奈米碳纖維形成用構造體、奈米碳纖維構造體及其製造方法以及奈米碳纖維電極 CARBON NANOFIBER FORMING STRUCTURE, CARBON NANOFIBER STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME AND C
申請人· 藤倉股份有限公司 FUJIKURA LTD. 日本 JP


專利信息

專利名稱 奈米碳纖維形成用構造體、奈米碳纖維構造體及其製造方法以及奈米碳纖維電極
公告號 I529121
公告日 2016/04/11
證書號 I529121
申請號 2012/09/14
國際專利分類號
公報卷期 43-11
發明人 稻熊正康 INAGUMA, MASAYASU
申請人 藤倉股份有限公司 FUJIKURA LTD. 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2011-201181 20110914
參考文獻 TW200301785A; JP2004-281388A; JP2010-248007A; US2003/0203139A1
審查人員 黃尹珊

專利摘要

本發明是具備:含氧離子傳導性氧化物的基材,及設在基材的一面側的金屬觸媒之奈米碳纖維形成用構造體。


專利範圍

1.一種奈米碳纖維形成用構造體,係具備:基材,其係含氧離子傳導性氧化物;及金屬觸媒,其係設在前述基材的一面側。 2.如申請專利範圍第1項之奈米碳纖維形成用構造體,其中,在前述基材的前述一面與前述金屬觸媒之間更具備由金屬氧化物所構成的金屬氧化物層。 3.如申請專利範圍第1或2項之奈米碳纖維形成用構造體,其中,前述金屬氧化物為氧化鋁。 4.如申請專利範圍第2項之奈米碳纖維形成用構造體,其中,前述金屬氧化物層的至少一部分的厚度為0.5~10nm。 5.如申請專利範圍第4項之奈米碳纖維形成用構造體,其中,前述金屬氧化物層的至少一部分的厚度為1~8nm。 6.如申請專利範圍第4或5項之奈米碳纖維形成用構造體,其中,前述金屬氧化物層的一部分係以具有0.5~10nm的厚度,彼此被設成離開的複數個薄壁部所構成,剩下的部分係以具有大於10nm的厚度的厚壁部所構成。 7.如申請專利範圍第1項之奈米碳纖維形成用構造體,其中,前述金屬觸媒係被直接設於前述基材的一面上。 8.如申請專利範圍第1或2項之奈米碳纖維形成用構造體,其中,前述金屬觸媒為由V,Mo,Fe,Co,Ni, Pd,Pt,Rh,Ru及W所構成的群來選擇的至少1種。 9.一種奈米碳纖維構造體,係在如申請專利範圍第1~8項中的任一項所記載之奈米碳纖維形成用構造體上,藉由化學氣相成長法來供給含碳的原料氣體而使奈米碳纖維成長。 10.如申請專利範圍第9項之奈米碳纖維構造體,其中,對前述奈米碳纖維形成用構造體,從與前述金屬觸媒相反側的面供給含有氧分子的氣體,而使奈米碳纖維成長,藉此取得。 11.一種奈米碳纖維構造體,係具備:如申請專利範圍第1~8項中的任一項所記載之奈米碳纖維形成用構造體;及奈米碳纖維集合層,其係於前述奈米碳纖維形成用構造體的前述基材的前述一面側設成至少使前述金屬觸媒介於與前述一面之間,使沿著離開前述一面的方向來配向的複數條奈米碳纖維集合而成,藉由被前述複數條的奈米碳纖維包圍來形成具有0.3~7μm的孔徑的孔,在前述奈米碳纖維集合層中,前述孔的總面積相對於前述奈米碳纖維集合層之中與前述基材相反側的端面的外表的面積,為1%以上,未滿40%。 12.如申請專利範圍第11項之奈米碳纖維構造體,其中,前述奈米碳纖維的長度要比前述孔的前述孔徑的最大值更大。 13.如申請專利範圍第11或12項之奈米碳纖維構造體,其中,前述孔為貫通孔


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統