記憶體陣列 MEMORY ARRAYS
申請人· 美光科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC. 美國 US


專利信息

專利名稱 記憶體陣列
公告號 I517304
公告日 2016/01/11
證書號 I517304
申請號 2011/06/03
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 劉增濤 LIU, ZENGTAO
申請人 美光科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC. 美國 US
代理人 陳長文
優先權 美國 12/795,565 20100607
參考文獻 US2003/0031047A1; US2005/0001257A1; US2005/0180248A1; US2008/0175032A1; US2010/0090187A1; US2010/0178729A1
審查人員 陳聖

專利摘要

某些實施例包含記憶體陣列。該等記憶體陣列可具有沿一第一水平方向延伸之全域位元線、自該等全域位元線垂直延伸之垂直局局域位元線及沿垂直於該第一水平方向之一第二水平方向延伸之字線。該等全域位元線可被細分成一第一高度層級處之一第一系列及不同於該第一高度層級之一第二高度層級處之一第二系列。該第一系列之該等全域位元線可與該第二系列之該等全域位元線交替。在該等字線與該等垂直局域位元線之間可直接存在記憶體胞材料。該記憶體胞材料可形成由字線/全域位元線組合唯一定址之複數個記憶體胞。某些實施例包含具有約2F2之面積之交叉點記憶體胞單元。


專利範圍

1.一種記憶體陣列,其包括:複數個記憶體胞單元,其位於穿過多個高度層級之每一者的之平面中;若干字線,其位於該多個高度層級中,該等字線沿一第一水平方向延伸;該等字線係堆疊成包括垂直行及水平列之二維陣列;該字線陣列之該等垂直行包括兩個或兩個以上字線;若干垂直局域位元線,該等垂直局域位元線延伸穿過該字線陣列以使得該等垂直局域位元線係在該字線陣列之毗鄰垂直行之間,其中毗鄰該字線陣列之一垂直行的垂直局域位元線在與該第一水平方向垂直之一第二水平方向上彼此不對齊;以及相對於個別記憶體胞單元所消耗之字線、垂直局域位元線及間隔,該等記憶體胞單元在沿著每一高度層級之平面上的面積小於4F 2 。 2.如請求項1之記憶體陣列,其中相對於該等個別記憶體胞單元所消耗之字線、位元線及間隔,該等記憶體胞單元沿該等平面之該等面積係2F 2 。 3.如請求項1之記憶體陣列,其中該等記憶體胞單元包括相變材料且係直接在字線與位元線之間;且其中僅直接在該等字線與位元線之間的材料係該相變材料。 4.如請求項1之記憶體陣列,其包括:若干全域位元線,該等全域位元線沿垂直於該第一水平方向之一第二水平方向延伸;該等全域位元線包括一第一高度層級處之一第一系列及不同於該第一高度層級之一第二高度層級處之一第二系列;該第一系列之該等全域位元線與該第二系列之該等全域位元線交替,其中該等垂直局域位元線垂直於該等全域位元線延伸;及記憶體胞材料,其在該等字線與該等垂直局域位元線之間;該記憶體胞材料形成該等記憶體胞單元之記憶體胞,其中個別記憶體胞係由字線/全域位元線組合唯一定址。 5.如請求項4之記憶體陣列,其中該第一系列之該等全域位元線係在該等字線的與該第二系列之該等全域位元線相對之一側上。 6.如請求項4之記憶體陣列,其中該第一系列之該等全域位元線係在該等字線的與該第二系列之該等全域位元線共同之一側上。 7.一種記憶體陣列,其包括:若干全域位元線,該等全域位元線沿一第一水平方向延伸;該等全域位元線包括一第一高度層級處之一第一系列及不同於該第一高度層級之一第二高度層級處之一第二系列;該第一系列之該等全域位元線與該第二系列之該等全域位元線交替;若干垂直局域位元線,該等垂直局域位元線垂直於該等全域位元線延伸;若干字線,該等字線沿垂直於該第一水平方向之一第二水平方向延伸;該等字線係堆疊成包括垂直行及水平列之二維陣列;該字線陣列之該等垂直行


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統