半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
申請人· 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP


專利信息

專利名稱 半導體裝置及其製造方法
公告號 I517385
公告日 2016/01/11
證書號 I517385
申請號 2010/11/09
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 秋元健吾 AKIMOTO, KENGO; 坂田淳一郎 SAKATA, JUNICHIRO; 及川欣聰 OIKAWA, YOSHIAKI; 山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI
申請人 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2009-259859 20091113
參考文獻 US2004/0164294A1; US2007/0072439A1; US2008/0272370A1; WO2009/072532A1
審查人員 修宇鋒

專利摘要

本發明之一目的在提供一種用於製造一高可靠性半導體裝置之方法,半導體裝置具有一使用氧化物半導體形成之薄膜電晶體及具有穩定之電氣特性。半導體裝置包括氧化物半導體膜,其與一閘極重疊且一閘極絕緣膜介置於其間;及一源極與一汲極,係與氧化物半導體膜接觸。源極與汲極包括一混合物、金屬化合物、或含有一或多個具低電負度之金屬(例如鈦、鎂、釔、鋁、鎢、及鉬)在內之合金。源極與汲極中之氫濃度係氧化物半導體膜中之氫濃度之1.2倍,較佳為5倍高。


專利範圍

1.一種半導體裝置,包含:一閘極;氧化物半導體膜,其相鄰於該閘極且以一閘極絕緣膜介置於其間;及一源極與一汲極,其接觸於該氧化物半導體膜,其中該源極與該汲極包括一金屬且該金屬之電負度較低於氫之電負度,且其中該源極與該汲極中之氫濃度係大於或等於該氧化物半導體膜中之氫濃度之1.2倍高。 2.一種半導體裝置,包含:一閘極;氧化物半導體膜,其相鄰於該閘極且以一閘極絕緣膜介置於其間;及一源極與一汲極,其中該源極與該汲極各包括一與該氧化物半導體膜接觸之第一導電膜、及一與該第一導電膜接觸之第二導電膜,其中該第一導電膜包括一金屬且該金屬之電負度較低於氫之電負度,且其中該第一導電膜中之氫濃度係大於或等於該氧化物半導體膜中之氫濃度之1.2倍高。 3.一種半導體裝置,包含:一閘極;氧化物半導體膜,其相鄰於該閘極且以一閘極絕緣膜介置於其間;及一源極與一汲極,其接觸於該氧化物半導體膜,其中該源極與該汲極包括一金屬且該金屬之電負度較低於氫之電負度,且其中該源極與該汲極中之氫濃度係大於或等於該氧化物半導體膜中之氫濃度之5倍高。 4.一種半導體裝置,包含:一閘極;氧化物半導體膜,其相鄰於該閘極且以一閘極絕緣膜介置於其間;及一源極與一汲極,其中該源極與該汲極各包括一與該氧化物半導體膜接觸之第一導電膜、及一與該第一導電膜接觸之第二導電膜,其中該第一導電膜包括一金屬且該金屬之電負度較低於氫之電負度,且其中該第一導電膜中之氫濃度係大於或等於該氧化物半導體膜中之氫濃度之5倍高。 5.如申請專利範圍第1至4項中任一項之半導體裝置,其中該金屬包括一選自以鎂、釔、及鋁組成之群組者。 6.如申請專利範圍第1至4項中任一項之半導體裝置,其中該金屬包括一選自以鈦、鉬、及鎢組成之群組者。 7.如申請專利範圍第1至4項中任一項之半導體裝置,進一步包含:一第一絕緣膜,其設於該氧化物半導體膜、該源極、及該汲極上;及一第二絕緣膜,其設於該第一絕緣膜上,其中該第一絕緣膜包括氧化矽及氧氮化矽的其中之一,且其中該第二絕緣膜包括氮化矽、氮氧化矽、氮化鋁、及氮氧化鋁的其中之一。 8.如申請專利範圍第1至4項中任一項之半導體裝置,其中該閘極絕緣膜包括一第一閘極絕緣膜、及一設於該第一閘極絕緣膜與該氧化物半導體膜之間之第二閘極絕緣膜,其中該第一閘極絕緣膜包括氮化矽、氮氧化矽、氮化鋁、及氮氧化鋁的其中之一,且其中該第二閘極絕緣膜包括氧化矽及氧氮化矽


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統