壓電晶體材料



  • 芘系有機化合物、電晶體材料及發光電晶體元件

    公告號:200740719 - 國立大學法人京都大學 KYOTO UNIVERSITY 日本 日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD. 日本 三菱化學股份有限公司 MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATI

  • 有機半導體複合物、有機電晶體材料、及有機場效型電晶體

    公告號:200838857 - 東麗股份有限公司 TORAY INDUSTRIES, INC. 日本

    1.一種有機半導體複合物,含有以下列通式(1)所示之噻吩化合物與碳奈米管:〔化1〕 B 2 -A 1 -B 1 (1)於此,B 1 與B 2 可以相同,也可以不同,分別表示以下列通式(2)所示之基;A 1 係表示以下列通式(3)~(11)中任一式所示之2價連結基; [圖] 於此,R 1 ~R 5 可

  • 有機半導體複合物、有機電晶體材料、及有機場效型電晶體

    公告號:I428331 - 東麗股份有限公司 TORAY INDUSTRIES, INC. 日本 JP

    1.一種有機半導體複合物,含有以下列通式(1)所示之噻吩化合物與碳奈米管:〔化1〕B 2 -A 1 -B 1 (1)於此,B 1 與B 2 可以相同,也可以不同,分別表示以下列通式(2)所示之基;A 1 係表示以下列通式(3)~(11)中任一式所示之2價連結基;於此,R 1 ~R 5 可以相同,也可

  • 奈米碳素晶體材料及利用其製備電熱板的方法

    公告號:200918698 - 潘欽陵 臺北縣新莊市中正路746巷43之6號2樓 吳永順 臺北縣三重市重新路4段206號12樓之5

    1.一種奈米碳素晶體材料,係由占總重70~80%的丙烯腈基碳纖維、占總重1~5%的奈米碳纖維和占總重15~29%的碳素晶體所組成。 2.如申請專利範圍第1項所述之奈米碳素晶體材料,其特徵在於:係由占總重72~78%的兩烯腈基碳纖維、占總重2~4%的奈米碳纖維和占總重18~25%的碳素晶體所組成。 3

  • 包含壓電應力材料之自旋力矩轉移磁性隨機存取記憶體單元結構

    公告號:201017665 - 美光科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC. 美國 US

    1.一種記憶體單元,其包含:一磁性單元結構;及一壓電材料。 2.如請求項1之記憶體單元,其中該磁性單元結構包含:一自由層;一針扎層;及一安置於該自由層與該針扎層之間的非磁性層。 3.如請求項1之記憶體單元,其中該壓電材料包含一形成於該磁性單元結構上之壓電層。 4.如請求項1之記憶體單元,其中該壓電材

  • 電磁感應透明材料與光子晶體材料配對式全光型邏輯閘

    公告號:201303467 - 中華大學 CHUNG-HUA UNIVERSITY 新竹市香山區五福路2段707號 TW

    1.一種電磁感應透明材料與光子晶體材料配對式全光型邏輯閘,包含有至少一層數為N的電磁感應透明光子晶體疊貼層(10),該電磁感應透明光子晶體疊貼層(10)包含有:一光子晶體層(11),該光子晶體層(11)之材質係選自由正折射率、零折射率、負折射率所組成的群組中之一,該光子晶體層(11)具有一第一接合界

  • 壓電陶瓷材料及使用其獲得之壓電陶瓷燒結體

    公告號:485646 - 村田製作所股份有限公司 日本

    1.一種壓電陶瓷材料,其至少包含Pb、Sr、Zr、Ti、Mn、Nb、Si和Al,該壓電陶瓷材料包括一種主要組分,其係以通式(PbaSrb)(ZrcTidMneNbf)O3表示且具有符合如下關係之組成: 0.93≦a≦1.01 0.01≦b≦0.04 0.37≦c≦0.47 0.48≦d≦0.58 0

  • 奈米碳素晶體材料及利用其製備電熱板的方法

    公告號:I325902 - 潘欽陵 臺北縣新莊市中正路746巷43之6號2樓 TW; 吳永順 臺北縣三重市重新路4段206號12樓之5 TW

    1.一種奈米碳素晶體材料,係由占總重70~80%的丙烯腈基碳纖維、占總重1~5%的奈米碳纖維和占總重15~29%的碳素晶體所組成。 2.如申請專利範圍第1項所述之奈米碳素晶體材料,其特徵在於:係由占總重72~78%的丙烯腈基碳纖維、占總重2~4%的奈米碳纖維和占總重18~25%的碳素晶體所組成。 3

  • 包含壓電應力材料之自旋力矩轉移磁性隨機存取記憶體單元結構

    公告號:I428915 - 美光科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC. 美國 US

    1.一種記憶體單元,其包含:一磁性單元結構;一非磁性材料,其安置於該磁性單元結構之上;及一壓電材料,其安置為直接鄰近於該非磁性材料。 2.如請求項1之記憶體單元,其中該磁性單元結構包含:一自由層;一針扎層;及一安置於該自由層與該針扎層之間的非磁性層。 3.如請求項1之記憶體單元,其中該壓電材料包含一

  • 電磁感應透明材料與光子晶體材料配對式全光型邏輯閘

    公告號:I447501 - 中華大學 CHUNG-HUA UNIVERSITY 新竹市香山區五福路2段707號 TW

    1.一種電磁感應透明材料與光子晶體材料配對式全光型邏輯閘,包含有至少一層數為N的電磁感應透明光子晶體疊貼層(10),其中N為大於或等於一的整數,且該電磁感應透明光子晶體疊貼層(10)包含有:一光子晶體層(11),該光子晶體層(11)之材質係選自由正折射率、零折射率、負折射率所組成的群組中之一,該光子

  • 低於160nm光石版印刷晶體材料以及其製造方法

    公告號:200401052 - 康寧公司 CORNING INCORPORATED 美國

    1.一種低於160nm光石版印刷結晶材料以使用於157nm波長之光石版印刷折射系統,該低於160nm光石版印刷結晶材料透射157nm波長以及包含等向性鹼金屬鹼土金屬混合結晶,該鹼金屬鹼土金屬混合晶體材料具有MRF 3 分子式,其中M為由Li,Na,及K鹼金屬選取出之鹼金屬,以及R為由Ca,Sr,Ba

  • 規劃熔絲用主動井偏壓電晶體

    公告號:200406776 - 億恆科技股份公司 INFINEON TECHNOLOGIES AG 德國 國際商務機器公司 IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 美國

    1.一種可規畫熔絲裝置,其包括:一可規畫熔絲結構,其包括一熔絲及一具一閘極、及汲極及源極的電晶體,該電晶體係耦接至該熔絲以使該汲極及該源極可選擇性地與該熔絲串聯連接;及一規畫裝置,其係耦接至該熔絲結構及與該電晶體協調以在該熔絲產生一足夠大小的電流以產生在該熔絲的電阻的增加,該規畫裝置加以適應以使用一

  • 高電壓電晶體之製造方法

    公告號:200518336 - 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號

    1.一種電晶體之製造方法,至少包含:提供一基材,其中該基材至少包含一隔離區及一主動區;利用一第一複數個離子於該基材之該主動區中形成一第一摻雜區;進行一趨入步驟,係將該第一摻雜區之該第一複數個離子進一步熱趨入至該基材內,藉以擴大該第一摻雜區;在該趨入步驟後,形成一閘電極於該基材上,其中至少部分之該閘電

  • 金屬電阻體材料,濺射用標靶,電阻薄膜及電阻薄膜之製造方法

    公告號:200523386 - 住友金屬山股份有限公司 SUMITOMO METAL MINING CO., LTD. 日本

    1.一種金屬電阻體材料,係含有Al:1.0至15.0重量%,稀土類元素:0.01至0.5重量%,其餘者在實質上係由Cr及Ni所組成,且Cr/Ni之重量比為0.15至1.1者。 2.一種濺射用標靶,係含有Al:1.0至15.0重量%,稀土類元素:0.01至0.5重量%,其餘者在實質上係由Cr及Ni所組

  • 高壓電晶體、半導體電晶體及電晶體的製造方法

    公告號:200541075 - 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號

    1.一種高壓電晶體,其包括:一第一主動區域,其係設於一基底閘極之一第一側;一第二主動區域,其係設於該基底之該閘極的一第二側;一第一低摻雜區域,其係形成於該閘極與該第一主動區域之間;以及一第二低摻雜區域,其係形成於該閘極與該第二主動區域之間,其長度較該第一第一摻雜區域明顯較長。 2.如申請專利範圍第1