接觸插塞及其製造方法 CONTACT PLUG AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
申請人· 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW


專利信息

專利名稱 接觸插塞及其製造方法
公告號 I517400
公告日 2016/01/11
證書號 I517400
申請號 2013/07/11
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 吳鵬飛 WU, PENG FEI; 詹益綜 JAN, YI TSUNG; 高志明 KAO, CHIH MING; 廖友成 LIAU, YOU CHENG; 莊文仁 CHUANG, WEN JEN; 吳榮根 WU, RONG GEN; 錢奐宇 CHIEN, HUAN YU; 郭庭佑 KUO, TING YU; 林素珍 LIN, SU CHEN
申請人 世界先進積體電路股份有限公司 VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 新竹縣新竹科學工業園區園區三路123號 TW
代理人 洪澄文; 顏錦順
優先權
參考文獻 US5920122; US2006/0183327A1
審查人員 林嵩閔

專利摘要

本發明提供一種接觸插塞的製造方法,包括:提供一矽基板,其具有至少一開口;於開口內順應性形成一鈦層;於開口內的鈦層上順應性形成一第一阻障層;對鈦層及第一阻障層實施一快速熱處理;以及在實施該快速熱處理之後,於開口內的第一阻障層上順應性形成一第二阻障層。


專利範圍

1.一種接觸插塞的製造方法,包括:提供一矽基板,其具有至少一開口;於該開口內順應性形成一鈦層;於該開口內的該鈦層上順應性形成一第一阻障層;對該鈦層及該第一阻障層實施一快速熱處理;以及在實施該快速熱處理之後,於該開口內的該第一阻障層上順應性形成一第二阻障層。 2.如申請專利範圍第1項所述之接觸插塞的製造方法,更包括於該第二阻障層上形成一金屬層,以填滿該開口。 3.如申請專利範圍第2項所述之接觸插塞的製造方法,其中該金屬層包括鎢。 4.如申請專利範圍第1項所述之接觸插塞的製造方法,其中該第二阻障層由金屬有機化學氣相沉積製造方法所形成。 5.如申請專利範圍第1項所述之接觸插塞的製造方法,其中該第一阻障層與該第二阻障層為相同材質。 6.如申請專利範圍第1項所述之接觸插塞的製造方法,其中該第一阻障層與該第二阻障層為不同材質。 7.如申請專利範圍第1項所述之接觸插塞的製造方法,其中該第一阻障層包括氮化鈦或氮化鉭。 8.如申請專利範圍第1項所述之接觸插塞的製造方法,其中該第二阻障層包括氮化鈦或氮化鉭。 9.如申請專利範圍第1項所述之接觸插塞的製造方法,其中該第二阻障層厚度大於該第一阻障層厚度。 10.如申請專利範圍第1項所述之接觸插塞的製造方法,其中該快速熱處理之溫度範圍係介於500-950℃之間,且該快速熱處理之加熱時間係介於10-50秒之間。 11.如申請專利範圍第10項所述之接觸插塞的製造方法,其中該快速熱處理之溫度為765℃,且該快速熱處理之加熱時間為30秒。 12.如申請專利範圍第1項所述之接觸插塞的製造方法,其中該第一阻障層的厚度係介於10-150埃之間,且該第二阻障層的厚度係介於50-500埃之間。 13.一種接觸插塞,包括:一矽基板,其具有至少一開口;一鈦層,順應性形成於該開口內;一第一阻障層,順應性形成於該開口內的該鈦層上;以及一第二阻障層,順應性形成於該開口內的該第一阻障層上,其中該第二阻障層填入於該開口的底部角落的該第一阻障層內。 14.如申請專利範圍第13項所述之接觸插塞,更包括一金屬層,形成於該第二阻障層上,以填滿該開口。 15.如申請專利範圍第14項所述之接觸插塞,其中該金屬層包括鎢。 16.如申請專利範圍第13項所述之接觸插塞,其中該第一阻障層與該第二阻障層為相同材質。 17.如申請專利範圍第13項所述之接觸插塞,其中該第一阻障層與該第二阻障層為不同


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統