電阻式記憶體感測元件 RESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY SENSOR ELEMENT
申請人· 長庚大學 CHANG GUNG UNIVERSITY 桃園市龜山區文化一路259號 TW


專利信息

專利名稱 電阻式記憶體感測元件
公告號 I517466
公告日 2016/01/11
證書號 I517466
申請號 2013/04/12
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 賴朝松 LAI, CHAO SUNG; 王哲麒 WANG, JER CHYI; 葉毓仁 YE, YU REN
申請人 長庚大學 CHANG GUNG UNIVERSITY 桃園市龜山區文化一路259號 TW
代理人 黃孝惇
優先權
參考文獻 WO2012/017424A1; Chen et al.,"A CMOS-compatible poly-Si nanowire device with hybrid sensor/memory characteristics for system-on-chip applications", Sensors Vol. 12, 2012, pp. 3952-3963)摘要,圖1(a)、1(b)、2(b)、2(c),第3954頁
審查人員 孫建文

專利摘要

本發明揭露一種電阻式記憶體感測元件,包含:第一電極;絕緣層,具有第一凹槽設置在第一電極上;電阻轉換層,設置在絕緣層之一表面及在第一凹槽之一內表面上以形成一第二凹槽;第二電極,設置在絕緣層及第二凹槽內;感測薄膜,設置在第二電極上且具有一第三凹槽以曝露出第二電極之部份表面;以及一光阻層,設置在該感測薄膜上且具有第四凹槽以曝露出該感測薄膜之部份表面及一第五凹槽係對準於該第二凹槽以曝露出該第二電極之部份表面。


專利範圍

1.一種電阻式記憶體感測元件之形成方法,包含:提供一基板以形成第1電極;形成一第一氧化層在該基板上以形成一絕緣層,其中該絕緣層係為具有高介電常數之氧化層;形成一第一圖案化光阻層在該第一氧化層上以定義出該電阻式記憶體元件面積;蝕刻以移除部份該第一氧化層以形成一第一凹槽在該基板上、且曝露出該基板之部份表面;形成一第二氧化層在該第一氧化層之一表面上且在該第一凹槽之一內表面上,並且在該第一凹槽上形成一第二凹槽以形成一電阻轉換層,其中該電阻轉換層係為具有高介電常數之氧化層;沉積一金屬層在該第一氧化層上且填滿該第二凹槽以形成第2電極;形成一第三氧化層在該金屬層上以形成一感測薄膜,其中該感測薄膜係為具有高介電常數之氧化層;形成一第二圖案化光阻層在該第三氧化層上,使得在該第三氧化層上定義該電阻式記憶體之一電極區域;蝕刻以移除部份第三氧化層以形成一第三凹槽且曝露出該金屬層之部份表面,其中該第三凹槽不對準於該第二凹槽;形成一第三圖案化光阻層在該第三氧化層上以定義一感測元件面積;以及蝕刻以移除部份該第三圖案化光阻層以形成一第四凹槽及一第五凹槽,其中該第四凹槽曝露出該第三氧化層之部份表面以及該第五凹槽係對準於該第三凹槽且曝露出該金屬層之部份表面,藉以形成一保護層。 2.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該基板為矽基板。 3.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該第一氧化層、該第二氧化層及該第三氧化層之材料係由氧化鍺及二氧化矽群組中所選出。 4.一種電阻式記憶體感測元件,包括:一第一電極;一絕緣層,具有一第一凹槽設置在該第一電極上;一電阻轉換層,設置在該絕緣層及在該第一凹槽之表面上以形成一第二凹槽;一第二電極,設置在該電阻轉換層上及該第二凹槽內,其中該第二電極之材料係由鉑及鎢群組中所選出;一感測薄膜,具有一第三凹槽設置在該第二電極上且曝露出該第二電極之部份表面;以及一保護層,設置在該感測薄膜上且具有一第四凹槽對應該第二凹槽以曝露出該感測薄膜之部份表面,以及一第五凹槽係對準於該第三凹槽,以曝露出該第二電極之部份表面。 5.如申請專利範圍第4項所述之電阻式記憶體感測元件,其中該第一電極係為一矽基板。 6.如申請專利範圍第4項所述之電阻式記憶體感測元件,其中該絕緣層係為具有高介電常數之氧化層。 7.如申請專利範圍第4項所述之電阻式記憶體感測元件,其中該絕緣層之材料係由氧化鍺及二氧化矽群組中所選出


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統