平面顯示裝置及製造其之方法 FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
申請人· 三星顯示器有限公司 SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. 南韓 KR


專利信息

專利名稱 平面顯示裝置及製造其之方法
公告號 I517301
公告日 2016/01/11
證書號 I517301
申請號 2011/06/01
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 鄭震九 JUNG, JIN-GOO; 金德會 KIM, DEOK-HOI; 太勝奎 TAE, SEUNG-GYU; 元裕奉 WON, YU-BONG; 鄭盛祐 JUNG, SUNG-WOO
申請人 三星顯示器有限公司 SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. 南韓 KR
代理人 李國光; 張仲謙
優先權 南韓 10-2010-0052361 20100603
參考文獻 TW200802878A; TW201021211A1; US2009/0278131A1
審查人員 周楷智

專利摘要

一種製造平面顯示裝置之方法包含:形成薄膜電晶體(TFT)之半導體層於基板上;形成閘極電極於該半導體層而具有閘極絕緣層在該閘極電極和該半導體層之間,以及以離子雜質摻雜該半導體層之源極和汲極區域;依序形成第一傳導層、第一絕緣層和第二傳導層,並且藉由圖案化該第一傳導層、第一絕緣層和該第二傳導層形成與該TFT相隔一距離之電容;形成第二絕緣層,且穿過該第二絕緣層形成接觸孔,該接觸孔曝露源極和汲極區域以及第二傳導層之部分;以及形成源極和汲極電極,該源極電極接觸該源極區域且該汲極電極接觸該汲極區域,其分別地透過該些接觸孔接觸該源極電極和汲極電極以及該第二傳導層。


專利範圍

1.一種製造平面顯示裝置之方法,該方法包含:形成薄膜電晶體(TFT)之半導體層於基板上;形成閘極電極於該半導體層上而具有閘極絕緣層在該閘極電極和該半導體層之間,以及以離子雜質摻雜該半導體層之源極和汲極區域;依序形成第一傳導層、第一絕緣層和第二傳導層,並且藉由圖案化該第一傳導層、第一絕緣層和該第二傳導層形成與該TFT相隔一距離之電容;形成第二絕緣層,且形成穿過該第二絕緣層的接觸孔,該接觸孔曝露源極和汲極區域以及第二傳導層之部分;以及 形成源極和汲極電極,該源極電極接觸該源極區域且該汲極電極接觸該汲極區域,該 源極電極 和 汲極電極 中之一者透過接觸孔接觸該第二傳導層。 2.如申請專利範圍第1項之方法,其中該閘極電極之形成包含形成導線於該閘極絕緣層上,其中閘極電極形成在該閘極絕緣層上,該導線包含與該閘極電極相同的材料且直接地接觸該第一傳導層。 3.如申請專利範圍第1項之方法,其中摻雜該半導體層之源極和汲極區域的離子雜質包含以相同雜質摻雜該些源極和汲極區域。 4.如申請專利範圍第1項之方法,其中摻雜該半導體層之源極和汲極區域的離子雜質包含藉由該閘極電極做為自對準遮罩以該些離子雜質摻雜之該些源極和汲極區域。 5.如申請專利範圍第1項之方法,其中每一個第一傳導層和第二傳導層包含透明傳導材料。 6.如申請專利範圍第1項之方法,其中TFT所形成處的第一傳導層、第一絕緣層和第二傳導層之部分係被完全地蝕刻。 7.如申請專利範圍第1項之方法,其中該電容之形成包含圖案化該第一傳導層、該第一絕緣層和該第二傳導層,使得該第一傳導層、第一絕緣層和第二傳導層之經蝕刻的側表面被對準。 8.如申請專利範圍第1項之方法,其中該第二絕緣層直接地接觸該閘極電極。 9.如申請專利範圍第1項之方法,進一步包含形成有機層於該源極和汲極電極上,並且通過該有機層以形成導通孔,該導通孔曝露源極和汲極電極中之一者的部分。 10.如申請專利範圍第9項之方法,進一步包含形成像素電極,其透過導通孔以接觸源極和汲極電極中之一者。 11.一種平面顯示裝置,其包含:薄膜電晶體(TFT)的半導體層,其在基板上,該半導體層包含通道區域、源極區域和汲極區域;閘極電極,其在該通道區域上並且具有在該閘極電極和該通道區域閘之間的閘極絕緣層;電容,其在該閘極絕緣層上並且包含第一傳導層、第一絕緣層和第二傳導層,該些之經蝕刻的側表面係被對準;源極和


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統