具有部分嵌埋型解耦合電容之半導體晶片 Semiconductor Chip with Partially Embedded Decoupling Capacitors
申請人· 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. 新竹市新竹科學園區研新一路十六號


專利信息

專利名稱 具有部分嵌埋型解耦合電容之半導體晶片
公告號 200409370
公告日
證書號
申請號 2002/11/27
國際專利分類號
公報卷期 02-11
發明人 施慶章 SHIH, CHING CHANG;涂俊安 TU, CHUN AN;許宗旗 HSU, TSUNG CHI;林蔚峰 LIN, WEI FENG;呂明圜 LU, MING HUAN
申請人 矽統科技股份有限公司 SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. 新竹市新竹科學園區研新一路十六號
代理人 許峻榮
優先權
參考文獻
審查人員

專利摘要

一種部分嵌埋型解耦合電容,設置成半導體晶片之一積合部分,用以降低delta–I雜訊。半導體晶片包括複數個嵌埋的金屬層、一鈍化層,形成於複數個嵌埋的金屬層上方作為半導體晶片之最頂層、以及複數個焊墊,放置於鈍化層上。一表面平面型金屬圖案形成於鈍化層上且經由複數個焊墊中之一個或打開於鈍化層上的一通孔而電連接至複數個嵌埋的金屬層中之一層。表面平面型金屬圖案得連接至半導體晶片之電源層或接地層。因而,部分嵌埋型解耦合電容係以表面平面型金屬圖案作為一電極、以複數個嵌埋的金屬層之其他層作為相反電極、且以夾在其間的鈍化層作為一介電層所組成。既然連接於複數個嵌埋的金屬層中之一層,表面平面型金屬圖案更作為一散熱器,用以直接從半導體晶片之內部散熱。


專利範圍

1.一種部分嵌埋型解耦合電容,用以降低delta-I雜訊,使用於一半導體晶片中,該半導體晶片包括複數個嵌埋的金屬層、一鈍化層,形成於該複數個嵌埋的金屬層上方作為該半導體晶片之一最頂層、以及複數個焊墊,配置於該鈍化層上,該電容包含:一表面平面型金屬圖案,形成於該鈍化層上且電連接至該複數個嵌埋的金屬層中之一層,其中:該表面平面型金屬圖案作為該解耦合電容之一電極、該複數個嵌埋的金屬層中之其他層之至少一層作為該解耦合電容之另一電極、並且該鈍化層作為該解耦合電容之一介電層,且該表面平面型金屬圖案更作為一散熱器,用以經由該複數個嵌埋的金屬層中之電連接至該表面平面型金屬圖案之該一層而直接從該半導體晶片之內部散熱。 2.如申請專利範圍第1項之部分嵌埋型解耦合電容,其中該表面平面型金屬圖案係經由該複數個焊墊中之一個而電連接至該複數個嵌埋的金屬層中之該一層。 3.如申請專利範圍第1項之部分嵌埋型解耦合電容,其中:該半導體晶片更包括一通孔,打開在該鈍化層上之分離於該複數個焊墊之位置處,該通孔向下穿過該鈍化層以露出該複數個嵌埋的金屬層中之一層,並且該表面平面型金屬圖案覆蓋且填滿該通孔,以電連接至該複數個嵌埋的金屬層之該露出層。 4.如申請專利範圍第1項之部分嵌埋型解耦合電容,其中該複數個嵌埋的金屬層中電連接至該表面平面型金屬圖案之該一層係該半導體晶片之一電源層。 5.如申請專利範圍第1項之部分嵌埋型解耦合電容,其中該複數個嵌埋的金屬層中電連接至該表面平面型金屬圖案之該一層係該半導體晶片之一接地層。 6.一種半導體晶片,包含:複數個嵌埋的金屬層;一鈍化層,形成該複數個嵌埋的金屬層上方,作為該半導體晶片之一最頂層;複數個焊墊,配置於該鈍化層上;以及一部分嵌埋型解耦合電容,用以降低delta-I雜訊,包含一表面平面型金屬圖案,形成於該鈍化層上且電連接至該複數個嵌埋的金屬層中之一層,其中該表面平面型金屬圖案作為該解耦合電容之一電極、該複數個嵌埋的金屬層中之其他層之至少一層作為該解耦合電容之另一電極、並且該鈍化層作為該解耦合電容之一介電層,且該表面平面型金屬圖案更作為一散熱器,用以經由該複數個嵌埋的金屬層中之電連接至該表面平面型金屬圖案之該一層而直接從該半導體晶片之內部散熱。 7.如申請專利範圍第6項之半導體晶片,其中該表面平面型金屬圖案係經由該複數個焊墊中之一個而電連接至該複數個嵌埋的金屬層中之該


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統