氧化釕粉末、使用其之厚膜電阻體用組成物及厚膜電阻體 RUTHENIUM OXIDE POWDER, COMPOSITION FOR THICK-FILM RESISTORS USING THE SAME, AND THICK-FILM RESISTO
申請人· 住友金屬鑛山股份有限公司 SUMITOMO METAL MINING CO., LTD. 日本 JP


專利信息

專利名稱 氧化釕粉末、使用其之厚膜電阻體用組成物及厚膜電阻體
公告號 I529135
公告日 2016/04/11
證書號 I529135
申請號 2012/06/20
國際專利分類號
公報卷期 43-11
發明人 川久保勝弘 KAWAKUBO, KATSUHIRO; 前田俊輝 MAEDA, TOSHIKI; 進藤拓生 SHINDO, TAKUO; 永野崇仁 NAGANO, TAKAHITO
申請人 住友金屬鑛山股份有限公司 SUMITOMO METAL MINING CO., LTD. 日本 JP
代理人 何金塗; 丁國隆
優先權 日本 2011-136939 20110621
參考文獻 TW178702; CN101182188A; CN101365657A
審查人員 馮俊璋

專利摘要

本發明提供一種作為即便釕的含有率低亦具有充分性能的晶片電阻器、混合積體電路、或電阻網路等之電子零件材料的可廉價地製造的氧化釕粉末、使用其之厚膜電阻體用組成物及厚膜電阻體。 該氧化釕粉末、厚膜電阻體用組成物及厚膜電阻體糊係按以下方式提供:即氧化釕(RuO2)粉末,具有金紅石型結晶結構,其特徵為以X射線繞射法測定其之(110)面的微晶直徑為3至10nm,且Ru含量為73質量%以上;厚膜電阻體用組成物,係包含氧化釕粉末的導電性粒子與玻璃粉末作為主要構成成分摻合而成;及厚膜電阻體糊,其係將厚膜電阻體組成物分散於含有脂肪酸之有機媒液中而成的厚膜電阻體糊,其特徵為相對於100重量份之氧化釕而言,脂肪酸之含量為0.1至10重量份。


專利範圍

1.一種氧化釕粉末,其係具有金紅石型結晶結構之氧化釕(RuO2)粉末,其特徵為以X射線繞射法測定其之(110)面的微晶直徑為3至10nm,且Ru含量為73質量%以上。 2.如申請專利範圍第1項之氧化釕粉末,其中氧化釕(RuO2)粉末之比表面積為70m 2 /g以上200m 2 /g以下。 3.如申請專利範圍第1或2項之氧化釕粉末,其中氧化釕(RuO2)粉末之微晶直徑D1與比表面積直徑D2之比為滿足下述之式(1);D1/D2≧0.70…(1)(其中,微晶直徑D1係利用X射線繞射法於金紅石型結晶結構之(110)面的測定值(nm),比表面積直徑D2係將粉末之比表面積表示為S(m 2 /g)、將比重表示為ρ(g/cm 3 )時之6×10 -6 /(ρ‧S)的計算值(nm))。 4.一種厚膜電阻體用組成物,其係將包含如申請專利範圍第1至3項中任一項之氧化釕粉末的導電性粒子與玻璃粉末作為主要構成成分摻合而成。 5.如申請專利範圍第4項之厚膜電阻體用組成物,其中進一步摻合銀(Ag)粉、鈀(Pd)粉或藉由鈀塗布之銀粉的氧化物粉末以及貴金屬粉末之任1種以上作為導電性粒子。 6.如申請專利範圍第4或5項之厚膜電阻體用組成物,其中導電性粒子與玻璃粉末係以5:95至70:30之範圍作為質量比摻合。 7.如申請專利範圍第4或5項之厚膜電阻體用組成物,其中玻璃粉末之50%累計粒度為5μm以下。 8.一種厚膜電阻體糊,其係將如申請專利範圍第4至7項中任一項之厚膜電阻體組成物分散於含有脂肪酸之有機媒液中而成的厚膜電阻體糊,其特徵為相對於100重量份之氧化釕而言,脂肪酸之含量為0.1至10重量份。 9.如申請專利範圍第8項之厚膜電阻體糊,其中脂肪酸係碳數為12以上之高級脂肪酸。 10.如申請專利範圍第8項之厚膜電阻體糊,其中導電性粒子與玻璃粉末係以5:95至70:30之範圍作為質量比摻合。 11.一種厚膜電阻體,其係在陶瓷基板上燒製如申請專利範圍第4至7項中任一項之厚膜電阻體用組成物而成。 12.一種厚膜電阻體,其係在陶瓷基板塗布如申請專利範圍第8至10項中任一項之厚膜電阻體糊後,燒製而形成。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統