壓電晶體材料



  • 有機半導體複合物、有機電晶體材料、及有機場效型電晶體

    公告號:I428331 - 東麗股份有限公司 TORAY INDUSTRIES, INC. 日本 JP

    1.一種有機半導體複合物,含有以下列通式(1)所示之噻吩化合物與碳奈米管:〔化1〕B 2 -A 1 -B 1 (1)於此,B 1 與B 2 可以相同,也可以不同,分別表示以下列通式(2)所示之基;A 1 係表示以下列通式(3)~(11)中任一式所示之2價連結基;於此,R 1 ~R 5 可以相同,也可

  • 有機半導體複合物、有機電晶體材料、及有機場效型電晶體

    公告號:200838857 - 東麗股份有限公司 TORAY INDUSTRIES, INC. 日本

    1.一種有機半導體複合物,含有以下列通式(1)所示之噻吩化合物與碳奈米管:〔化1〕 B2-A1-B1 (1)於此,B 1 與B 2 可以相同,也可以不同,分別表示以下列通式(2)所示之基;A 1 係表示以下列通式(3)~(11)中任一式所示之2價連結基; [圖] 於此,R 1 ~

  • 芘系有機化合物、電晶體材料及發光電晶體元件

    公告號:200740719 - 國立大學法人京都大學 KYOTO UNIVERSITY 日本 日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD. 日本 三菱化學股份有限公司 MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATI

  • 電磁感應透明材料與光子晶體材料配對式全光型邏輯閘

    公告號:I447501 - 中華大學 CHUNG-HUA UNIVERSITY 新竹市香山區五福路2段707號 TW

    1.一種電磁感應透明材料與光子晶體材料配對式全光型邏輯閘,包含有至少一層數為N的電磁感應透明光子晶體疊貼層(10),其中N為大於或等於一的整數,且該電磁感應透明光子晶體疊貼層(10)包含有:一光子晶體層(11),該光子晶體層(11)之材質係選自由正折射率、零折射率、負折射率所組成的群組中之一,該光子

  • 包含壓電應力材料之自旋力矩轉移磁性隨機存取記憶體單元結構

    公告號:I428915 - 美光科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC. 美國 US

    1.一種記憶體單元,其包含:一磁性單元結構;一非磁性材料,其安置於該磁性單元結構之上;及一壓電材料,其安置為直接鄰近於該非磁性材料。2.如請求項1之記憶體單元,其中該磁性單元結構包含:一自由層;一針扎層;及一安置於該自由層與該針扎層之間的非磁性層。3.如請求項1之記憶體單元,其中該壓電材料包

  • 奈米碳素晶體材料及利用其製備電熱板的方法

    公告號:I325902 - 潘欽陵 臺北縣新莊市中正路746巷43之6號2樓 TW; 吳永順 臺北縣三重市重新路4段206號12樓之5 TW

    1.一種奈米碳素晶體材料,係由占總重70~80%的丙烯腈基碳纖維、占總重1~5%的奈米碳纖維和占總重15~29%的碳素晶體所組成。2.如申請專利範圍第1項所述之奈米碳素晶體材料,其特徵在於:係由占總重72~78%的丙烯腈基碳纖維、占總重2~4%的奈米碳纖維和占總重18~25%的碳素晶體所組成。

  • 壓電陶瓷材料及使用其獲得之壓電陶瓷燒結體

    公告號:485646 - 村田製作所股份有限公司 日本

    1.一種壓電陶瓷材料,其至少包含Pb、Sr、Zr、Ti、Mn、Nb、Si和Al,該壓電陶瓷材料包括一種主要組分,其係以通式(PbaSrb)(ZrcTidMneNbf)O3表示且具有符合如下關係之組成: 0.93≦a≦1.01 0.01≦b≦0.04 0.37≦c≦0.47 0.48≦d≦0.58 0

  • 電磁感應透明材料與光子晶體材料配對式全光型邏輯閘

    公告號:201303467 - 中華大學 CHUNG-HUA UNIVERSITY 新竹市香山區五福路2段707號 TW

    1.一種電磁感應透明材料與光子晶體材料配對式全光型邏輯閘,包含有至少一層數為N的電磁感應透明光子晶體疊貼層(10),該電磁感應透明光子晶體疊貼層(10)包含有:一光子晶體層(11),該光子晶體層(11)之材質係選自由正折射率、零折射率、負折射率所組成的群組中之一,該光子晶體層(11)具有一第一接合界

  • 包含壓電應力材料之自旋力矩轉移磁性隨機存取記憶體單元結構

    公告號:201017665 - 美光科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC. 美國 US

    1.一種記憶體單元,其包含:一磁性單元結構;及一壓電材料。 2.如請求項1之記憶體單元,其中該磁性單元結構包含:一自由層;一針扎層;及一安置於該自由層與該針扎層之間的非磁性層。 3.如請求項1之記憶體單元,其中該壓電材料包含一形成於該磁性單元結構上之壓電層。 4.如請求項1之記憶體單元,其中該壓電材

  • 奈米碳素晶體材料及利用其製備電熱板的方法

    公告號:200918698 - 潘欽陵 臺北縣新莊市中正路746巷43之6號2樓 吳永順 臺北縣三重市重新路4段206號12樓之5

    1.一種奈米碳素晶體材料,係由占總重70~80%的丙烯腈基碳纖維、占總重1~5%的奈米碳纖維和占總重15~29%的碳素晶體所組成。 2.如申請專利範圍第1項所述之奈米碳素晶體材料,其特徵在於:係由占總重72~78%的兩烯腈基碳纖維、占總重2~4%的奈米碳纖維和占總重18~25%的碳素晶體所組成。 3

  • 製備無鉛壓電陶瓷材料之系統

    公告號:M515201 - 東方學校財團法人東方設計學院 高雄市湖內區東方路110號 TW

    1.一種製備無鉛壓電陶瓷材料之系統,包括:一第一球磨機,供將NbO5與Ta2O5研磨混合而形成第一粉末;一第一煅燒機,與該第一球磨機間設一第一輸送單元,並供將該一第一粉末進行煅燒,而形成前驅物;一第二球磨機,與該第一煅燒機間設一第二輸送單元,並供將K2CO3、Na2CO3、Li2CO3以及該前驅物連

  • 積層式壓電晶體之內電極導引結構

    公告號:M361718 - 林憲陽 LIN, HSIEN YANG 臺北縣新店市中興路3段219之1號15樓之2 蔣孝澈 CHIANG, SHIAW TSEH 桃園縣中壢市五權里1鄰中大新村125號 謝志文 HSIEH, CHI

    1.一種積層式壓電晶體之內電極導引結構,係包含有: 複數具一個或一個以上孔道之壓電晶體; 複數金屬導體漿料層,各金屬導體漿料層係設於各壓電晶體之間,並將各壓電晶體黏固,且各壓電晶體之孔道中亦設有金屬導體漿料層,以形成導引各壓電晶體之內電極,以形成一積層式壓電晶體。 2.如申請專利範圍第1項所述之積層

  • 積層式雙壓電晶體平面揚聲器

    公告號:M361716 - 林憲陽 LIN, HSIEN YANG 臺北縣新店市中興路3段219之1號15樓之2 蔣孝澈 CHIANG, SHIAW TSEH 桃園縣中壢市五權里1鄰中大新村125號 謝志文 HSIEH, CHI

    1.一種積層式雙壓電晶體平面揚聲器,其至少包括有: 一圖案化基板; 一對稱之積層式雙壓電晶體,該對稱之積層式雙壓電晶體係設於基板兩側,各積層式雙壓電晶體中並設有側電極; 一鈍化層,該鈍化層係於積層式雙壓電晶體與圖案化基板之間。 2.如申請專利範圍第1項所述之積層式雙壓電晶體平面揚聲器,其中,該積層式

  • 積層式雙壓電晶體平面揚聲器

    公告號:M250489 - 謝志文 HSIEH, CHIN WEN 臺北市中正區潮州街十八號五樓之二

    1.一種積層式雙壓電晶體平面揚聲器,至少包括:一圖案化之基板;複數圖案化之積層式壓電晶體;分別配置於該基板之上下側。 2.如申請專利範圍第1項所述之積層式雙壓電晶體平面揚聲器,其中該基板,包含具導電功能之彈性金屬振動板。 3.如申請專利範圍第2項所述之積層式雙壓電晶體平面揚聲器,其中該導電彈性金屬振

  • 疏水性丙烯酸系眼內水晶體材料

    公告號:I513768 - 諾華公司 NOVARTIS AG 瑞士 CH

    1.一種眼用裝置共聚物材料,其係藉由將包含下述之一混合物聚合而形成a)30-60%(w/w)之具化學式(I)之芳基丙烯酸系疏水性單體其中:A係H;B係(CH2)m、S(CH2)u、O(CH2)v,或[O(CH2)2]n;u係1-4;v係1-4;C係(CH2)w;m係1-6;n係1-10;Y係無、O、