供半導體應用之含正電性金屬的層 ELECTROPOSITIVE METAL CONTAINING LAYERS FOR SEMICONDUCTOR APPLICATIONS
申請人· 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國 US


專利信息

專利名稱 供半導體應用之含正電性金屬的層
公告號 I517394
公告日 2016/01/11
證書號 I517394
申請號 2012/09/05
國際專利分類號
公報卷期 43-02
發明人 羅梅洛 派翠希歐 ROMERO, PATRICIO E.; 克蘭德寧 史考特 CLENDENNING, SCOTT B.
申請人 英特爾股份有限公司 INTEL CORPORATION 美國 US
代理人 林志剛
優先權 世界智慧財產權組織 PCT/US11/54051 20110929
參考文獻 US6605847B2; US7186380B2; US2011/0169059A1
審查人員 陳瑩真

專利摘要

本發明之具體例提供用於經由ALD(原子層沉積)及/或CVD(化學氣相沉積)程序形成包含正電性金屬的層的方法、包含一或多種正電性金屬的層、及包含包括一或多種電正性金屬之層的半導體裝置。在本發明之具體例中,該層是薄的或超薄的(少於100埃厚度之膜)及/或正形的(conformal)膜。另外提供包含金屬層之電晶體裝置、金屬互連及計算裝置,該金屬層包含一或多種正電性金屬。


專利範圍

1.一種奈米線電晶體裝置,其包含形成該電晶體裝置之通道區的懸吊的奈米線、設置在該懸吊的奈米線上的介電材料層、設置在該介電材料層上之金屬層,其中該金屬層包含99.5-75.0原子%之2-7族金屬或Al及Si或Ge,Si或Ge之存在量介於0.5及10.0原子%之間,其中該奈米線係懸吊在閘電極中且該金屬層形成該閘電極的部份。 2.如申請專利範圍第1項之裝置,其中該金屬層包含總量少於15原子%的碳、氮、及氧。 3.如申請專利範圍第1項之裝置,其中該介電材料層包含二氧化矽(SiO2)、氧氮化矽(SiOxNy)、氮化矽(Si3N4)、或高k介電材料。 4.如申請專利範圍第1項之裝置,其中該奈米線係包含矽、矽及鍺之混合物、或III-V族化合物半導體。 5.如申請專利範圍第1項之裝置,其中該裝置包含二條懸吊的奈米線。 6.一種電晶體裝置,其包含通道結構,該通道結構具有頂部表面及一對側向相對之側壁、設置在該頂部表面及該對側向相對之側壁上的介電層、及設置在該在頂部表面及該對側向相對之側壁上之介電層上的金屬層,其中該金屬層包含99.5-75.0原子%之2-7族金屬或Al及Si或Ge,Si或Ge之存在量介於0.5及10.0原子%之間。 7.如申請專利範圍第6項之裝置,其中該金屬層包含總量少於15原子%的碳、氮、及氧。 8.如申請專利範圍第6項之裝置,其中該介電材料層包含二氧化矽(SiO2)、氧氮化矽(SiOxNy)、氮化矽(Si3N4)、或高k介電材料。 9.如申請專利範圍第6項之裝置,其中該通道結構包含單晶矽、矽、矽及鍺之混合物、或III-V族化合物半導體。 10.一種半導體裝置,其包含具有一表面之基材,設置在該基材表面上之介電材料層,在該介電材料層中所形成之溝或通孔,該溝或通孔具有側壁及底部表面,設置在該側壁及底部表面上之阻障層,其中該阻障層包含99.5-75.0原子%之2-7族金屬及Si或Ge,Si或Ge之存在量介於0.5及10.0原子%之間,及在井內之金屬區,其中該阻障層是在該金屬區與該介電材料層之間。 11.如申請專利範圍第10項之裝置,其中該2-7族金屬是W、Hf、Ta或其混合物。 12.如申請專利範圍第10項之裝置,其中該金屬層包含總量少於15原子%的碳、氮、及氧。 13.如申請專利範圍第10項之裝置,其中該金屬區包含銀、銅、或鋁。 14.一種半導體裝置,其包含具有一表面之基


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專利資訊及圖示來源: 中華民國專利資訊檢索系統