增強型多階記憶體及其操作方法,以及電腦系統 ENHANCED MULTILEVEL MEMORY, METHOD FOR OPERATING THE SAME, AND COMPUTER SYSTEM
申請人· 美光科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC. 美國 US


專利信息

專利名稱 增強型多階記憶體及其操作方法,以及電腦系統
公告號 I484497
公告日 2015/05/11
證書號 I484497
申請號 2011/05/19
國際專利分類號
公報卷期 42-14
發明人 馬卡龍 馬可 MACCARRONE, MARCO; 洛馬吉 蓋多 LOMAZZI, GUIDO; 摩塔 宜拉立 MOTTA, ILARIA
申請人 美光科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC. 美國 US
代理人 陳長文
優先權 美國 12/783,483 20100519
參考文獻 US2005/0038953A1; US2007/0171730A1; US2008/0250300A1; US2009/0024905A1; US2009/0282184A1
審查人員 謝志偉

專利摘要

本文中所揭示之標的物係關於半導體記憶體,且更特定而言,係關於多階非揮發性或揮發性記憶體。


專利範圍

1.一種操作一記憶體之方法,其包括:儲存多個狀態於一或多個多階記憶體單元中,該儲存多個狀態包括根據一捲積碼來編碼該等狀態以提供表示該等狀態之多個符號;使用軟決策及捲積編碼來判定經編碼之該等狀態,其中該判定進一步包括:自該等多階記憶體單元讀取與多個感測臨限電壓相關聯之多個軟決策;維持多個週期函數之多個集合,其中每一集合係與經儲存之狀態之不同的複數個程式化分佈相關聯,其中與一特定週期函數相關聯之經儲存之該等狀態其彼此間係為週期相關;將一軟決策與該等週期函數之一特定集合相關聯;及至少部分地基於已遵循用於編碼之一最可能編碼路徑之一計算自該等週期函數之該特定集合來選擇一程式化分佈。 2.如請求項1之方法,其中該判定經編碼之該等狀態進一步包括:自該等符號擷取經儲存之該等狀態並應用該軟決策及捲積編碼以恢復經儲存之該等狀態。 3.如請求項1之方法,其中該軟決策包括判定複數個程式化狀態當中一最可能之程式化狀態以判定經編碼之該等狀態。 4.如請求項1之方法,其中該等多階記憶體單元能夠儲存兩個或兩個以上位元。 5.如請求項1之方法,其進一步包括產生多個值,其中該等值包括一所感測臨限電壓屬於該一或多個多階記憶體單元之一特定程式化分佈之一概率之一量測。 6.一種記憶體裝置,其包括:一記憶體陣列,其用以跨越一或多個多階記憶體單元儲存多個狀態;及一控制器,其經組態以:根據一捲積碼來編碼該等狀態以提供表示該等狀態之多個符號;自該等多階記憶體單元讀取與多個感測臨限電壓相關聯之多個軟決策;存取多個週期函數之多個集合,其中每一集合係與經儲存之不同的狀態之複數個程式化分佈相關聯,其中與一特定週期函數相關聯之經儲存之該等狀態其彼此間係為週期相關;將一軟決策與該等週期函數之一特定集合相關聯;及至少部分地基於已遵循用於編碼之一最可能編碼路徑之一計算自該等週期函數之該特定集合來選擇一程式化分佈,而使用該軟決策及捲積解碼以判定經編碼之該等狀態。 7.如請求項6之記憶體裝置,其中該軟決策包括判定複數個程式化狀態當中一最可能之程式化狀態以判定經編碼之該等狀態。 8.如請求項6之記憶體裝置,其進一步包括:一感測電路,其用以判定該一或多個多階記憶體單元之該等臨限電壓;及一轉換器,其用以將該等狀態轉換成指示該一或多個多階記憶體單元之該等臨限電壓之一數位數序列。 9.如請求項8之記憶體裝置,其中該感測電路包括一電壓比較器,該電


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統