製造由矽或以矽為主的材料構成的結構化粒子之方法及其在鋰可充電電池的用途 A METHOD OF FABRICATING STRUCTURED PARTICLES COMPOSED OF SILICON OR A SILICON-BASED MATERIAL AND TH
申請人· 尼克席恩公司 NEXEON LIMITED 英國 GB


專利信息

專利名稱 製造由矽或以矽為主的材料構成的結構化粒子之方法及其在鋰可充電電池的用途
公告號 I517478
公告日 2016/01/11
證書號 I517478
申請號 2011/04/08
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 葛林 密諾 GREEN, MINO; 劉豐明 LIU, FENG-MING; 蔣玉雄 JIANG, YUXIONG; 史帝芬 菲樂瑞 伊麗莎白 道 STEVENS, VALERIE ELIZABETH DAWN; 米爾斯 朗普特 班亞明 歐達維 MILLS-LAMPTEY, BENJAMIN ODARKWEI
申請人 尼克席恩公司 NEXEON LIMITED 英國 GB
代理人 閻啟泰; 林景郁
優先權 英國 1005979.8 20100409
參考文獻 CN101390198A
審查人員 陳瀅安

專利摘要

本發明提供一種用於處理矽以形成柱狀物(參見圖2)、尤其適用作Li離子電池組中之活性陽極材料的柱狀物之方法。由於使用僅含有少數濃度需要控制的成份之溶液,該方法在商業規模上操作簡便,且其操作起來可比先前方法廉價。該溶液包含: 0.01至5 M HF; 0.002至0.2 M金屬離子,其能夠在矽表面上成核且形成包含元素金屬區的多孔層; 0.001至0.7 M氧化劑,其選自以下之群:O2、O3、H2O2;NO3-、S2O82-、NO2-、B4O72-及ClO4-之酸、銨或鹼金屬鹽;或其混合物。適宜自該溶液移出所處理之矽。


專利範圍

1.一種處理矽之方法,該方法包含成核步驟,其中於矽表面上沈積金屬,及蝕刻步驟,其中蝕刻位於沈積金屬下之矽,其中:a.該成核步驟包含使含矽材料暴露於包含以下之溶液:濃度小於5M之HF;0.002至0.2M金屬離子,其能夠在矽表面上成核且形成包含元素金屬區的多孔層;及b.該蝕刻步驟包含i.使包含元素金屬區之矽表面暴露於包含以下之溶液:濃度大於5M之HF;0.001至0.7M氧化劑,其選自以下之群:O2、O3、H2O2;NO3 - 、S2O8 2- 、B4O7 2- 及ClO4 - 之酸、銨或鹼金屬鹽;或其混合物;及ii.在蝕刻期間添加氧化劑至該溶液中以維持氧化劑濃度在以上範圍內。 2.如申請專利範圍第1項之方法,其中在該成核步驟期間所使用的HF之濃度係在0.01至4M之範圍內。 3.如申請專利範圍第1或2項之方法,其中該蝕刻步驟係在範圍為0.1至10M之HF濃度下進行。 4.如申請專利範圍第1或2項之方法,其中另外添加HF至蝕刻溶液中以維持HF濃度在所述範圍內。 5.如申請專利範圍第1或2項之方法,其中在該蝕刻溶液中之HF濃度係比在該成核溶液中之HF濃度高出0.5至2M。 6.如申請專利範圍第1或2項之方法,其中該成核溶液包含0.001至0.7M氧化劑。 7.如申請專利範圍第1或2項之方法,其包含以下步驟:(a)使含矽材料暴露於包含以下之溶液:i.0.01至4M HF;ii.0.002至0.2M Ag + 離子;以形成經銀塗佈之矽產物;及(b)混合步驟(a)之該經銀塗佈之矽產物與HF以得到包含不大於10M HF之溶液,其限制條件為步驟(b)結束時該溶液中HF之濃度大於步驟(a)之溶液中的HF濃度;(c)添加NO3 - 至(b)中形成之溶液中,以維持NO3 - 濃度在濃度範圍0.003至0.7M以內,其中該NO3 - 離子呈鹼金屬硝酸鹽、硝酸銨或硝酸形式。 8.如申請專利範圍第1或2項之方法,其中該等金屬離子係選自以下之群:銀、金、鉑、銅、鎳、鉛、鈷、鎘、鉻、鋅及錫。 9.如申請專利範圍第1或2項之方法,其中該金屬離子為銀離子,其係以0.01至0.15M之濃度使用。 10.如申請專利範圍第1或2項之方法,其在0℃至70℃之溫度下進行。 11.如申請專利範圍第1或2項之方法,其中處理溶液中之矽載量係介於2與60g/l之範圍。 12.如申請專利範圍第1或2項之方法,其中該矽呈


類似專利

公告號 專利名稱 申請人
201201434 製造由矽或以矽為主的材料構成的結構化粒子之方法及其在鋰可充電電池的用途 尼克席恩公司 NEXEON LIMITED 英國 GB
I460908 製造由矽或以矽為主的材料構成的結構化粒子的方法及其在鋰可充電電池的用途 尼克席恩公司 NEXEON LIMITED 英國 GB
201027829 製造由矽或以矽為主的材料構成的結構化粒子的方法及其在鋰可充電電池的用途 尼克席恩公司 NEXEON LIMITED 英國 GB
396183 疏水化粒子之方法及其於分散液中之用途 拜耳公司 美國
I399214 製備奈米多醣體複合粒子之方法及其用途 中國醫藥大學 CHINA MEDICAL UNIVERSITY 臺中市北區學士路91號 TW
I365171 以奈米矽片還原金屬離子及穩定分散奈米金屬粒子之方法及其產物 國立台灣大學 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY 臺北市大安區羅斯福路4段1號 TW
231306 顏料糊劑,用於製備顏料糊劑之方法及其在塗層劑中著色的用途 赫伯有限公司 德國
201244738 製備奈米多醣體複合粒子之方法及其用途 中國醫藥大學 CHINA MEDICAL UNIVERSITY 臺中市北區學士路91號 TW
200924878 以奈米矽片還原金屬離子及穩定分散奈米金屬粒子之方法及其產物 國立台灣大學 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY 臺北市大安區羅斯福路4段1號
402522 處理粒子之方法及其於分散液中之用途(二) 拜耳公司 加拿大
200911983 製備對酵素具專一吸附性之親和性超順磁性粒子之方法及其應用 國立屏東科技大學 NATIONAL PINGTUNG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY 屏東縣內埔鄉學府路1號
I435054 針對動態目標以進行導航之方法及其相關可攜式電子裝置 緯創資通股份有限公司 WISTRON CORPORATION 新北市汐止區新台五路1段88號21樓 TW
201315967 針對動態目標以進行導航之方法及其相關可攜式電子裝置 緯創資通股份有限公司 WISTRON CORPORATION 新北市汐止區新台五路1段88號21樓 TW
200737264 使用奈米管產生高能粒子之方法及其物件 塞爾頓技術公司 SELDON TECHNOLOGIES, LLC 美國
I458157 製造包括矽或以矽為主材料之結構化粒子之方法或其在鋰充電電池之用途 尼克席恩公司 NEXEON LIMITED 英國 GB
200917550 製造包括矽或以矽為主材料之結構化粒子之方法或其在鋰充電電池之用途 尼克席恩公司 NEXEON LIMITED 英國
I457176 使用非貴金屬作為催化劑以製備單矽氫化產物之方法及其製得之組合物 摩曼帝夫特性材料公司 MOMENTIVE PERFORMANCE MATERIALS INC. 美國 US; 美國康奈爾大學 CORNELL UNIVERSITY 美國 US
355185 製造色澱或染料之基體顏料粒子之方法及由其製得之基體顏料粒子 史密斯克林貝契姆公司 美國
200902097 形成黏滯,形狀擬合的凝膠之方法及其在作為醫學假體上的用途 優魯魯股份有限公司 ULURU, INC. 美國

專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統