差動電晶體及其方法 DIFFERENTIAL TRANSISTOR AND METHOD THEREFOR
申請人· 半導體組件工業公司 SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C. 美國


專利信息

專利名稱 差動電晶體及其方法
公告號 200524279
公告日
證書號
申請號 2004/08/09
國際專利分類號
公報卷期 03-14
發明人 傑佛遜W 豪爾 HALL, JEFFERSON W.
申請人 半導體組件工業公司 SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C. 美國
代理人 陳長文
優先權 美國 10/670,978 20030926
參考文獻
審查人員

專利摘要

差動電晶體及其方法簡圖

本發明揭示一種差動電晶體(10,25),該種電晶體包括一空乏型電晶體(15,30),該空乏型電晶體之源極連接至一增強型電晶體(11,26)的源極。空乏型電晶體與增強型電晶體之閘極以差動方式加以驅動。


專利範圍

1.一種形成差動電晶體之方法,包括:形成一第一導通類型的一增強型電晶體(11,26)與一第二導通類型的一空乏型電晶體(15,30),該二電晶體之源極連接在一起;及形成該增強型電晶體之一臨限電壓,以使該增強型電晶體之該臨限電壓之一絕對值不大於該空乏型電晶體之一臨限電壓之一絕對值。
2.如請求項1之方法,進一步包括耦合該增強型電晶體(11,26)的一閘極以由一第一信號驅動之,及耦合該空乏型電晶體的一閘極以由一第二信號驅動之。
3.如請求項2之方法,其中該耦合要由該第一信號驅動之該增強型電晶體的該閘極,及耦合要由該第二信號驅動之該空乏型電晶體的該閘極之步驟,包括耦合該增強型電晶體之該閘極與該空乏型電晶體之該閘極,以由相位不同之信號驅動之。
4.如請求項1之方法,進一步包括形成一要被耦合至一第一信號(12,27)之該增強型電晶體(11,26)的一汲極、將該增強型電晶體的一閘極耦合至另一增強型電晶體(45)的一閘極、形成一要被耦合至一第二信號(61)之該空乏型電晶體的一汲極、將該空乏型電晶體的一閘極耦合至另一空乏型電晶體(44)的一閘極與一汲極和另一增強型電晶體之一汲極、耦合另一增強型電晶體之一源極以從一電壓源接收一電壓。
5.如請求項4之方法,其中耦合增強型電晶體之該汲極至該第一信號的步驟,包括耦合增強型電晶體之該汲極至一電阻器的一第一端點,與一微處理器的一信號輸入端,及耦合該電阻器之一第二端點以從電壓源接收電壓。
6.如請求項1之方法,進一步包括耦合空乏型電晶體(30)之該汲極以接收一第一信號、耦合該空乏型電晶體之一閘極至另一增強型電晶體(45)的一閘極、耦合該增強型電晶體(26)之該汲極至一電壓返還端、耦合該增強型電晶體之一閘極至另一空乏型電晶體(44)之一汲極與另一增強型電晶體(45)之一汲極、耦合該另一空乏型電晶體之一源極至另一空乏型電晶體之閘極、及耦合該另一增強型電晶體之一源極以從一電壓源接收一電壓。
7.一種差動電晶體,包括:一第一導通類型之一空乏型金氧半導體(MOS)電晶體(15,30),該電晶體有第一源極、第一汲極、第一閘極、及第一臨限電壓;及一第二導通類型之一增強型金氧半導體電晶體(11,26),該電晶體有連接至該第一源極之一第二源極、一第二汲極、一第二閘極、及一第二臨限電壓,該第二臨限電壓之絕對值小於該第一臨限電壓之絕對值。
8.如請求項7之該差動電晶體,其中該第一閘極被耦合以接收一第一信號且該第二閘極被耦合以接收一第二信號,該第二信號之相位與該第一信號之相位不同。
9.如請求項7之差動電晶體,進一步包括該第一汲極,其耦合至一電阻器之一第一端點和一微處理器之一信號輸入端,且該電阻器之一第二端點耦合至一電壓源。
10.一種操作差動電晶體之方法,包括:提供一第一導通類型之一增強型電晶體,該電晶體有一源極、一閘極、及被耦合以接收一第一信號之一汲極;提供一第二導通類型之一空乏型電晶體,該電晶體有連接至該增強型電晶體之該源極的一源極、一閘極、及被耦合以接收一第二信號之一汲極;施加一大於一第一電壓之一差動電壓於該增強型電晶體的該閘極與該空乏型電晶體的該閘極之間,以使該增強型電晶體的該汲極與該空乏型電晶體的該汲極之間導通;及施加一小於該第一電壓之一差動電壓於該增強型電晶體的該閘極與該空乏型電晶體的該閘極之間,以使該增強型電晶體的該汲極與該空乏型電晶體的該汲極之間不導通。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統