基材加工裝置及基材加工方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
申請人· 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本 新力股份有限公司 SONY CORPORATION 日本


專利信息

專利名稱 基材加工裝置及基材加工方法
公告號 200308011
公告日
證書號
申請號 2003/05/07
國際專利分類號
公報卷期 01-16
發明人 戶島孝之 TAKAYUKI TOSHIMA;阿部仁 HITOSHI ABE
申請人 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本 新力股份有限公司 SONY CORPORATION 日本
代理人 惲軼群;陳文郎
優先權 日本 2002-132698 20020508
參考文獻
審查人員

專利摘要

一種基材加工裝置可去除形成於晶圓上之光阻膜,該去除方式係經由固定晶圓於一加工容器,讓晶圓暴露於導入加工容器內部之水蒸氣與含臭氧氣體之混合氣態流體。欲暴露於混合氣態流體之加工容器內表面以及欲暴露於混合氣態流體之置於加工容器之組成元件表面塗覆以二氧化矽膜,俾保護該表面不受混合氣態流體之腐蝕作用。


專利範圍

1.1.一種基材加工裝置,包含:一加工容器,其適合容納一基材於其中,俾使用供給加工容器之含一種蒸氣以及一種氣體之混合氣態流體處理基材;以及該加工裝置之一組成元件置於該加工容器;其中欲暴露於混合氣態流體之加工容器內表面以及欲暴露於混合氣態流體之組成元件表面中之至少一者塗覆以二氧化矽膜。 2.如申請專利範圍第1項之基材加工裝置,其中該加工容器可忍受介於容器內部與外部間之壓力差0.2MPa或0.2MPa以上。 3.如申請專利範圍第2項之基材加工裝置,其中該加工容器係由不銹鋼製成。 4.如申請專利範圍第1項之基材加工裝置,其中該蒸氣為水蒸氣,以及水蒸氣饋進噴嘴係設置於加工容器俾供應水蒸氣至該加工容器。 5.如申請專利範圍第1項之基材加工裝置,其中該氣體為含臭氧氣體,以及含臭氧氣體饋進噴嘴係設置於該加工容器。 6.如申請專利範圍第1項之基材加工裝置,其中該加工容器裝配有一孔,元件係透過該孔而設置於加工容器,以及該孔內面塗覆有二氧化矽膜。 7.如申請專利範圍第1項之基材加工裝置,其中該加工容器包括一容器本體以及一容器蓋,一密封件係位於容器本體與容器蓋之接合面間,該加工容器內面塗覆有二氧化矽膜,二氧化矽膜係由加工容器內面連續延伸至密封件之設置位置。 8.一種基材加工方法,包含下列步驟:(i)將塗覆有光阻膜之基材置於一加工容器內,該加工容器之內表面塗覆有二氧化矽膜。該容器含有一塗覆有二氧化矽膜之組成元件;(ii)供給水蒸氣及一種含臭氧氣體至加工容器,藉此使用該水蒸氣及含臭氧氣體加工基材;(iii)停止供給水蒸氣及含臭氧氣體至加工容器;以及(iv)由其中排放留在加工容器之氣體,以及供給空氣至加工容器。 9.如申請專利範圍第8項之基材加工方法,其中該加工容器內部空間於步驟(ii)係維持於固定溫度。 10.如申請專利範圍第9項之基材加工方法,其中該加工容器內部空間係維持於80℃至120℃範圍之固定溫度。 11.如申請專利範圍第8項之基材加工方法,其中該加工容器內部空間於步驟(ii)係維持於正壓。 12。如申請專利範圍第11項之基材加工方法,其中該加工容器內部空間係維持於高於大氣壓之壓力達0.05至0.1MPa範圍之壓力差。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統