異質接面太陽能電池及其製造方法 HETEROJUNCTION SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
申請人· 新日光能源科技股份有限公司 NEO SOLAR POWER CORP. 新竹市科學工業園區力行三路7號 TW


專利信息

專利名稱 異質接面太陽能電池及其製造方法
公告號 I517416
公告日 2016/01/11
證書號 I517416
申請號 2015/02/11
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 簡怡峻 CHIEN, YIJIUNN
申請人 新日光能源科技股份有限公司 NEO SOLAR POWER CORP. 新竹市科學工業園區力行三路7號 TW
代理人 李長銘
優先權
參考文獻 TW201143121A; TW201440234A; JP2010-226081A; US2012/0156828A1
審查人員 陳甫奕

專利摘要

一異質接面太陽能電池包含摻雜型半導體基板、第一非晶半導體緩衝層、第一非晶半導體層、第二非晶半導體緩衝層、第二非晶半導體層、邊緣保護層、第一透明導電層及第二透明導電層。第一非晶半導體緩衝層包覆摻雜型半導體基板之第一表面與側壁。第一非晶半導體層包覆第一非晶半導體緩衝層。第二非晶半導體緩衝層包覆第二表面。第二非晶半導體層包覆第二非晶半導體緩衝層。邊緣保護層包覆第一非晶半導體層之邊緣。第一透明導電層包覆第一非晶半導體層。第二透明導電層包覆於第二非晶半導體層。


專利範圍

1.一種異質接面太陽能電池,包含:一摻雜型半導體基板,係具有一第一表面、一第二表面以及一側壁,該第一表面與該第二表面係相對地設置,該側壁係連結該第一表面與該第二表面;一第一非晶半導體緩衝層,係設置於該摻雜型半導體基板之該第一表面上,並包覆住部份之該側壁;一第一非晶半導體層,係設置於該第一非晶半導體緩衝層之表面,並摻雜有一第一型半導體;一第二非晶半導體緩衝層,係設置於該摻雜型半導體基板之該第二表面;一第二非晶半導體層,係設置於該第二非晶半導體緩衝層之表面,且該第二非晶半導體層摻雜有一第二型半導體;一邊緣保護層,係設置於該第一非晶半導體層之周圍;一第一透明導電層,係設置於該第一非晶半導體層之表面;以及一第二透明導電層,係設置於該第二非晶半導體層上,其中該第一透明導電層與該第二透明導電層之間係經由該邊緣保護層絕緣。 2.如申請專利範圍第1項所述之異質接面太陽能電池,其中,該摻雜型半導體基板係摻雜有該第一型半導體與該第二型半導體其中之一者。 3.如申請專利範圍第1項所述之異質接面太陽能電池,其中,該第二非晶半導體緩衝層進一步設置於該第一非晶半導體層位於該側壁之部份。 4.如申請專利範圍第1項所述之異質接面太陽能電池,其中,該摻雜型半導體基板為一單晶摻雜型半導體基板或一多晶摻雜型半導體基板。 5.如申請專利範圍第1項所述之異質接面太陽能電池,其中,該第一型半導體為P型半導體時,該第二型半導體為N型半導體;該第一型半導體為N型半導體時,該第二型半導體為P型半導體。 6.如申請專利範圍第1項所述之異質接面太陽能電池,其中,該邊緣保護層之兩側係分別與該第一透明導電層及該第二透明導電層接觸。 7.如申請專利範圍第6項所述之異質接面太陽能電池,其中,該邊緣保護層與該第一透明導電層之間具有一重疊區域。 8.如申請專利範圍第7項所述之異質接面太陽能電池,其中,該重疊區域之面積為該第一透明導電層之面積的5%以下。 9.如申請專利範圍第1項所述之異質接面太陽能電池,其中,該邊緣保護層之材質為一樹脂。 10.如申請專利範圍第9項所述之異質接面太陽能電池,其中,該樹脂為一熱固性樹脂或一熱塑性樹脂。 11.如申請專利範圍第10項所述之異質接面太陽能電池,其中,該熱固性樹脂為環氧樹脂、熱固性聚烯烴或矽氧樹脂。 12.如申請專利範圍第10項所述之異質接面太陽能電池,其中,該熱塑性樹脂為乙烯/醋酸乙烯酯共


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