應用於晶圓級封裝之影像感測器結構及其製造方法 STRUCTURE OF IMAGE SENSOR MODULE AND A METHOD FOR MANUFACTURING OF WAFER LEVEL PACKAGE
申請人· 育霈科技股份有限公司 ADVANCED CHIP ENGINEERING TECHNOLOGY INC. 新竹縣湖口鄉新竹工業區光復北路65號


專利信息

專利名稱 應用於晶圓級封裝之影像感測器結構及其製造方法
公告號 200807702
公告日
證書號
申請號 2007/05/09
國際專利分類號
公報卷期 06-03
發明人 楊文焜 YANG, WEN KUN;楊文彬 YANG, WEN PIN
申請人 育霈科技股份有限公司 ADVANCED CHIP ENGINEERING TECHNOLOGY INC. 新竹縣湖口鄉新竹工業區光復北路65號
代理人 林靜文
優先權 美國 11/488,653 20060719
參考文獻
審查人員

專利摘要

應用於晶圓級封裝之影像感測器結構及其製造方法簡圖

本發明揭露一晶圓級封裝之影像感測器模組及其製造方法。其影像感測器模組包含一金屬合金基材、一晶圓級封裝、一透鏡座以及軟性印刷電路板(FPC)。其具有複數個影像感測器晶粒與複數個錫球之晶圓級封裝黏附於金屬合金基材。複數個透鏡置於透鏡座內,且其透鏡座位於影像感測器之上。其透鏡座置於軟性電路板,且其軟性電路板具有複數個耦合至錫球之焊點(SolderJoint),以利影像感測器晶粒訊號傳輸。再者,影像感測器晶粒可與被動元件或其他具有並排或堆疊結構之晶粒封裝。


專利範圍

1.一種應用於晶圓級封裝(Wafer Level Package)之影像感測器模組,包含:一金屬合金基材,其中該金屬合金基材之材質包 括Fe-Ni合金、Fe-Ni-Co合金、Cu-Fe合金、Cu-Cr合金、Cu-Ni-Si合金、Cu-Sn合金或Fe-Ni合金層壓而成之玻璃纖維(Fiber Glass)材質;一影像感測器晶粒(Die),具有複數個耦合至該金屬合金基材之錫球,;一防護層,形成於該影像感測器晶粒之微透鏡區域上;一透鏡座,具有複數個透鏡,裝配於該影像感測器晶粒上;及軟性印刷電路板(Flexible Printed Circuits,FPC),具有複數個耦合至該錫球之導電性的焊點(Solder Joint),用以傳送該影像感測器晶粒之信號,其中該透鏡座置於該軟性印刷電路板。
2.如申請專利範圍第1項之應用於晶圓級封裝之影像感測器模組,其中所述之防護層係二氧化矽層、氧化鋁(Al2O3)層或氟聚合物(Fluoro polymer)層,且藉由旋轉塗佈(SOG)之方式形成。
3.如申請專利範圍第1項之應用於晶圓級封裝之影像感測器模組,其中所述之影像感測器模組包含一第二晶粒,藉由一並排(Side by Side)結構或一堆疊結構之方式,與該影像感測器晶粒封裝。
4.如申請專利範圍第3項之應用於晶圓級封裝之影像感測器模組,其中所述之第二晶粒可由數位信號處理器(DSP)之晶粒、主動晶粒(Active Die)、被動晶粒(Passive Die)、支援性晶粒(support die)中央處理器之晶粒或處理器之晶粒等上述晶粒選擇之。
5.如申請專利範圍第1項之應用於晶圓級封裝之影像感測器模組,其中所述之Fe-Ni合金之成份包含42Ni58Fe(Alloy 42)。
6.如申請專利範圍第1項之應用於晶圓級封裝之影像感測器模組,其中所述之Fe-Ni-Co合金之成分包含29Ni17Co54Fe(Kovar)。
7.如申請專利範圍第1項之應用於晶圓級封裝之影像感測器模組,其中所述之影像感測器晶粒係互補式金氧半導體(CMOS)影像感測器晶粒。
8.如申請專利範圍第1項之應用於晶圓級封裝之影像感測器模組,更包含一過濾層形成於該防護層上。
9.如申請專利範圍第8項之應用於晶圓級封裝之影像感測器模組,其中所述之過濾層係一紅外線(Infrared Ray)過濾層。
10.如申請專利範圍第3項之應用於晶圓級封裝之影像感測器模組,更包含:一第一介電層,形成於該金屬合金基材上,且填充於該影像感測器晶粒與該第二晶粒以外之空隙;一第二介電層,形成於該第二晶粒上;一接觸導電層,形成於該影像感測器晶粒之一第一金屬接點上與該第二晶粒之一第二金屬接點上,以覆蓋該第一金屬接點與該第二金屬接點,該接觸導電層個別地電性耦合至該第一金屬接點與該第二金屬接點;一隔離層,形成於該接觸導電層上,且該隔離層具有於該接觸導電層上之開口;以及凸塊底層金屬(UnderBump Metallization,UBM)與錫球(或凸塊(Bumps))焊於該開口之上,且個別地與該接觸導電層電性耦合。
11.如申請專利範圍第10項之應用於晶圓級封裝之影像感測器模組,其中所述之第一介電層之材質為矽膠(Silicon Rubber)。
12.如申請專利範圍第10項之應用於晶圓級封裝之影像感測器模組,其中所述之第二介電層之材質為環氧類樹脂(Epoxy)、矽氧類高分子(Siloxane polymer,SINR)、BCB(Benzocyclobutene)或PI(Polyimide)。
13.如申請專利範圍第10項之應用於晶圓級封裝之影像感測器模組,其中所述之接觸導電層之材質係由鎳、銅、銀及以上材質之組合選擇之。
14.如申請專利範圍第10項之應用於晶圓級封裝之影像感測器模組,其中所述之隔離層之材質係由環氧類樹脂、樹脂、矽膠、矽氧類高分子、BCB、PI及以上材質之組合選擇之。
15.如申請專利範圍第3項之應用於晶圓級封裝之影像感測器模組,更包含:一第一介電層,形成於該金屬合金基材上,且填充於該第二晶粒以外之空隙;一第一接觸導電層,形成於該第二晶粒之一第一金屬接點上,以完全覆蓋該第一金屬接點,該第一接觸導電層電性耦合至該第一金屬接點;一影像感測器晶粒,堆疊並附著至該第二晶粒;一第二介電層,形成於該第一介電層上,且填充於該影像感測器晶粒以外之空隙,該第二介電層具有形成於該第一接觸導電層上之導孔(Via Hole);一第三介電層,形成於該影像感測器晶粒上;一第二接觸導電層,形成於該影像感測器晶粒之一第二金屬接點上,且填充於該導孔,以覆蓋該第二金屬接點,該第二接觸導電層電性耦合至該該第二金屬接點與該第一接觸導電層;一隔離層,形成於該第二接觸導電層上,且該隔離層具有於該第二接觸導電層上之開口;以及錫球(或凸塊(Bumps))焊於該開口之上,且個別地與該第二接觸導電層電性耦合。
16.如申請專利範圍第15項之應用於晶圓級封裝之影像感測器模組,其中所述之第一介電層之材質為矽膠。
17.如申請專利範圍第15項之應用於晶圓級封裝之影像感測器模組,其中所述之第二介電層之材質為PI、BT、矽氧類高分子、環氧類樹脂或矽膠。
18.如申請專利範圍第15項之應用於晶圓級封裝之影像感測器模組,其中所述之第一與第二接觸導電層之材質係由鎳、銅、銀及以上材質之組合選擇之。
19.如申請專利範圍第15項之應用於晶圓級封裝之影像感測器模組,其中所述之隔離層之材質係由環氧類樹脂、樹脂、矽氧類高分子、BCB、PI及以上材質之組合選擇之。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統