半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE
申請人· 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP


專利信息

專利名稱 半導體裝置
公告號 I517388
公告日 2016/01/11
證書號 I517388
申請號 2011/03/24
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI
申請人 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2010-086407 20100402
參考文獻 TWI241864; CN101621076A; US2005/0199960A1; US2010/0032668A1
審查人員 毛弘瑋

專利摘要

本發明的目的之一是使包括氧化物半導體的半導體裝置具有穩定的電特性以使其具有高可靠性。一種半導體裝置,包括:絕緣膜;在絕緣膜上與該絕緣膜接觸的第一金屬氧化物膜;其一部分與第一金屬氧化物膜接觸的氧化物半導體膜;與氧化物半導體膜電連接的源極電極及汲極電極;其一部分與氧化物半導體膜接觸的第二金屬氧化物膜;在第二金屬氧化物膜上與該第二金屬氧化物膜接觸的閘極絕緣膜;以及閘極絕緣膜上的閘電極。


專利範圍

1.一種半導體裝置,包括:基板上的第一金屬氧化物膜;該第一金屬氧化物膜上且與其接觸的氧化物半導體膜;與該氧化物半導體膜接觸的源極電極及汲極電極;該氧化物半導體膜上且與其接觸的第二金屬氧化物膜;該第二金屬氧化物膜上且與其接觸的第一絕緣膜;以及該第一絕緣膜上的閘電極,其中,通道寬度方向上該氧化物半導體膜被該第一金屬氧化物膜及該第二金屬氧化物膜圍繞。 2.一種半導體裝置,包括:基板上的第一金屬氧化物膜;該第一金屬氧化物膜上且與其接觸的氧化物半導體膜;與該氧化物半導體膜接觸的源極電極及汲極電極;該氧化物半導體膜上且與其接觸的第二金屬氧化物膜;該第二金屬氧化物膜上且與其接觸的第一絕緣膜;以及該第一絕緣膜上的閘電極,其中,通道寬度方向上該氧化物半導體膜被該第一金屬氧化物膜及該第二金屬氧化物膜圍繞,及其中,每一該第一金屬氧化物膜及該第二金屬氧化物膜含有該氧化物半導體膜的構成金屬元素的之一或更多。 3.一種半導體裝置,包括:基板上的第二絕緣膜;該第二絕緣膜上且與其接觸的第一金屬氧化物膜;該第一金屬氧化物膜上且與其接觸的氧化物半導體膜;與該氧化物半導體膜接觸的源極電極及汲極電極;該氧化物半導體膜上且與其接觸的第二金屬氧化物膜;該第二金屬氧化物膜上且與其接觸的第一絕緣膜;及該第一絕緣膜上的閘電極,其中,通道寬度方向上該氧化物半導體膜被該第一金屬氧化物膜及該第二金屬氧化物膜圍繞,其中,每一該第一金屬氧化物膜及該第二金屬氧化物膜含有該氧化物半導體膜的構成金屬元素的之一或更多,及其中,該第二絕緣膜含有氧化鋁。 4.一種半導體裝置,包括:基板上的第二絕緣膜;該第二絕緣膜上且與其接觸的第一金屬氧化物膜;該第一金屬氧化物膜上且與其接觸的氧化物半導體膜;與該氧化物半導體膜接觸的源極電極及汲極電極;該氧化物半導體膜上且與其接觸的第二金屬氧化物膜;及該第二金屬氧化物膜上的第一絕緣膜;其中,通道寬度方向上該氧化物半導體膜被該第一金屬氧化物膜及該第二金屬氧化物膜圍繞,其中,每一該第一金屬氧化物膜及該第二金屬氧化物膜含有該氧化物半導體膜的構成金屬元素的之一或更多,及其中,每一該第一絕緣膜及該第二絕緣膜含有氧化鋁。 5.根據申請專利範圍第1至4項中任一項所述的半導體裝置,其中,每一該第一金屬氧化物膜及該第二金屬氧化物膜含有鎵。 6.根據申請專利範圍第1至4項中任一項所述的半導體裝置,其中,每一該第一金屬氧化物膜


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統