一種半導體元件及其製作方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
申請人· 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 TW


專利信息

專利名稱 一種半導體元件及其製作方法
公告號 I517303
公告日 2016/01/11
證書號 I517303
申請號 2011/05/12
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 洪慶文 HUNG, CHING WEN
申請人 聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 TW
代理人 吳豐任; 戴俊彥
優先權
參考文獻 US2008/0006884A1; US2009/0209078A1
審查人員 許勝宗

專利摘要

本發明較佳實施例是揭露一種半導體元件,其包含一基底,該基底上具有一區域;一閘極結構設於該基底上之該區域;以及一墊高磊晶層設於該閘極結構兩側之該基底中,其中該墊高磊晶層之表面與該閘極結構之表面齊平。


專利範圍

1.一種半導體元件,包含:一基底,該基底上具有一區域以及一表面,該基底中具有一淺溝隔離;一閘極結構設於該基底上之該區域及該表面上;以及一墊高磊晶層設於該閘極結構兩側之該基底中,其中該墊高磊晶層之表面與該閘極結構之表面齊平並突出於該基底之該表面。 2.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該區域包含一PMOS區域且該墊高磊晶層包含鍺化矽。 3.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該區域包含一NMOS區域且該墊高磊晶層包含碳化矽。 4.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該墊高磊晶層包含金屬矽化物。 5.如申請專利範圍第4項所述之半導體元件,其中該金屬矽化物之表面與該閘極結構之表面齊平。 6.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該閘極結構包含一金屬閘極。 7.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該閘極結構包含一多晶矽閘極。 8.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件,其中該閘極結構包含一側壁子。 9.一種製作半導體元件的方法,包含:提供一基底,該基底上具有一區域以及一表面,該基底中具有一淺溝隔離;形成一閘極結構於該區域上及該表面上;形成一墊高磊晶層於該閘極結構兩側之該基底中;形成一介電層並覆蓋該閘極結構及該墊高磊晶層;以及利用一平坦化製程去除部分該介電層及部分該閘極結構,使該閘極結構表面與該墊高磊晶層之表面齊平。 10.如申請專利範圍第9項所述之方法,其中該閘極結構包含一多晶矽閘極結構。 11.如申請專利範圍第9項所述之方法,其中該區域包含一PMOS區域且該墊高磊晶層包含鍺化矽。 12.如申請專利範圍第9項所述之方法,其中該區域包含一 NMOS區域且該墊高磊晶層包含碳化矽。 13.如申請專利範圍第9項所述之方法,其中形成該閘極結構之後另包含:形成一側壁子於該閘極結構之側壁;形成一源極/汲極於該閘極結構兩側之該基底;形成一遮蓋層於該基底表面並覆蓋該閘極結構;去除部分該遮蓋層,以於該閘極結構兩側形成一凹槽;於該凹槽中形成該墊高磊晶層。 14.如申請專利範圍第9項所述之方法,其中進行該平坦化製程後另包含形成一矽化金屬層於該墊高磊晶層表面,且該矽化金屬層表面與該墊高磊晶層表面齊平。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統