與配置有前述FET胞之半導體基板不同之同一個其他基板上。 6.一種高頻放大器,其特徵為,具備:分配電路,將輸入之輸入訊號分配成複數個訊號;FET胞,將藉由前述分配電路所分配之前述訊號予以放大;安定化電路,其具有RC並聯電路,該RC並聯電路在前述分配電路與前述FET胞的閘極端子之間分別以串聯連接,且由各個電容器與電阻所構成;及合成電路,將藉由前述FET胞所放大之訊號予以合成;前述分配電路與前述安定化電路,係配置在與配置有前述FET胞之半導體基板不同之同一個其他基板上,前述合成電路,係配置在與配置有前述FET胞之半導體基板不同之其他基板上,且前述安定化電路係具備:介電體之電路基板;形成於該電路基板上之電阻體;形成於前述電路基板上之電容器,該電容器係由:第1電極、形成於該第1電極上之絕緣層、以及形成於該介電體層上之第2電極,所構成;線路,將前述電阻體的一端與前述第1電極予以電性連接;及線路,將前述電阻體的另一端與前述第2電極予以電性連接。 7.如申請專利範圍第3項之高頻放大器,其中,與前述半導體基板不同之其


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統