動作感應器結構、微機電系統結構、及微機電系統元件的製作方法 STRUCTURE AND METHOD FOR MOTION SENSOR
申請人· 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW


專利信息

專利名稱 動作感應器結構、微機電系統結構、及微機電系統元件的製作方法
公告號 I529119
公告日 2016/04/11
證書號 I529119
申請號 2012/08/15
國際專利分類號
公報卷期 43-11
發明人 徐家保 SHU, CHIA PAO; 戴文川 TAI, WEN CHUAN; 洪嘉明 HUNG, CHIA MING; 陳相甫 CHEN, HSIANG FU
申請人 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
代理人 洪澄文; 顏錦順
優先權 美國 61/523,561 20110815 美國 13/433,906 20120329
參考文獻 TW201018640A; CN101034726A; US2005/0170656A1
審查人員 曾維國

專利摘要

本發明一實施例提供一種動作感應器結構,包括:一第一基底,具有一積體電路形成於其上;一第二基底,自一第一表面接合於該第一基底,其中該第二基底包括一動作感應器形成於其上;以及一第三基底,接合於該第二基底之一第二表面,其中該第三基底包括對齊於該動作感應器之一凹陷部分。


專利範圍

1.一種動作感應器結構,包括:一第一基底,具有一積體電路形成於其上;一第二基底,自一第一表面接合於該第一基底,其中該第二基底包括一動作感應器形成於其上;以及一第三基底,接合於該第二基底之一第二表面,其中該第三基底包括對齊於該動作感應器之一凹陷部分,其中:該第一基底包括一氧化矽層;該第二基底包括矽;以及該第二基底藉由矽與氧化矽之間的融合接合而接合於該第一基底。 2.如申請專利範圍第1項所述之動作感應器結構,其中該第三基底藉由共晶接合而接合於該第二基底。 3.如申請專利範圍第2項所述之動作感應器結構,其中:該第三基底包括一鍺層;該第二基底於該第二表面上包括一鋁銅層;以及該第三基底藉由該鍺層與該鋁銅層之間的共晶接合而接合於該第二基底。 4.如申請專利範圍第1項所述之動作感應器結構,其中該第二基底更包括擠壓防止溝槽形成於其上,且配置成避免該第二基底與該第三基底之間於共晶接合期間的擠壓問題。 5.如申請專利範圍第1項所述之動作感應器結構,其中該第一基底包括至少一停止結構,用以限制該動作感應器。 6.如申請專利範圍第1項所述之動作感應器結構,其中該第三基底包括至少一停止結構,用以限制該動作感應器。 7.如申請專利範圍第1項所述之動作感應器結構,其中該第二基底更包括插塞,用以電性耦接該動作感應器至該第一基底之該積體電路。 8.一種微機電系統結構,包括:一第一矽基底,具有一積體電路形成於其上;一第二矽基底,具有一動作感應器形成於其上及一擠壓防止溝槽形成於其上;以及一第三矽基底,具有一凹陷區域,對齊於該動作感應器,其中:該第二矽基底配置於該第一矽基底與該第三矽基底之間;以及該第二矽基底係融合接合於該第一矽基底,且共晶接合於該第三矽基底,其中:該第一矽基底包括一氧化矽層;該第二矽基底包括矽;以及該第二矽基底藉由矽與氧化矽之間的融合接合而接合於該第一矽基底。 9.一種微機電系統元件的製作方法,包括:於一第一基底上形成接合墊;於一第二基底上形成一動作感應器;透過該些接合墊藉由融合接合而將該第二基底接合於該第一基底;以及藉由共晶接合將一覆蓋基底接合於該第二基底,其中:該第一基底包括一氧化矽層;該第二基底包括矽;以及該第二基底藉由矽與氧化矽之間的融合接合而接合於該第一基底。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統