影像感測裝置及其製造方法 IMAGE SENSOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
申請人· 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW


專利信息

專利名稱 影像感測裝置及其製造方法
公告號 I517374
公告日 2016/01/11
證書號 I517374
申請號 2013/05/09
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 高敏峰 KAO, MIN FENG; 楊敦年 YAUNG, DUN NIAN; 劉人誠 LIU, JEN CHENG; 莊俊傑 CHUANG, CHUN CHIEH; 曾曉暉 TSENG, HSIAO HUI; 許慈軒 HSU, TZU HSUAN
申請人 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
代理人 洪澄文; 顏錦順
優先權 美國 61/653,748 20120531 美國 13/615,071 20120913
參考文獻 TW200717788; TW201119017A1; TW201133809A1; CN101840927A
審查人員 黃鼎富

專利摘要

一種影像感測裝置,包括一二極體。該二極體包括位於一半導體基板內之一第一摻雜區、一第二摻雜區與一第三摻雜區。該第一摻雜區為一第一導電類型,且具有一第一摻質濃度。該第二摻雜區為該第一導電類型,且具有少於該第一摻質濃度之一第二摻質濃度。該第二摻雜區係環繞該第一摻雜區。該第三摻雜區具有相反於該第一導電類型之一第二導電類型,其中該第三摻雜區覆蓋該第一摻雜區之一部以及該第二摻雜區之一部。


專利範圍

1.一種影像感測裝置,包括:一半導體基板;以及一二極體,包括:一第一導電類型之一第一摻雜區,位於該半導體基板內,其中該第一摻雜區具有一第一摻質濃度;該第一導電類型之一第二摻雜區,位於該半導體基板內,其中該第二摻雜區具有少於該第一摻質濃度之一第二摻質濃度,且其中該第二摻雜區環繞該第一摻雜區;以及相反於該第一導電類型之一第二導電類型之一第三摻雜區,位於該半導體基板內,其中該第三摻雜區覆蓋該第一摻雜區之一部以及該第二摻雜區之一部。 2.如申請專利範圍第1項所述之影像感測裝置,更包括一影像感測晶片,包括該二極體,其中該二極體係為該影像感測晶片之一感光二極體。 3.如申請專利範圍第1項所述之影像感測裝置,更包括一第四摻雜區,位於該第一摻雜區與該第二摻雜區上並接觸之,其中該第三摻雜區更覆蓋該第四摻雜區並接觸之,且其中該第四摻雜區為該第一導電類型,並具有高於該第一摻質濃度與該第二摻質濃度之一摻質濃度。 4.如申請專利範圍第1項所述之影像感測裝置,更包括:一閘介電層,覆蓋該第一摻雜區之一部以及該第二摻雜區之一部;一閘電極,覆蓋該閘介電層;以及一重度摻雜區,鄰近該閘介電層,其中該重度摻雜區具有該第一導電類型且為一通道區而與具有該第二導電類型之該第一摻雜區與該第二摻雜區所分隔,而其中該通道區係為該閘電極所覆蓋。 5.一種影像感測裝置,包括:一半導體基板;一閘介電層,覆蓋該半導體基板;一閘電極,覆蓋該閘介電層;以及一感光二極體,位於該半導體基板內,其中該感光二極體包括:一第一導電類型之一第一摻雜區,其中該第一摻雜區具有一第一摻質濃度;該第一導電類型之一第二摻雜區,環繞該第一摻雜區,其中該第二摻雜區具有少於該第一摻質濃度之一第二摻質濃度,且其中該閘電極覆蓋部分之該第一摻雜區與該第二摻雜區;以及相反於該第一導電類型之一第二導電類型之一第三摻雜區,其中該第三摻雜區覆蓋該第一摻雜區以及該第二摻雜區。 6.如申請專利範圍第5項所述之影像感測裝置,更包括一彩色濾光物與一微透鏡,準直於該感光二極體。 7.如申請專利範圍第5項所述之影像感測裝置,更包括具該第一摻雜類型之一第四摻雜區,位於該第一摻雜區與該第二摻雜區之上並接觸之,其中該第四摻雜區更位於該第三摻雜區之下並接觸之,且其中該第四摻雜區具有高於該第一摻質濃度與該第二摻質濃度之一摻質濃度。 8.一種影像感測裝置之製造方法,包括:形成包括一第一開口之一


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統