可防止電子溢流之Ⅲ-Ⅴ族發光二極體 Ⅲ-Ⅴ NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODE FOR AVOIDANCE OF ELECTRON OVERFLOW
申請人· 南臺科技大學 SOUTHERN TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 臺南市永康區南台街1號 TW


專利信息

專利名稱 可防止電子溢流之Ⅲ-Ⅴ族發光二極體
公告號 I517438
公告日 2016/01/11
證書號 I517438
申請號 2013/03/29
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 王俊凱 WANG, CHUN KAI; 邱裕中 CHIOU, YU ZUNG; 蔣宗勳 CHIANG, TSUNG HSUN; 洪峻棋 HUNG, CHUN CHI; 簡瑋辰 JIAN, WEI CHEN; 向勁齊 HSIANG, CHIN CHI
申請人 南臺科技大學 SOUTHERN TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 臺南市永康區南台街1號 TW
代理人 陳豐裕
優先權
參考文獻 TW201312790A; TW201312792A; US6462358B1
審查人員 林昆賢

專利摘要

本發明係有關於一種可防止電子溢流之Ⅲ-V族發光二極體,主要係在主動層與第二半導體層之間加入一層與第二半導體層不同型之Ⅲ-V族的電子減速層,以減緩電子注入主動區的速率,並且可讓電子在注入主動區前散佈較為平均,防止電子溢流,達到飽和電流改善的效果,使未來LED操作在大電流下的效率轉換大大提升,減少大功率使用下所導致效率下滑。


專利範圍

1.一種可防止電子溢流之Ⅲ-V族發光二極體,其由上而下依序包括:第二半導體層、電子減速層、主動層、阻障層、第一半導體層、反射鏡層、接合層以及基板,並在該第一半導體層之表面,利用蒸鍍或濺鍍方式沉積第二金屬電極,該電子減速層選用與第二半導體層主要載子不同型之半導體材料。 2.如申請專利範圍第1項所述之可防止電子溢流之Ⅲ-V族發光二極體,其中,第一半導體層為p型半導體層,第二半導體層為n型半導體層;第二金屬電極為n型金屬電極。 3.一種可防止電子溢流之Ⅲ-V族發光二極體,其結構由上而下分別為第一半導體層、阻障層、主動層、電子減速層、第二半導體層、未摻雜半導體層、緩衝層以及基板,於該第一半導體層及該第二半導體層裸露之表面,利用蒸鍍或濺鍍方式分別沉積第一金屬電極及第二金屬電極,該電子減速層選用與第二半導體層主要載子不同型之半導體材料。 4.如申請專利範圍第3項所述之可防止電子溢流之Ⅲ-V族發光二極體,其中,第一半導體層為p型半導體層,第二半導體層為n型半導體層;第一金屬電極為p型金屬電極,第二金屬電極為n型金屬電極。 5.如申請專利範圍第2或4項所述之可防止電子溢流之Ⅲ-V族發光二極體,其中,該電子減速層為塊材、異質結構層或超晶格結構層其中之一。 6.如申請專利範圍第5項所述之可防止電子溢流之Ⅲ-V族發光二極體,其中,該半導體材料為氮化鎵、氮化鋁鎵或氮化鋁銦鎵其中之一。 7.如申請專利範圍第6項所述可防止電子溢流之Ⅲ-V族發光二極體,其中,該電子減速層厚度介於1奈米至1000奈米之間。 8.如申請專利範圍第2或4項所述之可防止電子溢流之Ⅲ-V族發光二極體,其中,基板之材質係選自藍寶石基板、半導體基板或金屬基板其中之一,該半導體基板為矽半導體基板、碳化矽半導體基板、砷化鎵半導體基板或氧化鋅半導體基板其中之一。 9.如申請專利範圍第1或3項所述可防止電子溢流之Ⅲ-V族發光二極體,其中,該電子減速層為塊材、異質結構層或超晶格結構層其中之一。 10.如申請專利範圍第9項所述可防止電子溢流之Ⅲ-V族發光二極體,其中,該電子減速層厚度介於1奈米至1000奈米之間。


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