儲能裝置及其製造方法 ENERGY STORAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
申請人· 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP


專利信息

專利名稱 儲能裝置及其製造方法
公告號 I517486
公告日 2016/01/11
證書號 I517486
申請號 2011/05/25
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI
申請人 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 日本 JP
代理人 林志剛
優先權 日本 2010-123260 20100528
參考文獻 US2009/0042102A1; US2009/0169996A1
審查人員 謝文瑜

專利摘要

放電容量可被改善之儲能裝置及用以製造該儲能裝置之方法被提供。用以製造該儲能裝置之方法,其中金屬元素被散布於電流收集器上,且藉由其中使用含有矽之沈積氣體實施加熱之低壓化學氣相沈積(LPCVD)形成包括鬚晶之結晶矽層作為其上散布金屬元素之電流收集器表面上之活性材料層。如上所述於活性材料層具有鬚晶,活性材料層之表面面積增加,因此,儲能裝置之放電容量可被增加。


專利範圍

1.一種用以製造儲能裝置之方法,包含:散布金屬元素於電流收集器上;藉由低壓化學氣相沈積於該電流收集器上形成包含有該金屬元素與矽的混合層,以藉由使用含有矽之沈積氣體作為來源氣體之低壓化學氣相沈積,於該混合層上形成包括鬚晶之矽層,其中該金屬元素係形成矽化物之元素。 2.如申請專利範圍第1項之用以製造儲能裝置之方法,其中該低壓化學氣相沈積係於高於580℃之溫度被實行。 3.如申請專利範圍第1項之用以製造儲能裝置之方法,其中矽烷、氟化矽、或氯化矽被使用作為該含有矽之沈積氣體。 4.如申請專利範圍第1項之用以製造儲能裝置之方法,其中該電流收集器係具有箔(foil)狀、片狀或網狀。 5.如申請專利範圍第1項之用以製造儲能裝置之方法,其中該電流收集器係藉由濺鍍或化學氣相沈積法形成於基板上。 6.如申請專利範圍第1項之用以製造儲能裝置之方法,其中該金屬元素之散布係藉由塗布含有1000ppm或更多之該金屬元素之化學溶液而被實行。 7.如申請專利範圍第1項之用以製造儲能裝置之方法,其中該金屬元素係選自鋯、鈦、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、鈷及鎳之一或多者。 8.一種用以製造儲能裝置之方法,包含:散布金屬元素於電流收集器上;藉由低壓化學氣相沈積於該電流收集器上形成包含有該金屬元素與矽的混合層;以及藉由使用含有矽之沈積氣體作為來源氣體之低壓化學氣相沈積,於該混合層上形成包括鬚晶之矽層,其中該金屬元素係形成矽化物之元素。 9.一種用以製造儲能裝置之方法,包含:藉由旋塗以散布金屬元素於電流收集器上;藉由低壓化學氣相沈積於該電流收集器上形成包含有該金屬元素與矽的混合層,以藉由使用含有矽之沈積氣體作為來源氣體之低壓化學氣相沈積,於該混合層上形成包括鬚晶之矽層,其中該金屬元素係形成矽化物之元素。 10.如申請專利範圍第1項之用以製造儲能裝置之方法,其中該矽層係結晶矽層。 11.如申請專利範圍第8項之用以製造儲能裝置之方法,其中該矽層係結晶矽層。 12.如申請專利範圍第9項之用以製造儲能裝置之方法,其中該矽層係結晶矽層。 13.如申請專利範圍第8項之用以製造儲能裝置之方法,其中該金屬元素係選自鋯、鈦、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、鈷及鎳之一或多者。 14.如申請專利範圍第9項之用以製造儲能裝置之方法,其中該金屬元素係選自鋯、鈦、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、鈷及鎳之一或多者。


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統