半導體製造設備用之氣體供應設備 GAS SUPPLY APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
申請人· 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本 JP


專利信息

專利名稱 半導體製造設備用之氣體供應設備
公告號 I517280
公告日 2016/01/11
證書號 I517280
申請號 2011/04/21
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 岡部庸之 OKABE, TSUNEYUKI
申請人 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本 JP
代理人 周良謀; 周良吉
優先權 日本 2010-105611 20100430
參考文獻 US5865205
審查人員 修宇鋒

專利摘要

本發明提供一種氣體供應設備10毋需針對每一處理反應器裝設壓力型流量控制器且其使流量控制器能有小巧結構。氣體供應設備10包含:氣體供應源11a、11b;氣體導入管13a、13b;主氣體管15;及分支管21a、21b。針對主氣體管15與分支管21a、21b提供一壓力型流量控制器30。壓力型流量控制器30包含:設於主氣體管15中的壓力偵測器17;及雙雙設於分支管21a、21b中的控制閥23a、23b與孔口22a、22b。算術電路40依據自壓力偵測器17所偵測到的壓力P1而判斷流量Qc,算術控制電路58依據來自流量設定電路52的設定流量訊號與來自算術電路40的流量Qc而控制控制閥23a、23b。


專利範圍

1.一種氣體供應設備,用以將氣體供應至半導體製造設備的複數處理反應器,包含:複數氣體供應源;氣體導入管,分別連接至該氣體供應源;主氣體管,該氣體導入管匯聚至該主氣體管;分支管,自該主氣體管分支出並分別連接至該處理反應器;及壓力型流量控制器,針對該主氣體管與該分支管設置,其中,該壓力型流量控制器包含:壓力偵測器、溫度偵測器、及流動偵測熱感應器,設於該主氣體管中;控制閥,設於每一該分支管中;孔口,在分支管每一者中設於該控制閥之上游或下游;第一算術電路,自該壓力偵測器所偵測到的壓力P1而判斷流量Qc=KP1(K為常數);流量設定電路,用以輸出該分支管每一者的設定流量訊號Qs;及算術控制電路,依據來自該算術電路的該流量Qc與來自該流量設定電路的該設定流量訊號Qs而控制該分支管每一者的該控制閥,其中,該孔口上游側的壓力P1及該孔口下游側的壓力P2滿足關係式P12 x P2,且該溫度偵測器及該流動偵測熱感應器各自提供一訊號至該算數控制電路。 2.如申請專利範圍第1項之氣體供應設備,其中,該算術控制電路會判斷流過該孔口之氣體的流動速度是否落在超音速範圍內。 3.如申請專利範圍第1項之氣體供應設備,其中,一旁通管係連接至該複數氣體供應源之特定氣體供應源的該氣體導入管氣體供應源,該旁通管與每一該分支管係藉由交流管所連接。 4.如申請專利範圍第1項之氣體供應設備,其中,該處理反應器係叢集式單片晶圓處理反應器。 5.如申請專利範圍第1項之氣體供應設備,其中,該處理反應器係批次處理反應器。 6.如申請專利範圍第1項之氣體供應設備,其中,該壓力型流量控制器更包含設於該算術控制電路與該複數控制閥間的電流/氣體壓力調整器。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統