左典修



  • 對於具有非典型肝功能之病人的經修飾的吡非尼酮(Pirfenidone)治療

    公告號:201020232 - 英特姆尼國際公司 INTERMUNE, INC. 美國 US

    1.一種用於治療患有特發性肺纖維化(IPF)之病人之吡非尼酮,該病人曾在吡非尼酮投藥之後顯示出一或多種肝功能生物標記之2級異常,其中(a)該病人係以至少1600mg/日或1602mg/日之劑量加以投予吡非尼酮。 2.一種用於治療患有特發性肺纖維化(IPF)之病人之吡非尼酮,該病人曾在吡非尼酮投藥之後

  • 對於具有非典型肝功能之病人的經修飾的吡非尼酮(Pirfenidone)治療

    公告號:201341361 - 英特姆尼國際公司 INTERMUNE, INC. 美國 US

    1.一種用於治療患有特發性肺纖維化(IPF)之病人之吡非尼酮,該病人已在吡非尼酮投藥之後顯示出一或多種肝功能生物標記之2級異常,其中(a)該病人係以至少1600 mg/日或1602 mg/日之劑量加以投予吡非尼酮。 2.一種用於治療患有特發性肺纖維化(IPF)之病人之吡非尼酮,該病人已在吡非尼酮投藥

  • 對於具有非典型肝功能之病人的經修飾的吡非尼酮(Pirfenidone)治療

    公告號:I419877 - 英特姆尼國際公司 INTERMUNE, INC. 美國 US

    1.一種用於治療病人之吡非尼酮,該病人為會得益於吡非尼酮投藥之病人,該病人已在吡非尼酮投藥之後在丙胺酸轉胺酶(ALT)和天冬胺酸轉胺酶(AST)中之一或兩者顯示出2級異常,其中(a)該病人係以至少1600mg/日之劑量加以投予吡非尼酮。 2.如申請專利範圍第1項之吡非尼酮,其中(a)該病人係以220

  • 環氧丙烷修飾聚合物結合去碳氫化合物雙性物之薄紙或紙巾

    公告號:200300022 - 金百利克拉克國際公司 KIMBERLY-CLARK WORLDWIDE, INC. 美國

    1.1.環氧丙烷修飾聚合物結合去碳氫化合物之雙性物,其中縮合聚合物包含兩個或更多反應組合物的反應產物,其包含雙性雙官能聚氧烷烯複合物及一種雙官能聚烷烯複合物,雙官能聚烷烯複合物有至少一個未反應二級胺,其中至少部份的二級胺導致縮合反應能影響結合物與纖維素或其他聚合分子形成共價鍵。 2.2.如申請專利範

  • 低功率靜態隨機存取記憶體備份修復架構

    公告號:200300260 - 鈺創科技股份有限公司 新竹市新竹科學工業園區科技五路六號

    1.1.一種有備份修復架構的SRAM記憶體儲存格,包括有:一連接到一高參考電壓及一低參考電壓的SRAM記憶體儲存格;以及一切斷裝置,可切斷該低參考電壓與該SRAM記憶體儲存格間的連接。 2.2.如申請專利範圍第1項所述之SRAM記憶體儲存格,其中該切斷裝置為包括一N型互補金氧半導體(NMOS)電晶體

  • 半導體雷射裝置、其所使用之像散修正板、及佈置像散修正板之方法

    公告號:200300623 - 新力股份有限公司 SONY CORPORATION 日本

    1.一種發射互不相等的兩波長的半導體雷射裝置,包括:一第一雷射光源,其發射一具有一第一波長的雷射光束;一第二雷射光源,其位於離該第一雷射光源一預定距離,及發射一具有一第二波長的雷射光束;及一像散修正板,其包括一具有一預定厚度的一透光板,為了修正雷射光束的像散性,像散修正板的配置形成對角交又至少該第一

  • 汽車維修方法及汽車用維修設備

    公告號:200300397 - 本田技研工業股份有限公司 本田技研工業株式會社 日本

    1.1.一種汽車維修方法,係依次執行:一藉由設置於地面(G)之升降構件(1)而將欲進行維修之汽車(V)加以升高之程序;及一同時進行以下作業之程序,即:一使用車底下方構件維修作業台車(2)來維修已升高之汽車(V)車底下方構件之作業,而該車底下方構件維修作業台車(2)具有一用以載置由已升高之汽車卸下之車

  • 具有被構形為可減少交叉電容及/或便利於短路修復之電極的電子放射裝置的結構、製造和校正測試

    公告號:200301497 - 坎德生特智慧財產權服務公司 CANDESCENT INTELLECTUAL PROPERTY SERVICES, INC. 美國 新力股份有限公司 SONY CORPORATION 日本

    1.1.一種結構,包含:一發射電極沿一第一方向縱長地延伸;一電子發射區包含一主電子發射帶其含有多數的主電子發射元件設於部份的發射電極上方;及一控制電極包含(a)一主軌條交叉橫越該發射電極,並沿一與該第一方向不同的第二方向來縱長地延伸;(b)一主交叉部與該軌條接續並由該軌條側向地延伸離開;(c)一主曝

  • 壓力感測器、壓力控制裝置及壓力式流量控制裝置之溫度偏移修正裝置

    公告號:200301350 - 富士金股份有限公司 株式會社 日本 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本 大見忠弘 TADAHIRO OHMI 日本

    1.一種壓力感測器之溫度偏移修正裝置,此壓力感測器是測定流體壓力的壓力感測器,其特徵在於:包括溫度感測器,其測定流體溫度;記憶手段,其儲存流體溫度與壓力感測器輸出偏移的關係;以及溫度偏移修正手段,其在流體溫度變化情形下,根據記憶手段的資料,運算壓力感測器輸出偏移量,以此運算輸出偏移量消去並修正壓力感

  • 閃爍修正裝置與閃爍修正方法及儲存閃爍修正程式之記錄媒體

    公告號:200302027 - 夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA 日本

    1.1.一種用於修正使用一影像處理元件處理一物件之影像 所獲得影像信號的一閃爍成分之閃爍修正裝置,該裝置 包含: 一影像平均計算區段,用於計算在一水平或垂直方向 內各線或各組線之該影像信號的一平均; 一閃爍頻率計算區段,用於使用一交流電源頻率與該 影像處理元件的一圖框或場域頻率計算一閃爍頻率; 一閃

  • 聚光之光學系統,光學拾訊設備,像差修正件及物鏡

    公告號:200302465 - 柯尼卡股份有限公司 日本

    1.1.一種聚光之光學系統,用於光學資訊記錄媒介之記錄及/或複製,其將光源發出之光通量聚光在光學資訊記錄媒介的一資訊記錄平面上,包括:一物鏡,其設在與光學資訊記錄媒介相對之位置,且包含至少一塑膠透鏡,以及一像差修正件,其設在光源與物鏡之間的光徑上,且由皆為一塑膠透鏡的一正透鏡和一負透鏡之二組群所構成

  • 記憶裝置、終端裝置及資料修復系統

    公告號:200302419 - 松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. 日本

    1.1.一種記憶裝置,包含有:耐擾性之記憶領域與非耐擾性記憶領域,且將資料儲存於前述非耐擾性之記憶領域,並將用以檢查前述資料之損壞之檢查資訊儲存於前述耐擾性之記憶領域。 2.2.一種記憶裝置,包含有:,一非耐擾性之第1記憶領域,係用以儲存資料者;一耐擾性之第2記憶領域,係用以儲存用於檢查資料損壞之檢

  • 無線電通信裝置以及具有至少一可導電之修正元件之電路板

    公告號:200303168 - 西門斯股份有限公司 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 德國

    1.1.一種無線電通信裝置(MP),其包含:至少一安裝在外殼(GH)中之電路板(LP),其具有預定之長度(L)及橫向尺寸(B);至少一種天線(AT1),用來發射及/或接收電磁無線電輻射場且該天線(AT1)耦合至電路板(LP),其特徵為:電路板(LP)上須耦合至少另一可導電之修正元件(ZV1),使電路

  • 偵測、識別與修正處理效能之方法

    公告號:200303075 - 東京威力科創有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本

    1.1.一種特徵化材料處理系統之方法,該方法包括以下步驟:a)改變一可控處理參數,其與該材料處理系統中執行之處理相關;b)測量一資料掃描,當使用變化之可控處理參數而執行該處理時,該資料掃描包括一處理效能參數之測量;c)將該資料掃描轉成複數個空間成分;及d)藉由識別一處理記號而特徵化該材料處理系統,該

  • 曝光裝置之檢查方法,修正焦點位置之曝光方法及半導體裝置之製造方法

    公告號:200303037 - 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本

    1.1.一種曝光裝置的檢查方法,其特徵在於,係藉由從曝光裝置的光軸偏離的方向,照明形成有至少包含一組形狀互異的第1遮罩圖案及第2遮罩圖案之遮罩圖案的遮罩,使上述遮罩圖案的像朝向受像體進行曝光投影,測定曝光投影於上述受像體的上述第1及第2之各遮罩圖案的像之間的相對距離,以調查上述曝光裝置的光學系統狀態