背接式太陽電池製造方法 MANUFACTURING METHOD OF BACK CONTACT SOLAR CELL
申請人· 韓華石油化學股份有限公司 HANWHA CHEMICAL CORPORATION 南韓 KR


專利信息

專利名稱 背接式太陽電池製造方法
公告號 I517423
公告日 2016/01/11
證書號 I517423
申請號 2012/12/20
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 鄭邘元 JUNG, WOO WON; 趙在億 CHO, JAE EOCK; 李弘九 LEE, HONG GU; 徐世永 SEO, SE YOUNG; 玄德煥 HYUN, DEOC HWAN; 李龍和 LEE, YONG HWA; 金剛逸 KIM, GANG IL
申請人 韓華石油化學股份有限公司 HANWHA CHEMICAL CORPORATION 南韓 KR
代理人 周良謀; 周良吉
優先權 南韓 KR10-2011-0140698 20111223 南韓 KR10-2012-0084073 20120731
參考文獻 TW200933918A; TW201041172A; CN101124681A; CN101889349A; US2011/0290323A1; WO2011/081336A2
審查人員 蕭乃仁

專利摘要

本發明提供一種背接式太陽電池的製造方法,該方法包括:a)形成穿過第一導電類型之半導體基板的二相對表面之穿孔;b)將第二導電類型之雜質摻雜至半導體基板的表面中以形成第二導電類型之層;c)在二相對表面其中之一上形成蝕刻光阻圖案以覆蓋穿孔的開口部;d)利用蝕刻光阻圖案作為蝕刻遮罩來選擇性蝕刻半導體基板的一表面,從而移除存在於其上不形成該蝕刻光阻圖案之該半導體基板的一表面上之第二導電類型之層的一部份;以及e)部份蝕刻存在於相對半導體基板的一表面之半導體基板的另一表面上之第二導電類型之層,從而控制存在於半導體基板的另一表面上之第二導電類型之層中的雜質濃度。


專利範圍

1.一種背接式太陽電池的製造方法,該方法包含:a)形成穿過第一導電類型之半導體基板的二相對表面之穿孔;b)將第二導電類型之雜質摻雜至該半導體基板的表面中以形成第二導電類型之層;c)在該二相對表面其中之一上形成蝕刻光阻圖案以覆蓋該穿孔的開口部;d)利用該蝕刻光阻圖案作為蝕刻遮罩來選擇性蝕刻該半導體基板之一表面,從而移除存在於其上不形成該蝕刻光阻圖案之該半導體基板的一表面上之該第二導電類型之層的一部份;以及e)部份蝕刻存在於相對該半導體基板的一表面上之該半導體基板的另一表面上之該第二導電類型之層,從而控制存在於該半導體基板的另一表面上之該第二導電類型之層中該雜質的濃度。 2.如申請專利範圍第1項之背接式太陽電池的製造方法,更包含f)藉由在該半導體基板的一表面上形成鈍化膜、以及在該半導體基板的另一表面上形成抗反射膜而形成介電層;g)藉由在一表面上部份塗佈用於蝕刻該鈍化膜之蝕刻糊來部份移除該鈍化膜,從而露出藉由該選擇性蝕刻而移除該第二導電類型之層之該半導體基板的一區域;以及h)藉由在該半導體基板的一表面上形成與該半導體基板之該露出區域連接的第一電極、以及與經由穿透之第二導電類型之層連接的第二電極來形成電極。 3.如申請專利範圍第1項之背接式太陽電池的製造方法,其中表面階梯高度係形成在藉由該選擇性蝕刻移除該第二導電類型之層而露出之該半導體基板的一表面、與該蝕刻光阻圖案下方之該第二導電類型之層之間。 4.如申請專利範圍第1項之背接式太陽電池的製造方法,其中在該摻雜中所形成之該第二導電類型之層具有10~40Ω/sq.的片電阻,且其中在該部份蝕刻中,在該半導體基板的另一表面上所形成之該第二導電類型之層係部份移除以具有30~150Ω/sq.的片電阻。 5.如申請專利範圍第1項之背接式太陽電池的製造方法,其中該部份蝕刻係藉由乾蝕刻來實施。 6.如申請專利範圍第5項之背接式太陽電池的製造方法,其中在該穿孔的內表面上所形成之該第二導電類型之層的厚度係藉由該部份蝕刻而加以控制。 7.如申請專利範圍第5項之背接式太陽電池的製造方法,其中在該穿孔的內表面上所形成之該第二導電類型之層的厚度係藉由該部份蝕刻而從該半導體基板的一表面往該半導體基板的另一表面縮減。 8.如申請專利範圍第5項之背接式太陽電池的製造方法,更包含:在該部份蝕刻後,利用美國無線電公司(RCA,radio corporation


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統