光電轉換裝置及其製造方法 PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
申請人· 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP


專利信息

專利名稱 光電轉換裝置及其製造方法
公告號 I517422
公告日 2016/01/11
證書號 I517422
申請號 2011/06/16
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 堅石李甫 KATAISHI, RIHO; 西田治朗 NISHIDA, JIRO; 栗城和貴 KURIKI, KAZUTAKA
申請人 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2010-139999 20100618
參考文獻 TW200729241A; TW201007818A; CN1147156A; US2004/0200520A1; US2008/0006319A1; US2009/0223562A1
審查人員 楊子賢

專利摘要

提供一種具有新的抗反射結構的光電轉換裝置。在半導體表面上使相同種類或不同種類的半導體成長來形成凹凸結構,而不是藉由蝕刻半導體基板或半導體膜的表面來形成抗反射結構。例如,藉由在光電轉換裝置的光入射表面一側設置其表面具有多個突出部分的半導體層,大幅度減小表面反射。該結構可以藉由氣相成長法形成,因此不污染半導體。


專利範圍

1.一種光電轉換裝置,包括:包含第一部份及第二部份的導電層;該導電層的該第一部份上的第一導電型的晶體半導體區域;該第一導電型的晶體半導體區域上的第二導電型的晶體半導體區域;以及連接至該導電層的該第二部份的電極,其中,該第一導電型的晶體半導體區域包括多個鬚狀物,該多個鬚狀物具有賦予該第一導電型的雜質元素,該第一導電型的晶體半導體區域由於該多個鬚狀物而具有凹凸表面,該第二導電型與該第一導電型彼此相反。 2.一種光電轉換裝置,包括:包含第一部份及第二部份的導電層;該導電層的該第一部份上的第一導電型的晶體半導體區域;該第一導電型的晶體半導體區域上的第二導電型的晶體半導體區域;以及連接至該導電層的該第二部份的電極,其中,該第二導電型的晶體半導體區域包括多個鬚狀物,該多個鬚狀物具有賦予該第二導電型的雜質元素,該第二導電型的晶體半導體區域由於該多個鬚狀物而具有凹凸表面,該第二導電型與該第一導電型彼此相反。 3.根據申請專利範圍第1或2項之光電轉換裝置,其中該多個鬚狀物的軸方向為該導電層的法線方向。 4.一種光電轉換裝置,包括:包含第一部份及第二部份的導電層;層疊在該導電層的該第一部份上的第一導電型的晶體半導體區域及第二導電型的晶體半導體區域;以及連接至該導電層的該第二部份的電極,其中,該第一導電型的晶體半導體區域包括:具有賦予該第一導電型的雜質元素的晶體半導體區域;以及設置在該晶體半導體區域上且具有晶體半導體的多個鬚狀物,其中該多個鬚狀物具有賦予該第一導電型的雜質元素。 5.根據申請專利範圍第1、2及4項中任一項之光電轉換裝置,其中該第一導電型的晶體半導體區域是n型半導體區域和p型半導體區域中的一個,該第二導電型的晶體半導體區域是該n型半導體區域和該p型半導體區域中的另一個。 6.一種光電轉換裝置,包括:包含第一部份及第二部份的導電層;層疊在該導電層的該第一部份上的第一導電型的晶體半導體區域、第二導電型的晶體半導體區域、第三導電型的半導體區域、本質的半導體區域及第四導電型的半導體區域;以及連接至該導電層的該第二部份的電極,其中,該第一導電型的晶體半導體區域包括:晶體半導體區域;以及設置在該晶體半導體區域上且具有晶體半導體的多個鬚狀物,該第四導電型的半導體區域的表面為凹凸形狀。 7.根據申請專利範圍第4或6項之光電轉換裝置,其中該第一導電型的晶體半導體區域的表面為凹凸形狀。 8.根


類似專利

公告號 專利名稱 申請人
I514595 光電轉換裝置及其製造方法 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
I514598 光電轉換裝置及其製造方法 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
I514599 光電轉換裝置及其製造方法 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
I511277 光電轉換裝置及其製造方法 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP
I508318 光電轉換裝置及其製造方法 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
I500178 光電轉換裝置及其製造方法 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
I487096 光電轉換裝置及其製造方法 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本 JP
I482301 光電轉換裝置及其製造方法、太陽電池以及靶材 富士軟片股份有限公司 FUJIFILM CORPORATION 日本 JP
I476936 光電轉換裝置及其製造方法 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
I462310 光電轉換裝置及其製造方法 三菱重工業股份有限公司 MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD. 日本 JP
I453901 光電轉換裝置及其製造方法與半導體裝置 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
I452703 光電轉換裝置及其製造方法 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
I381535 色素增感型光電轉換裝置及其製造方法 新力股份有限公司 SONY CORPORATION 日本 JP
I295507 光電轉換裝置及其製造方法 三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD. 日本
I254450 光電轉換裝置及其製造方法 佳能股份有限公司 CANON KABUSHIKI KAISHA 日本
I238527 光電轉換裝置及其製造方法 夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA 日本
I229457 色素增感型光電轉換裝置及其製造方法 新力股份有限公司 SONY CORPORATION 日本
513783 光電轉換裝置及其製造方法 佳能股份有限公司 日本
490849 光電轉換裝置及其製造方法 日本電氣股份有限公司 日本

專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統