微影裝置及元件製造方法 LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
申請人· ASML荷蘭公司 ASML NETHERLANDS B. V. 荷蘭


專利信息

專利名稱 微影裝置及元件製造方法
公告號 200507445
公告日
證書號
申請號 2004/05/17
國際專利分類號
公報卷期 03-04
發明人 包博 斯崔夫克 STREEFKERK, BOB;馬歇爾 瑪堤斯 塞多爾 瑪里 戴雷期 DIERICHS, MARCEL MATHIJS THEODORE MARIE;溫蒂 法蘭西斯卡 喬漢納 吉何 范 安慎 GEHOEL-VAN ANSEM, WENDY FRANSISCA JOHANNA
申請人 ASML荷蘭公司 ASML NETHERLANDS B. V. 荷蘭
代理人 陳長文
優先權 EPC 03253420.8 20030530
參考文獻
審查人員

專利摘要

本發明提供一種微影裝置,其中藉由透過具有小於7之pH值之水溶液進行投影來執行曝光,該溶液與待曝光之基板接觸。水溶液最好為抗反射頂覆層(topcoat)溶液。


專利範圍

1.一種微影投影裝置,包括:一用以提供一輻射投影射束之輻射系統;一用以支撐圖案化構件之支撐結構,該圖案化構件用以根據一所要之圖案來圖案化該投影射束;一用以固持一基板之基板台;一用以將該圖案化射束投影至該基板之一目標區上之投影系統;及一用以用一液體填充該投影系統之最終零件與該基板之間的間隙的液體供給系統,其特徵為該液體係一具有一小於7之pH值之水溶液。 2.如請求項1之裝置,其中該液體供給系統包括一含有該液體之液體源。 3.如請求項1或2之裝置,其中該液體含有一抗反射頂覆層溶液。 4.如請求項1或2之裝置,其中該液體含有一或多種氟烷基磺酸。 5.如請求項1或2之裝置,其中該液體供給系統包括自該基板之表面移除該液體之液體移除構件,其中該液體移除構件係調適成在該基板之表面上留下該液體之一膜。 6.如請求項5之裝置,其中該膜具有1 μm或更小之一厚度。 7.如請求項6之裝置,進一步包括用以控制在移除液體後在該基板上剩餘的該液體層之厚度的控制構件。 8.一種元件製造方法,包括以下步驟:提供一至少部分地覆蓋有一層輻射敏感材料之基板;使用一輻射系統來提供一輻射投影射束;使用圖案化構件以在該投影射束之橫截面中賦予其一圖案;將該圖案化輻射射束投影至該層輻射敏感材料之一目標區上;且提供液體以填充在該基板與該投影步驟中所使用的一投影系統之一最終零件之間的間隙;其特徵為該液體係一具有一小於7之pH值之水溶液。 9.一種在一液體中將一抗反射頂覆層用作一酸性調節劑之用途,其中該液體係用於如請求項8項之方法中。 10.如請求項1或2之裝置,其中該液體供給系統包括:一沿該投影系統之最終零件與該基板台之間的該間隙之邊界之至少一部分延伸且相對於該投影系統靜止的密封部件;及一用以在該密封部件與該基板之表面之間形成一氣封之氣封部件。 11.如請求項10之裝置,其中該氣封構件包括:形成於與該基板相對之一部分的面中的一氣體入口及一氣體出口、用以在壓力下將氣體供給至該氣體入口之構件及用以自該出口提取氣體之真空構件。 12.如請求項1或2之裝置,其中該液體供給系統包括:用以供給液體至該投影系統之最終零件與該基板之間的該間隙的至少一出口OUT;及用以自該投影系統之最終零件與該基板之間的該間隙移除液體之至少一入口IN。 13.如請求項11之裝置,其中該真空構件或該至少一入口IN係一用以自該基板之表面移除該液體之液體移


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統